【課題】ＧａＮトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子３０１と、窒化物半導体素子３０１を駆動する駆動部３０２とを備えている。窒化物半導体素子３０１は、第１のオーミック電極、第２のオーミック電極及び第１のゲート電極を有している。駆動部３０２は、第１のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路３１１と、第１のゲート電極と第１のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子３１２とを有している。駆動部３０２は、第１のオーミック電極から第２のオーミック電極への電流を通電し且つ第２のオーミック電極から第１のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子３１２をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路で、双方向の過電圧を緩和できる双方向スイッチ。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し、ドレインとソースとの電位の低い主電極を仮想ソースとしドレインとソースとの電位の高い主電極を仮想ドレインとしたＨＥＭＴ構造をなし、ゲートと仮想ソースとの間に印加されるゲート信号により双方向に電流をオン・オフする半導体スイッチＱ３と、半導体スイッチＱ３のゲートと仮想ソースとの間に接続され、ゲート信号をゲートに印加するゲート信号部１３と、半導体スイッチＱ３の仮想ドレインとゲートとの間に接続され、抵抗１６と定電圧ダイオード１５とを有する過電圧保護回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】最大カウント値を大きくすると、カウンタ回路の規模が増大する。
【解決手段】駆動部２０は、所定のイベントが発生するごとに、所定回数、極性を交互に反転させながら強誘電体１０に駆動電圧Ｖｄｒｖ１、Ｖｄｒｖ２を印加する。判定部３０は、強誘電体１０の分極量を測定し、イベントの発生回数を判定する。この判定部３０は、電気的信号が印加されたことに起因する強誘電体１０の疲労特性を利用して、経過時間が所定のしきい値を超えたか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】周波数出力端子の保護と、信号波形の帯域を十分に確保することができる周波数出力装置を提供する。
【解決手段】周波数信号を出力する周波数出力装置２の出力端子にバリスタ素子Ｚｓ１を設ける。これにより、例えばバリスタ電圧を超える電圧が出力端子に印加された場合に、そのバリスタ電圧を超える電圧分を接地側に流して、周波数出力装置２に高電圧のサージ電圧が入力されるのを防ぎ、周波数出力装置２を保護する。また、放電時における放電量を少なくして電圧の変化を滑らかにし、電圧の立ち下がり時におけるピーク電流を下げて、ラジオノイズ等の電磁誘導ノイズの影響を低減し、必要な周波数信号の帯域を確保する。 （もっと読む）

【課題】受信側のスイッチがオフとなっても受信アンプへの入力不整合は生じず、受信アンプの動作が不安定になることを回避できるようにする。
【解決手段】送信側に接続された第１λ／４信号伝送路１８ａと、受信側に接続された第２λ／４信号伝送路１８ｂ及び第３λ／４信号伝送路１８ｃと、第１λ／４信号伝送路１８ａに対して並列に接続された第１スイッチ回路２２ａと、第２λ／４信号伝送路１８ｂに対して並列に接続された第２スイッチ回路２２ｂと、第３λ／４信号伝送路１８ｃに対して並列に接続された第３スイッチ回路２２ｃとを有する。受信側の第３スイッチ回路２２ｃは、第３ＰＩＮダイオード２８ｃに対して、受信側終端形成用抵抗ＲｒとコンデンサＣｒの直列回路が並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】運用中にスイッチを動作させる必要が無い場合に、あらかじめ必要なスイッチを動作させて、ある一つの状態を決め、同時にスイッチを物理的に固定し、以後、高電圧を加えることなく、その状態を保持することができる。
