【課題】出力電圧の立ち上がるタイミングのばらつきを低減することの可能な駆動回路、およびこの駆動回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】バッファ回路１は、互いに直列に接続されたインバータ回路１０およびインバータ回路２０を備えている。インバータ回路２０は、３つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂，Ｔｒ₂₃を有している。そのうちの２つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂は、デュアルゲート型のトランジスタである。これらトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂のバックゲートの電圧を調整することにより、トランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂の閾値電圧を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路中の容量に対する高速な充電手段を提供する。
【解決手段】負バイアス発生回路１中のダウンコンバータ１２内に容量が存在する。高速な充電を行うためにはこの容量を小さくし必要な電荷の量を最小限にする。一方、ダウンコンバータ１２内の容量とは別に外付け容量１７を直接電源電圧に接続して充電する。ダウンコンバータ１２内の容量の充電終了後に、並列に外付け容量１７とダウンコンバータ１２内の容量を接続する。これにより、充電高速化とリップルノイズへの耐性向上を両立することが可能となる。 （もっと読む）

改良されたバイアスを備え、優れた分離および信頼性を有するスイッチが説明される。例示的な設計では、スイッチ（５０Ｄ）は、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットと、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットと、追加の抵抗器（５３０）とを用いて実装される。トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットは積層構造で結合され、入力信号を受信し、出力信号を提供する。抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットは、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのゲートに結合される。追加の抵抗器（５３０）は、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットに結合され、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのための制御信号を受信する。抵抗器は、トランジスタがオンにされると、それらの寄生キャパシタンスによる信号損失を低減する。抵抗器はまた、トランジスタがオフされると、トランジスタにわたって入力信号の信号振幅をほぼ均一に分割するのを助け、それによりトランジスタの信頼性を改善しうる。スイッチ（５０Ｄ）は、スイッチプレクサ、電流増幅器（ＰＡ）モジュールなどで使用されうる。
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【課題】 半導体装置において、パワーオン時にパワーオンリセット信号によるリセット状態への初期設定がうまくいかず、ラッチ信号が期待値と異なり別のモードに設定され誤動作するという問題がある。
【解決手段】 本発明のパワーオンリセット回路は、セット用フリップフロップの他にダミーフリップフロップを備えている。パワーオン時にパワーオンリセット信号によるリセットが行われない場合にも、ダミーフリップフロップからの出力によりリセットし、初期設定する。ダミーフリップフロップを設けることで、より確実なパワーオン時の初期設定が可能となるパワーオンリセット回路、及び半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】歪特性を改善した半導体装置を提供する。
【解決手段】マルチゲートＦＥＴ１００のソース電極１０２とドレイン電極１０３の一方から高周波信号が入力して他方から出力されると共に、複数のゲート電極１０７、１０８、１０９に接続された制御端子の電位により高周波信号の通過および遮蔽を制御する高周波スイッチ回路用半導体装置である。ソース電極１０２に一番近い第１のゲート電極１０７のソース側ひさし部分の長さとドレイン電極１０３に一番近い第３のゲート電極１０９のドレイン側ひさし部分の長さがゲート電極の他のひさし部分の長さより長く、これらが付加容量を構成する。 （もっと読む）