【課題】バッテリ逆接続でのリレー動作防止を実現するとともに、リレー回路の駆動電流経路の電圧降下を抑制する技術を提供する。
【解決手段】リレー装置１００では、電源電圧ＶｂａｔｔからグランドＧＮＤに向けて、逆流防止回路１５０、リレー駆動回路１１０及びリレー回路ＲＬＹが直列に配置されている。逆流防止回路１５０は、ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とを備えている。ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とは並列に接続されており、順方向が同じである。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体集積回路のレギュレータ回路では、出力電圧の制御精度を十分に高めることができない問題があった。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、制御端子に与えられるインピーダンス制御信号で示される制御値ＰＬに応じて負荷電流Ｉｌｏａｄの大きさに対する出力電圧ＶＤＤＭの大きさを制御する複数の出力トランジスタＰＭと、出力電圧ＶＤＤＭの電圧値を示す出力電圧モニタ値ＶＭを出力する電圧モニタ回路１２と、出力電圧ＶＤＤＭの目標値を示す参照電圧Ｖｒｅｆと、出力電圧モニタ値ＶＭと、の間の誤差値の大きさに応じて制御値ＰＬの大きさを制御し、当該制御値ＰＬにより複数の出力トランジスタＰＭいずれを導通状態とするかを制御する制御回路１０と、を有し、制御回路１０が負荷電流Ｉｌｏａｄの変更を事前に通知する事前通知信号ＰＡＣＣに応じて、誤差値に対する制御値の変化ステップを一定期間の間大きくする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、急激な電流変化を回避してノイズの発生や不要輻射の放出を抑えると共に、ユーザの使用態様の多様性に柔軟に対応できるようにする。
【解決手段】 デューティ比を変えることをもってして、パルスの立ち上がりのタイミングをずらす、すなわち、ドライバトランジスタのオンするタイミングをずらす。また、いくつかの出力端子を束ねる構成とする場合には、それらの出力端子に対応する各ドライバトランジスタについては、デューティ比を同じとすることをもってして、各ドライバトランジスタを同時オンさせて個々のオーバーロードを回避する。言い換えれば、出力端子を束ねない限りにおいては、デューティ比を変えてパルスの立ち上がりのタイミングをずらすことが得策となる。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段３０は、ドライバ回路２５の終段トランジスタＴＲの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタＴＲの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器１に与える駆動信号Ｄの直流電圧を変化させて、駆動信号Ｄの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が所定の電位以上になって所定時間後に出力が解除状態になった後は定電流源の電流を流さないようにして消費電流を抑える遅延付き低電圧検出回路を実現する。
【解決手段】 電圧比較回路（１３）により検出対象の電圧が所定の電圧値以下になったことを検出した場合には出力状態を直ちに変化させ、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以上になったことを検出した場合には電流回路（１４）により決まる遅延時間後に出力状態を変化させる低電圧検出回路において、電流回路は、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以下になったことを検出した場合には、定電流源の電流を遮断する状態とし、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以上になったことを検出した場合には、定電流源の電流を流す状態として電流回路によるコンデンサの充電を開始させ所定遅延時間後に定電流源に流れる電流を遮断するように構成した。 （もっと読む）

【課題】アナログデータ出力にクロック信号が混入しないアナログマルチプレクサを提供する。
【解決手段】アナログマルチプレクサは、２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２の非反転信号を入力とし、クロック信号ＣＬＫに応じて２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２のうち何れか一方を選択的に出力する第１のセレクタ４と、２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２の反転信号を入力とし、クロック信号ＣＬＫに応じて２つのアナログデータ信号Ｄ１，Ｄ２のうち何れか一方を選択的に出力する第２のセレクタ５と、第１のセレクタ４の出力信号と第２のセレクタ５の出力信号との差信号を出力する減算回路６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターンオフスイッチング時に発生するノイズとスイッチング損失のトレードオフ特性を改善する。
【解決手段】半導体素子をターンオフさせるとき、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧がコレクタ・エミッタ間に印加された直流電圧に達するまでは、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を大きくし、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧が直流電圧に達した後は、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を小さくする。 （もっと読む）

