【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１、２、３と、スイッチング素子であるスイッチ６〜９とで電源回路を構成している。ＦＥＴ１、２、３でカレントミラー回路を構成している。スイッチ６、７、８、９によって選択回路５０が構成される。選択回路５０は、スイッチ６〜９の切り替えにより、ミラー電流Ｉｂ２をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ｉｂ１をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ｉｂ１とミラー電流Ｉｂ２とを入れ替えて交互に、オペアンプ４、５にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】ハーフブリッジ回路のメインスイッチング素子が同時オンになることを確実に防止する。
【解決手段】ローサイド側の入力信号を遅延させてローサイド側遅延信号として出力する遅延回路２０と、ハイサイド側の入力信号からハイサイド側セット出力信号と予備リセット信号とを生成して出力するパルス発生回路１２と、ローサイド側の入力信号がアクティブになってからローサイド側遅延信号がアクティブになるまでの期間、又は予備リセット信号がアクティブである期間にハイサイド側リセット出力信号をアクティブにするリセット信号生成回路３０と、を備えるハーフブリッジドライバとする。 （もっと読む）

【課題】１入力多出力スイッチおよび多入力１出力スイッチとして、広帯域化ならびに小型化・低コスト化が可能なＦＥＴスイッチを提供する。
【解決手段】第１の端子とｎ個(ｎ:正整数、図１の場合ｎ＝４)の第２の端子との間の切替制御を行うＳＰｎＴスイッチとして、第１の端子と接続した配線２１_０を分岐点Ａにてｎ分岐した配線２１_１〜２１_４に、それぞれ、ｎ個のＦＥＴ４_１〜４_４のソースまたはドレインを接続し、ｎ個のＦＥＴ４_１〜４_４のドレインまたはソースには、それぞれ、配線２２_１〜２２_４を介して第２の端子を接続するとともに、少なくとも、配線２１_１〜２１_４を、それぞれ、直線で形成し、かつ、それぞれの長さを互いに等しくする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の低減を図り、かつスイッチングの安定化および高速化を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、制御電極を有し、制御電極に供給される電圧に基づいてオン状態およびオフ状態を切り替える半導体素子１２と、制御電極にパルス状の電圧を供給する駆動回路４と、制御電極と駆動回路４との間に接続されるインダクタ８と、制御電極と駆動回路４との間にインダクタ８と直列に接続される抵抗６とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラス電位及びマイナス電位を生成することができると共に、フライングコンデンサの数とスイッチの数を削減したチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】このチャージポンプ回路は、９個のスイッチＳＷ１〜ＳＷ９と第１及び第２のフライングコンデンサＣ１，Ｃ２、第１及び第２出力コンデンサＣｏｕｔ１，Ｃｏｕｔ２で構成される。初段の第１のフライングコンデンサＣ１はＳＷ１とＳＷ４の接続ノードであるノードＮ１とＳＷ１とＳＷ２の接続ノードであるノードＮ２に接続されている。また、次段(最終段)の第２のフライングコンデンサＣ２はＳＷ４とＳＷ５の接続ノードであるノードＮ３とＳＷ８とＳＷ９の接続ノードであるノードＮ４に接続されている。そして、第１の出力端子Ｐ１からプラス電位である３ＶＤＤが出力され、第２の出力端子Ｐ２からマイナス電位である−２ＶＤＤが出力される。ＶＤＤは電源電位である。 （もっと読む）

【課題】広帯域で高周波特性に優れ、かつ静電サージ等の高電圧信号が流れ込んだ場合の耐破壊性に優れた、安価な高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１１〜１８及びＦＥＴ２１〜２８を駆動する制御端子Ｖ１１及びＶ１２に負バイアス電圧及び０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧のいずれかを用いて、第１の入出力端子Ｐ１１から第２の入出力端子Ｐ１２へ伝達される経路、及び第１の入出力端子Ｐ１１から第３の入出力端子Ｐ１３へ伝達される経路の、ＯＮ／ＯＦＦを切り替える。これにより、ＤＣカット用のコンデンサが不要となる。 （もっと読む）

【課題】接続される外部回路に影響を与えることなく、クロストークを低減し得る信号選択回路を提供する。
【解決手段】信号選択回路１０では、選択する１の信号ラインＳＬ２に隣接して配置される非選択の信号ラインＳＬ１，ＳＬ３の電位を非選択の信号ラインＳＬ１，ＳＬ３の電気信号の電圧に保持可能なサンプルホールド回路１２，１６を備え、選択した信号ラインＳＬ２から電気信号を出力端子Ｖout に出力する期間中、サンプルホールド回路１２，１６は、非選択の信号ラインＳＬ１，ＳＬ３の電位をその電気信号の電圧に保持する。これにより、信号ラインＳＬ１，ＳＬ３に送出する外部回路等にとっては自己の電気信号の電圧で維持されたままを保つので、電気的な影響を与えることがなく、また信号ラインＳＬ２の両側に隣接して位置する信号ラインＳＬ１，ＳＬ３のインピーダンスの低下によりこれら信号ライン間の結合容量の形成を抑制しクロストークを低減する。 （もっと読む）

【課題】逆回復電流に起因するスイッチング損失を減少することができ、発熱損失を減少することができ、小型化を実現することができる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。電力用半導体スイッチング素子２１はノーマリーオン型であり、第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３はノーマリーオフ型である。 （もっと読む）