【課題】メモリの選択的な書き込みを行う際のパストランジスタのゲート絶縁膜の破壊を防ぐとともにパストランジスタのゲート絶縁膜を薄くすることを可能にし、かつメモリの微細化によって書き込み効率が損なわれない不揮発性プログラマブルロジックスイッチを提供する。
【解決手段】第１端子と、第２端子と、メモリ状態を制御する制御信号を受ける第３端子とを有する第１メモリと、ソース／ドレインの一方が第２端子に接続される第１トランジスタと、第１トランジスタのソース／ドレインの他方にゲートが接続される第２トランジスタとを備えた、第１セルおよび第２セルを有する。第１セルの第１メモリの第３端子と、第２セルの第１メモリの第３端子は共通に接続され、第１セルに書き込みを行う場合、第３端子が書き込み電源に接続され、第１セルの第１端子は接地電源に接続され、第２メモリの第１端子は書き込み防止電源に接続される。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を加熱および冷却を切替えて使用する。
【解決手段】一端が負荷と接続され、他端が負荷を駆動する駆動用電源と接続され、少なくとも、入力端子に入力される第１の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第１のスイッチング素子と、一端が負荷および第１のスイッチング素子の一端と接続され、他端が基準電位と接続され、第２の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第２のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子がオフ状態である場合に、第１のスイッチング素子の入力端子に電圧を供給する電圧供給部と、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子のそれぞれに供給し、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子とを交互にオン・オフ動作させる制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧レベルの遷移の方向に応じて、電源線や接地線を通らず寄生インダクタンス成分の影響を受けない電流を加算して信号の電圧レベルの遷移をアシストすることにより、ＳＳＯノイズを抑制することが可能な電子回路および実装基板の制御方法を提供すること。
【解決手段】出力回路１は、出力バッファ４と、出力バッファ４から出力される出力信号が伝搬する出力線と、出力バッファ４に電源を供給する電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬの少なくとも何れか一方と、出力線と電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬとにより囲まれる磁心５０と、磁心５０に巻回される制御コイル５１と、出力信号の遷移を前もって検出し検出結果に応じて制御コイル５１への電流供給を制御するコイル電流制御回路３とを備え、出力信号の遷移方向に応じて、制御コイル５１からの電磁誘導により出力線の信号遷移をアシストするアシスト電流を流す。 （もっと読む）

【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子３０１と、窒化物半導体素子３０１を駆動する駆動部３０２とを備えている。窒化物半導体素子３０１は、第１のオーミック電極、第２のオーミック電極及び第１のゲート電極を有している。駆動部３０２は、第１のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路３１１と、第１のゲート電極と第１のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子３１２とを有している。駆動部３０２は、第１のオーミック電極から第２のオーミック電極への電流を通電し且つ第２のオーミック電極から第１のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子３１２をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴを高速駆動する場合であっても、寄生インダクタンスに流れる電流の時間変化に応じて発生する電圧に起因したセルフターンオンの発生を防止できるようにしたパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路、また、その素子値決定方法を提供する。
【解決手段】制御回路が、駆動回路によってスイッチを駆動制御することで、（２）区間においてスイッチＳ２ＨおよびＳ２Ｌをオンすると共にその他をオフとし、（３）区間においてスイッチＳ１ＬおよびＳ３Ｈをオンすると共にその他をオフとする。すると、（２）〜（３）区間にかけて、ハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間を所定のインピーダンスに切り替えることができ、リカバリー後半に至ったとしてもハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓ１を閾値電圧Ｖｔ未満に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極、及び前記第１の主電極と前記第２の主電極間で前記主面上に配置された制御電極を有するスイッチング素子Ｔ_ＳＷと、コレクタ端子とエミッタ端子と制御端子とを有する第１の駆動素子Ｔ_Ｄ１及び入力端子を含む駆動回路１０と、を備え、前記第１の駆動素子の前記コレクタ端子は前記スイッチング素子の前記第１の主電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