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Fターム[5J055DX72]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 出力部 (8,827) | 慣用的な複合スイッチ (1,758) | 直列 (1,001)

Fターム[5J055DX72]に分類される特許

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【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子LDの駆動電流を増減する駆動回路3である。差動信号の正相信号Vinpが入力される端子と、差動信号の逆相信号Vinnが入力される端子と、発光素子LDのアノードに接続されている端子と、正相信号Vinpが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Vinnが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第1及び第2の電圧制御電流源回路を備える。第1の電圧制御電流源回路には、正相信号Vinpに対応する電圧及び逆相信号Vinnの逆相に対応する電圧が入力され、第2の電圧制御電流源回路には、逆相信号Vinnに対応する電圧及び正相信号Vinpの逆相に対応する電圧が入力される。 (もっと読む)


【課題】 広帯域無線通信を行う送信機に用いられ、電源変換効率を向上させると共に、電圧レベル切替の遷移時間の影響を低減し、出力信号の歪特性を改善することができる電源回路を提供する。
【解決手段】 入力信号をプッシュプル増幅方式で増幅するプッシュプル増幅部と、制御信号によりプッシュプル増幅部に提供する電源電圧の電圧レベルを可変とする可変電源部と、入力信号に基づいて電源電圧の電圧レベルを制御する制御信号を出力するスイッチ制御部83′と、入力信号を特定の時間遅延させるタイミング制御部121を備え、スイッチ制御部83′が、制御信号の立ち上げの場合に、タイミング制御部121での遅延時間に対して電圧レベル切り替えの遷移時間に応じた早いタイミングで制御信号を立ち上げ、立ち下げの場合には遅延時間のタイミングで立ち下げる電源回路としている。 (もっと読む)


【課題】回路面積を低減させることのできる電圧生成回路を提供する。
【解決手段】一の実施の形態に係る電圧生成回路は、第1の電圧値の第1電圧を発生させる第1の昇圧回路と、第2の電圧値の第2電圧を発生させる複数の第2の昇圧回路を含む第2昇圧回路群とを有する。複数の第2の昇圧回路は、第1の状態から第2の状態に移行する際に互いに直列に接続され第1昇圧回路とともに第1電圧を発生可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインLSに、サブ電源101側をソースとして第1MOSFET102を直列に接続し、第1MOSFET102のドレインにドレインを接続させて第2MOSFET103を直列に接続する。制御ユニット200内のサブ電源供給ラインLSにも、サブ電源101側をソースとして第3MOSFET202を直列に接続し、第3MOSFET202のドレインにドレインを接続させて第4MOSFET203を直列に接続し、第1〜第4MOSFETを制御することで、サブ電源101の電力を負荷201に対して供給する。各MOSFETのドレイン電圧、及び、第2MOSFET103と第3MOSFET202との間の電圧をモニタし、MOSFETの故障及びサブ電源供給ラインLSの故障を診断する。 (もっと読む)


【課題】 印加されるRF電圧Vswに制御可能に耐えるRFスイッチ、又はこのようなスイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】 スイッチは直列接続された構成FETのストリングを有し、このストリングのノードは隣接するFETの各対の間にある。方法は、各構成FETにわたって分布するRFスイッチ電圧の不一致を減らすよう、容量的にストリングを有効に調整すべくストリングの異なるノードの間のキャパシタンスを制御し、それによって、スイッチ・ブレイクダウン電圧を高める。キャパシタンスは、例えば、ストリングのノードの間に容量特性配置することによって、及び/又は異なる構成FETの設計パラメータを変化させることによって、制御される。各ノードについて、ノードに現れるVswの比率による各有意なキャパシタの積の和は、おおよそ零になるよう制御され得る。 (もっと読む)


【課題】電圧変動の少ない電源切り換えを確実に行うことができる電源切換装置を提供する。
【解決手段】第2電源が接続される第2電源接続部、第2電源の電圧よりも高い電圧の第1電源が接続される第1電源接続部、負荷回路が接続される電源出力部、定電圧回路の出力端子と電源出力部とを接続するダイオード、第1電源接続部とダイオードとの間に挿入され第1電源の電圧を第2電源の電圧よりもダイオードの順方向電圧降下分高い電圧まで降圧する定電圧回路、第2電源接続部と電源出力部との接続をオン/オフするMOSスイッチと、第1電源接続部から電源が供給され、第2電源接続部または電源出力部の電圧と定電圧回路の出力電圧とを比較し、定電圧回路の出力電圧が第2電源接続部または電源出力部の電圧よりも高いとき、第1電源の電圧をMOSスイッチに導通することによってMOSスイッチをオフする比較回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】大型化することなく、アーム短絡および損失増大の問題を解消したスイッチング電源装置を構成する。
【解決手段】ローサイドスイッチング制御部81は、ローサイドスイッチング素子(Q1)へ駆動電圧信号を出力している期間にトランスの巻線電圧の極性反転を検出したときに、遅延時間(td1)の後にローサイドスイッチング素子(Q1)をターンオフさせるローサイドターンオフ回路を備え、ハイサイドスイッチング制御部61は、トランスの巻線電圧の極性が反転してからハイサイドスイッチング素子(Q2)をターンオンさせるまでの時間(td2)を遅延させる。そして、ローサイドターンオフ遅延回路の遅延時間(td1)はハイサイドターンオン遅延回路の遅延時間(td2)よりも短く設定されている。 (もっと読む)