【解決手段】ばね状の梁３をもつスイッチと、スイッチの梁３を駆動するための駆動電極４と、スイッチ側高周波接点５と、スイッチ側高周波接点５に対向して、基板に設けられた基板側高周波接点６と、駆動電極４の駆動により高周波接点５，６が接触したときに、高周波を伝送する高周波線路と、高周波接点５，６を構成している金属を溶融させ、固着させるに十分な電流をながすための直流電源１４と、高周波線路と直流電源１４との間に設けられたインダクタ９，１０と、高周波線路に直列に装荷されたコンデンサ７，８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴのベースが直接制御端子に接続するスイッチ回路装置では、制御端子から、ＨＢＴの駆動に必要なベース電流を供給する必要がある。しかし、この回路構造ではＨＢＴの電流増幅率ｈ_ＦＥが限られているため、必要なベース電流を制御端子から十分に得られない問題があった。
【解決手段】スイッチング素子を構成するＨＢＴのベースにソースが接続する駆動ＦＥＴを設け、駆動ＦＥＴのドレインを電源端子に接続し、ゲートを制御端子に接続する。制御信号により駆動ＦＥＴが導通し、電源端子から供給される電流によってＨＢＴが動作する。従って一般的な制御用ＬＳＩからの制御信号を利用できる。またＨＢＴの各単位ＨＢＴに駆動ＦＥＴの各単位ＦＥＴを対応させることによりＨＢＴの２次降伏による破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積の増大を極力抑えつつ、良好なアイソレーション特性を有するアンテナスイッチ回路装置を提供する。
【解決手段】多ポートスイッチ１００は、送信信号用端子Tx1とANTとの間に接続され、第１の総ゲート幅を有するFET T11と、送信信号用端子Tx1とGNDとの間に接続されたFET T12とを有する送信部と、受信信号用端子Rx1とアンテナ接続端子ANTとの間に接続され、FET T11の第１の総ゲート幅よりも小さい第２の総ゲート幅を有するFET T41を有する受信部１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電源投入後の動作モードを指定する制御信号を入力する外部端子を、起動後においては外部回路との信号入出力用端子としても兼用使用できるようにする。
【解決手段】動作モード入力用外部端子（６）の信号をデータ入力端子に、ラッチ信号（ＬＳ）をクロック入力端子に受けるＤタイプ−フリップフロップ（ＤＦＦ１）と、電源投入から所定時間経過後に低レベル電圧から高レベル電圧に変化し、以後は高レベル電圧を維持するラッチ信号を生成するラッチ信号生成回路（４）を備える。電子回路の内部回路（３）はＤタイプ−フリップフロップの出力信号レベルに対応してテストモード又は通常モードにて動作させる。ラッチ信号が高レベル電圧に変化してＤタイプ−フリップフロップの出力信号が確定した後は、動作モード入力用外部端子を内部回路と外部回路（５）との間の信号伝達用に使用できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチングトランジスタにおける入力容量の低減、ゼロクロス周波数特性の向上を図り、高周波数の矩形波をサンプリングするコンパレータ回路（高周波トランジスタ回路）等の特性を改善する。
【解決手段】 プッシュプル回路４０を構成するスイッチングトランジスタＱ６と、前段のスイッチング回路３０を構成する位相反転用トランジスタＱ４のみを化合物半導体トランジスタで構成する。他のトランジスタの動作速度に限界があっても、充放電電流の減少やゼロクロス周波数の改善により、従来にない高速かつ高精度な動作（高周波数の矩形波のサンプリング等）が可能となる。 （もっと読む）

半導体スイッチは、非直列配置で結合される２つのＮＭＯＳトランジスタと、ＮＭＯＳトランジスタの両方のゲートに結合されるゲート制御回路と、を備える。ＮＭＯＳトランジスタの両方のドレインは、相互接続され、ゲート制御回路は、ドレインの相互接続に結合される。必要なチップエリアは、従来技術のスイッチに比べ、半分になる。ゲートを更に高い電圧にポンプすることにより、ＮＭＯＳトランジスタのサイズを更に減少させることができる。また、有利なことに、ＮＭＯＳトランジスタのソース間で、広範囲の入力および出力電圧を許容することができ、これにより、ソースは、それぞれスイッチの入力および出力として機能し、したがって、スイッチを広い技術分野で適用することが可能になる。
（もっと読む）