記エミッタ端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記制御端子は前記入力端子及び前記エミッタ端子に接続される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に、第１の主電極Ｄｓｗと第２の主電極Ｓｓｗの間に配置された制御電極Ｇｓｗを有するスイッチング素子Ｔｓｗと、スイッチング素子Ｔｓｗの第１の主電極Ｄｓｗにアノード端子が接続された第１の整流素子Ｄ１、第１の整流素子Ｄ１のカソード端子に第１の主電極ＤＤ１が接続され、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第２の主電極ＳＤ１が接続された第１の駆動素子ＴＤ１、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第１の主電極ＤＤ２が接続され、スイッチング素子の第２の主電極Ｓｓｗに第２の主電極ＳＤ２が接続された第２の駆動素子ＴＤ２、及び、第１の駆動素子ＴＤ１の制御電極ＧＤ１と第２の駆動素子ＴＤ２の制御電極ＧＤ２にそれぞれ入力される制御信号を受信する入力端子ＩＮ＿Ｈ，ＩＮ＿Ｌを有する駆動回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチがオフ状態（非導通状態）である場合の消費電力を低減する。
【解決手段】スイッチ制御回路は、制御端子に印加される電圧に基づいて、第１の電源線ＶＤＤから供給される電力を出力状態と非出力状態との間で切り替えるＰ−ＦＥＴ１１と、第１の電源線ＶＤＤと制御端子との間に接続される抵抗Ｒ１と、制御端子と第２の電源線との間に、第１のコンデンサーＣ１と第２のコンデンサーＣ２が直列に接続されているコンデンサー分圧回路１３と、第１のコンデンサーＣ１と並列に接続され、自素子の両端間の電位差が、予め定められた閾値以上である場合に導通状態になり、電位差が閾値未満である場合に非導通状態になる制御素子（ＺＤ）と、第２のコンデンサーＣ２と並列に接続され、自スイッチの両端間を導通状態と非導通状態との間で切り替えるスイッチＳＷと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送経路におけるインピーダンス変動の変動を抑え、高周波信号の挿入損失を向上させることができるスイッチ回路を提供すること
【解決手段】本発明にかかるスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間において信号を伝達する第１の伝送路上に設けられたＦＥＴ１４と、入力端子１３と出力端子１２との間において信号を伝達する第２の伝送路上に設けられたＦＥＴ１５と、入力端子１３とＦＥＴ１５との間に一端が第２の伝送路と接続され、他端がオープンスタブ１７である第３の伝送路と、第３の伝送路上に設けられたＦＥＴ１６と、を備え、第１の伝送路上を信号が伝達される場合、ＦＥＴ１４及びＦＥＴ１６がオン状態となり、ＦＥＴ１５がオフ状態となるように制御されるものである。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝達経路における高調波特性を良好に維持しつつ、回路規模が縮小された高周波スイッチを提供する。
【解決手段】１つの送信ポート１０と、１つの受信ポート２０と、共通ポート３０と、送信側シリーズスイッチ４０と、送信側シャントスイッチ５０と、受信側シリーズスイッチ６０と、受信側シャントスイッチ７０とを有する。送信ポートは、送信信号を入力し、受信ポートは、受信信号を出力し、共通ポートは、送信信号を送信するか、または受信信号を受信する。送信側シリーズスイッチは、送信ポートと共通ポートとの間に接続され、送信側シャントスイッチは、送信ポートとグランドとの間に接続され、受信側シリーズスイッチは、受信ポートと共通ポートとの間に接続され、夫々のスイッチはボディコンタクト型ＦＥＴである。受信側シャントスイッチは、受信ポートとグランドとの間に接続され、フローティングボディ型ＦＥＴである。 （もっと読む）

【課題】入力電圧範囲の大きな半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】外部から入力される制御電圧に応じて第１端子および第２端子間を電気的に接続または切断するスイッチ装置であって、第１端子および第２端子の間にソースおよびドレインが接続され、当該スイッチ装置に入力される入力電圧とゲート電圧との差に応じてオンまたはオフとなるメインスイッチと、制御電圧および入力電圧に応じて第１基準電圧を電圧シフトさせた駆動電圧をメインスイッチのゲートに供給する制御部と、を備えるスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子を駆動するゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子であって、ドレインとソースとゲートとを有し、前記ゲートをドライブする信号と前記ゲートとの間にコンデンサと抵抗の直列回路を介して接続され、前記ドレインと前記ゲートとの間に、ダイオードと電圧制限回路からなるゲート電圧クランプ回路とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号の電力漏洩を抑制することができる切替回路を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の端子（Ｐ１）と、第２の端子（Ｔｘ）と、第３の端子（Ｒｘ）と、前記第１の端子及び前記第２の端子間に直列に接続される第１のトランジスタ（３０１）と、前記第１の端子及び前記第３の端子間において前記第１の端子側から順に接続される第１のインピーダンス変換素子（３１２）、第２のトランジスタ（３０２）、第３のトランジスタ（３０