【課題】低濃度ドープのPMOSトランジスタを用いて、高電圧ストレスに耐える電圧スイッチ回路を提供する。
【解決手段】該電圧スイッチ回路は、出力回路210、第1の電圧降下制御回路220、第2の電圧降下制御回路230、第3の電圧降下制御回路240、および入力回路250を備えている。また、高電圧源HVの電圧振幅は、基準電圧源Vrefの電圧振幅よりも高く、基準電圧源Vrefの電圧振幅は、論理電圧源VDDの電圧振幅よりも高い。 (もっと読む)


【課題】nMOSトランジスタM2のゲート−ソース間に加わる電圧を耐圧電圧未満に制限する際に消費電流の増加を抑制する。
【解決手段】pMOSトランジスタM1がオフし、かつnMOSトランジスタM2がオンしたとき、ツェナーダイオードZD2により、nMOSトランジスタM2のゲート端子とソース端子との間の電圧を一定電圧に制限する。nMOSトランジスタM2のゲート端子とソース端子との間に耐圧電圧よりも高い電圧が加わることを避けることが可能になる。このとき、定電流電源20bが電源からツェナーダイオードZD2を通してグランドに流れる電流を制限する。電源からトランジスタM3、M5b、M6bを通してnMOSトランジスタM2のゲート端子に流れる電流をnMOSトランジスタM6bが制限する。 (もっと読む)


【課題】設定に用いる端子数を減らすことができ、且つ回路規模の小型化を図りうるモード選択回路を提供する。
【解決手段】モード選択回路1には、通電経路5の電流状態に応じた定電流を複数の電流比較経路7に流す定電流生成回路9が設けられている。更に、複数の電流比較経路7に対してそれぞれ比較電流を流す定電流源40が設けられ、定電流源40によって複数の電流比較経路7に流される比較電流が互いに異なる電流値となるように構成されている。更に、電流比較部20は、それら複数の各比較電流と前記定電流とを比較したときの比較結果をモード判定部30に出力しており、モード判定部30はこのような比較結果を得ることで通電経路5の状態に応じたモードに設定している。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成により誤動作を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】パワー素子Q1とパワー素子Q2がトーテムポール接続されている。駆動回路1が入力信号INに応じてパワー素子Q2を駆動し、駆動回路2が入力信号/INに応じてパワー素子Q1を駆動する。駆動回路1は、電源に接続された高圧端子と、低圧端子とを有する。抵抗R1の一端がパワー素子Q2のエミッタに接続され、抵抗R1の他端が駆動回路1の低圧端子に接続されている。スイッチング素子Q3が駆動回路1の高圧端子と抵抗R1の一端との間に接続されている。スイッチング素子Q3は入力信号INに応じてオン・オフする。入力信号INがオフ信号の場合に、駆動回路1は低圧端子の電圧VGNDをパワー素子Q2のゲートに供給してパワー素子Q2はオフする。入力信号INがオフ信号の場合に、スイッチング素子Q3はオンする。 (もっと読む)


【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチQ1とノーマリオフ型のローサイドスイッチQ2との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路10と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段D2と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサC2と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部A1,AND1,Q3,Q4とを備える。 (もっと読む)


【課題】PVT変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードPCODE<0:2>,NCODE<0:2>の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードEM_PCODE<0:1>,EM_NCODE<0:1>を生成するコード生成部360と、出力データP_DATA,N_DATAを受信してデータ出力パッドDQに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部311〜313,321〜323と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部314〜315,324〜325とを備える。 (もっと読む)


【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ11及びローサイドトランジスタ12と、ハイサイドトランジスタ11及びローサイドトランジスタ12のゲートを相補に駆動する2つの駆動回路21、22とを具備する。ハイサイドトランジスタ11はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ12は、ノーマリオン型トランジスタである。 (もっと読む)


【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路10は、圧電センサ2の受信信号SP及びSNを増幅するアンプ15と、圧電センサ2の一端とアンプ15の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ11a及び11b(ないしは12a及び12b)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】消費電力が小さく抑えられ、出力される電位の振幅が小さくなるのを防ぐことができる、単極性のトランジスタを用いた半導体装置。
【解決手段】第1電位を有する第1配線、第2電位を有する第2配線、及び第3電位を有する第3配線と、極性が同じである第1トランジスタ及び第2トランジスタと、第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲートに第1電位を与えるか、第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲートに第3電位を与えるかを選択し、なおかつ、第1トランジスタ及び第2トランジスタのドレイン端子に、1電位を与えるか否かを選択する複数の第3トランジスタと、を有し、第1トランジスタのソース端子は、第2配線に接続され、第2トランジスタのソース端子は、第3配線に接続されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第1パワーゲーティングセルと、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つと連結される少なくとも1つの第2パワーゲーティングセルと、第2パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第3パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第3パワーゲーティングセルのうち、先端の第3パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第4パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つ、第2及び第3パワーゲーティングセルを経て第4パワーゲーティングセルに伝達され、第1ないし第4パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 (もっと読む)


【課題】ハイサイド駆動回路が負バイアス駆動を行いつつ、ブートストラップコンデンサによりハイサイド駆動回路に駆動電圧を供給することができる半導体装置を得る。
【解決手段】基準電圧回路3は、ハイサイド駆動回路1の高圧端子VBの電圧と低圧端子VEの電圧との間の基準電圧を生成して、ハイサイドスイッチング素子Q1とローサイドスイッチング素子Q2の接続点に供給する。充電用スイッチング素子Q3のドレインがハイサイド駆動回路1の低圧端子VEに接続され、ソースが接地されている。 (もっと読む)


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