【課題】所定のスイッチング動作を実行しつつ、破壊耐性を向上することが可能なハイサイドスイッチ回路を提供する。
【解決手段】電源電圧をスイッチングして出力するハイサイドスイッチ回路１００は、電源電圧Ｖｃｃが印加される電源端子１に一端が接続された第１の出力ＭＯＳトランジスタＭ１、第１の出力ＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され電圧出力端子２に他端が接続された第２の出力ＭＯＳトランジスタＭ２、第１の出力ＭＯＳトランジスタに流れる電流の検出信号を出力する電流検出回路６、第１の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第１の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第１の制御電圧を印加する第１のゲートドライバ４、第２の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第２の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第２の制御電圧を印加する第２のゲートドライバ５を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の電流駆動型半導体スイッチ８の駆動回路は、駆動回路における電力損失を抑制するためにスイッチやスイッチを制御するための手段が必要となり部品点数が増える。
【解決手段】電源１と電流駆動型半導体スイッチ８のベース又はゲート端子の間に接続される負の温度特性を有する第１の可変抵抗１０と、前記電流駆動型半導体スイッチ８のコレクタ又はドレイン電流による動作損失により過熱される熱伝導部１１を備え、前記第１の可変抵抗１０を前記熱伝導部１１により熱が供給されるように配置する。
本発明により、簡単な構成で部品点数を増やすことなく駆動回路における電力損失を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】並列に駆動される複数の半導体素子の特性差によって生じる、ターンオンやターンオフ時のスイッチングにおける電流の偏りを緩和すること。
【解決手段】電圧変換器１４は、ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々のエミッタセンス電流を電圧信号に変換する。平均値演算器１７や誤差演算器１８等の演算器は、ＬＰＦ１５から出力される、ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々に対応する電圧信号の平均値を求め、それぞれの電圧信号についての平均値に対する誤差を演算する。ＰＷＭ波形生成部１１は、ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々を駆動するための駆動信号（パルス信号）を出力する。差動増幅器１２の各々の駆動信号を、当該ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々に対応する誤差に基づいて調整して、当該ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々に供給する。 （もっと読む）

【課題】窒化物ＦＥＴを高速スイッチング動作させることができ、且つ、サージ電圧から窒化物ＦＥＴを保護することができるスイッチング素子の保護回路。
【解決手段】直列に接続された高圧側素子Ｍ１及び低圧側素子Ｍ２と、高圧側素子をオンオフさせる信号を出力するハイサイドプリドライバ１１と、高圧側素子と逆のオンオフ状態になるように低圧素子をオンオフさせる信号を出力するローサイドプリドライバ１２と、高圧側素子と低圧側素子の接続点に制御端子が接続されたスイッチング素子Ｔｒ１と、スイッチング素子の一方の端子にカソードが接続されたダイオードＤ１と、ダイオードのアノードに入力端子が接続され、ダイオードのブレーク時にスイッチング素子の制御端子に電流を供給するとともに、低圧側素子のオフを指示する信号をローサイドプリドライバに供給する制御器２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、第1のコンデンサＣ１と第1の抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間に接続され、制御信号のオフ信号に対して遅延させてゲートとソースとの間を短絡する短絡手段Ｓ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動用半導体素子が意図せずに導通することを防止できる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】駆動用トランジスタＴｒ１１は、一対の直流電源線１３、１４間に直流モータ１２とともに直列に接続される。抵抗素子Ｒ１３は、直流電源線１３と駆動用トランジスタＴｒ１１のゲート端子との間に接続される。コンデンサＣ１１および開路用トランジスタＴｒ１４の直列回路は、駆動用トランジスタＴｒ１１のゲート端子と直流電源線１４との間に接続される。駆動制御回路１５は、通常状態に設定されると、開路用トランジスタＴｒ１４をオンし、制御用トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３を通じて駆動用トランジスタＴｒ１１の導通状態を制御する。駆動制御回路１５は、制御用トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３の双方がオフのとき、開路用トランジスタＴｒ１４をオフする。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング素子である電圧駆動型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のターンオン・オフ時の電圧変化（ｄＶ／ｄｔ）と電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を緩和して、ノイズとサージ電圧の発生を抑制する電源回路を提供する。
【解決手段】トランス２に流れる電流をスイッチングさせるためのＭＯＳＦＥＴ１のゲート抵抗値を、スイッチング期間内で、ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電圧Ｖｄｓの変化の検出と共に切り替える、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧Ｖｇは、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧の最大定格Ｖｇｍａｘ以下とする。 （もっと読む）