３）及び第２のインピーダンス変換素子（３１３）とを有し、前記第２のトランジスタは、前記第３のトランジスタ及び前記第１のインピーダンス変換素子の相互接続点と基準電位ノードとの間に接続され、前記第３のトランジスタは、前記第１のインピーダンス変換素子及び第２のインピーダンス変換素子間に直列に接続される切替回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】応答性、温度に対するロバスト性、ならびに、半導体スイッチ素子の最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間に対するフレキシブル性に優れた半導体スイッチ素子用ドライバ回路および半導体スイッチ素子の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子用ドライバ回路１０１は、フリップフロップ素子９を含む論理回路からなり、外部からのＯＮ指令Ｌ１およびＯＦＦ指令Ｌ２に従いＩＧＢＴ１０の動作信号を生成するフリップフロップ回路６と、動作信号が半導体スイッチ素子９に関する最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間の要求を満たすようにフリップフロップ素子９のセット／リセットを操作するマイコン１と、を備える。フリップフロップ回路６により、外部からのＯＮ／ＯＦＦ指令に対して高応答で動作させ、マイコン１でフリップフリップ素子９のセット・リセットを制御することで、その出力信号をマスクし、最小ＯＮ／ＯＦＦ時間を満足する。 （もっと読む）

【課題】周波数出力端子の保護と、信号波形の帯域を十分に確保することができる周波数出力装置を提供する。
【解決手段】周波数信号を出力する周波数出力装置２の出力端子にバリスタ素子Ｚｓ１を設ける。これにより、例えばバリスタ電圧を超える電圧が出力端子に印加された場合に、そのバリスタ電圧を超える電圧分を接地側に流して、周波数出力装置２に高電圧のサージ電圧が入力されるのを防ぎ、周波数出力装置２を保護する。また、放電時における放電量を少なくして電圧の変化を滑らかにし、電圧の立ち下がり時におけるピーク電流を下げて、ラジオノイズ等の電磁誘導ノイズの影響を低減し、必要な周波数信号の帯域を確保する。 （もっと読む）

【課題】相補のＭＯＳＦＥＴが同時導通する貫通電流を低減する。
【解決手段】相補のＭＯＳＦＥＴスイッチング回路において、相補のＭＯＳＦＥＴのゲート電極に直列に挿入した導通終了方向のダイオードと並列にスイッチング周波数のインピーダンスが上記ゲート電極インピーダンスの１／２より低く、ＭＯＳＦＥＴが同時導通する時間がスイッチング周期の１／４より短く、スイッチング周期の１／４の周波数のインピーダンスがＭＯＳＦＥＴのゲート電極インピーダンスの２倍より高いインピーダンスのフェライトビーズを接続し、相補のＭＯＳＦＥＴのドレイン電極に直列にスイッチング周波数のインピーダンスがスイッチング周波数の容量性負荷のインピーダンスの１／２より低く、スイッチング周期の１／４の周波数のインピーダンスが容量性負荷のインピーダンスの２倍より高いフェライトビーズを接続する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を強制的に遮断する際、誘導負荷の大きさによらず所望のクランプ電圧で、精度よく誘導起電力の大きさを抑制する技術を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１（スイッチング素子）のゲート−コレクタ間に第１クランプ素子３が、ゲートに放電抵抗部１６が接続される。タイマー回路７は、ＩＧＢＴ１をオン状態に駆動するオン信号の入力が所定時間以上継続すると、Ｈレベルの信号をＮＭＯＳトランジスタ２６及びゲート駆動回路９に出力する。ゲート駆動回路９は、タイマー回路７からの信号に基づいてＩＧＢＴ１をオフ状態に駆動する。ＮＭＯＳトランジスタ２６は、タイマー回路７からの信号に応答して、選択的に第２クランプ素子２８をＩＧＢＴ１のゲート−コレクタ間に接続する。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極をソース電極に対して負バイアスすることがあっても、半導体集積回路においてラッチアップが発生することを防止できるエネルギー伝達装置、及び該エネルギー伝達装置を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板に形成された半導体装置２４と、第２の半導体基板の表面に形成された第２導電型の逆電流防止層、及び第２の半導体基板中に形成され逆電流防止層を覆う第１導電型のウェル層を含む逆電流防止ダイオード４１を備えた半導体集積回路４８と、直流電圧源５２と、変圧器６０とを備え、変圧器６０は、半導体装置２４及び直流電圧源５２と直列に接続される一次巻線５３と、負荷と接続される第１二次巻線５４とを含み、変圧器６０の第１二次巻線５４から負荷へ電力が供給されるように構成されている。半導体装置２４の第２ドレイン電極（ＴＡＰ電極）は、半導体集積回路４８の逆電流防止層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】三角波状に変化する発振電圧の振幅に依存しない周波数でモータを間欠駆動する。
【解決手段】モータ駆動回路は、三角波状に変化する発振電圧の振幅を制御するための振幅制御電圧に応じた電流量の充放電電流でキャパシタを充放電し、キャパシタの充電電圧を発振電圧として出力する三角波生成回路と、モータの回転速度を制御するための速度制御電圧と、三角波生成回路から出力される発振電圧との比較結果に基づいて、速度制御電圧のレベルに応じたデューティー比のパルス信号を生成するパルス信号生成回路と、パルス信号に基づいてモータコイルを間欠駆動する駆動回路とを備える。 （もっと読む）