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Fターム[5J055EX00]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 回路構成 (3,056)

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【課題】エレベーターが停止してから自動消灯するまでの時間を短くして省エネルギー効果を高めることができるエレベーターかご内照明装置を得る。
【解決手段】交流電源1からの交流電流を整流する全波ブリッジ整流回路21と、全波ブリッジ整流回路21の出力端子間に接続される電解コンデンサ23と、全波ブリッジ整流回路21から直流電流が供給されかご内を照明するLED3と、LED3に供給される直流電流が流れる回路を開閉するMOSFET41と、MOSFET41のオンオフを制御するドライバIC42と、エレベーターが所定の時間連続して停止していることを検出する自動消灯制御リレー51と備え、ドライバIC42は、自動消灯制御リレー51の検出結果に基づいてMOSFET41をオフにしてLED3への直流電流の供給を停止させる。 (もっと読む)


【課題】出力信号の電圧レベルの遷移の方向に応じて、電源線や接地線を通らず寄生インダクタンス成分の影響を受けない電流を加算して信号の電圧レベルの遷移をアシストすることにより、SSOノイズを抑制することが可能な電子回路および実装基板の制御方法を提供すること。
【解決手段】出力回路1は、出力バッファ4と、出力バッファ4から出力される出力信号が伝搬する出力線と、出力バッファ4に電源を供給する電源線VdeLあるいは接地線VgLの少なくとも何れか一方と、出力線と電源線VdeLあるいは接地線VgLとにより囲まれる磁心50と、磁心50に巻回される制御コイル51と、出力信号の遷移を前もって検出し検出結果に応じて制御コイル51への電流供給を制御するコイル電流制御回路3とを備え、出力信号の遷移方向に応じて、制御コイル51からの電磁誘導により出力線の信号遷移をアシストするアシスト電流を流す。 (もっと読む)


【課題】2線式交流スイッチの低消費電力化を実現する。
【解決手段】
交流電源と負荷とを結ぶ電路に挿入される2線式交流スイッチであって、スイッチ端子S1、S2と、スイッチ端子間のオンオフを制御するためのゲート端子G1、G2と、基板端子Subとを有し、スイッチ端子間に双方向に電流を流すことができ、スイッチ端子S1が交流電源1に接続され、スイッチ端子S2が負荷2に接続される半導体スイッチからなるメインスイッチ3と、メインスイッチの基板端子Subを接地するかフローティングにするかを切り替えるサブスイッチ9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】落雷などの故障過渡電流が流れる間はスイッチング装置を開いて過電流が流れるのを防止する一方、その間、負荷電流が中断されない電力制御器システムを提供する。
【解決手段】電力制御器システム10は、電気経路31内に設けられた、負荷20に電流を供給するスイッチング装置30を備える。スイッチング装置30の両端間の電圧または電流が所定のレベルを超えたとき、制御器50がスイッチング装置10を開くように構成する。スイッチング装置30が開いているときも、並列電気経路60を負荷に接続する回路11内の誘導素子32に蓄積された誘導エネルギーの放散により、負荷電流61が並列電気経路60および負荷20に流れ続ける。 (もっと読む)


【課題】高い周波数においても大電力を扱う用途に適用できるスイッチ回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子である電界効果トランジスタに並列に接続されており、夫々炭化珪素(SiC)及び窒化ガリウム(GaN)からなる2つのショットキバリアダイオード(SBD)について、順方向に導通し始めるオン電圧の高低に応じて、順方向の電圧に対する電流の変化率が大小となるようにする。これにより、オン電圧が低い方のGaNからなるSBDから環流電流を先に導通させ、順方向の電圧の上昇と共に、オン電圧が高い方のSiCからなるSBDへより多くの環流電流を分流させるように導通させて、環流電流による導通損失を各SBDに分散させる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子としてSiC半導体装置はモータ等の負荷を駆動、制御する電力変換器に用いられているが、SiC半導体装置に内在するボディダイオードに還流が流れ、SiC半導体装置の結晶劣化が進行するのを防止するためショットキバリアダイオードSBDを還流ダイオードを備える技術が示されているが、還流電流の増大化に対して充分な構成ではないという問題点を解消するため、還流時の電圧を検知して、しきい値以上のとき、SiC−FETをONしてSBDと分流する。
【解決手段】SBDの電圧を検出して、SBDのON開始電圧値とSiC半導体装置に内在するボディダイオードのON開始電圧値との間のしきい値以上となったとき、SiC半導体装置のSiC−FETをONし、検出時電圧より小さく0Vよりも大きいしきい値以下にSBDの電圧が下がったときSiC−FETをOFFする。 (もっと読む)


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