【課題】オフ保持用スイッチング素子４６をオフ状態とすべき期間において、この素子が誤ってオフ状態とされることに起因するスイッチング素子Ｓ＊＃の信頼性の低下を抑制することのできるスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】オフ保持回路４８は、信号生成部２６の操作信号ＩＮを入力としてゲートの充電処理の実行中であると判断された場合、オフ保持用スイッチング素子４６をオフし、操作信号ＩＮを入力としてゲートの放電処理の実行中であると判断されて且つゲート電圧検出部５０の出力信号ＧＰＲを入力としてゲート電圧Ｖｇｅが低いと判断された場合、オフ保持用スイッチング素子４６をオンする。ここで、上記駆動回路は、ゲート電圧Ｖｇｅが閾値電圧を跨いでから出力信号ＧＰＲの論理が反転するまでの時間を、操作信号ＩＮを入力としてオフ保持回路４８によって把握される充電処理指示時間の最小値以下とするように構成される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の動作に起因するノイズの大きさが低減された、小型で製造コストの低いスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と、一定周期でパルス波のドライバ信号を出力するドライバ信号出力回路と、ドライバ信号のパルス波の周期を複数含む一定期間内において駆動力を変化させながら、ドライバ信号の周期に同期してスイッチング素子を駆動する駆動回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高コスト化、サイズ大型化を抑制し、短絡保護回路が制限する電流値がばらついても、過電流保護回路を確実に作動させる半導体スイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子駆動回路は、ゲート端子への電圧の印加により第1端子および第２端子間に主電流を流す半導体スイッチング素子Q1と、主電流の大きさに比例する電流値または電圧値が閾値を超えたとき、主電流が所定時間の間、所定の電流値を超える過電流となったと判断して主電流を低下させる過電流保護回路OPと、主電流が所定時間より短時間で過電流よりさらに大きい過電流となる場合に、ゲート端子に印加するゲート電圧を過電流保護回路による主電流の低下よりも早く低下させる短絡保護回路SPと、短絡保護回路の主電流の低下作動時に閾値を小さくする閾値変更回路TCと、を有する。 （もっと読む）

【課題】よりゲート電圧の傾きのバラツキを小さくすることで、スイッチング損失や電圧サージおよびピーク電流のバラツキを小さくする。
【解決手段】オフ保持デバイス５に対してオフ許可信号が禁止状態から許可状態に切り替わったことが伝わることを制御遅延演算回路６によって遅延時間だけ遅らせるようにする。これにより、遅延時間経過後に、既に定電流の狙い値まで達して安定した値になっている定電流駆動回路３０の出力電流をスイッチング素子１のゲート１ａに供給されるようにできる。したがって、ゲート電圧の立ち上がり傾きのバラツキを小さくすることができ、スイッチング損失や電圧サージおよびピーク電流のバラツキを小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】急激なアンダーシュート波形が生成されることにより発振状態になって不安定な動作を引き起こすことを防止する。
【解決手段】パワー素子４をオンさせる際に、パワー素子４の制御端子４１に比較的大きな電流を供給することで制御端子４１の電圧を比較的大きな勾配で上昇させつつ、制御端子４１の電圧がクランプ電圧に至ってから電圧状態が安定化するまでは、制御端子４１への比較的大きな電流の供給を保持する。そして、制御端子４１の電圧状態が安定化した後に、制御端子４１への電流供給が定電流回路３１のみから為されるようにし、比較的小さな電流が制御端子４１に供給されるようにする。 （もっと読む）