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Fターム[5J055EZ00]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 機能的回路 (8,211)

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【課題】電磁機器の累積使用量が多くなっても少ないと同じ一定時間で電磁機器を動作状態から停止状態に移行させる。
【解決手段】電磁機器駆動装置は、励磁用電源から電磁コイルへの通電が停止したときに逆起電力によって電磁コイルの両端間に生じる電圧をクランプするフリーホイール回路と、フリーホイール回路によってクランプされた電圧が、電磁機器の累積使用量が少ないときよりも多いときの方が高くなるように、フリーホイール回路の動作を制御するコントローラーと、を備える。 (もっと読む)


【課題】負荷、電源などの動作条件が変化しても、電磁妨害等を引き起こす周波数帯域の成分が除去された駆動信号を出力する。
【解決手段】負荷5に与えられる駆動信号をハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタからなる検出用フィルタ17を介して検出し、その検出駆動信号をバンドギャップ回路18に入力する。バンドギャップ回路18は、固有の周波数特性を有し、検出駆動信号に固有の周波数帯域内の周波数成分が含まれていると出力電圧が低下する特性を持つ。制御回路28は、バンドギャップ回路18の出力電圧を基準電圧と比較し、検出駆動信号に固有の周波数帯域内の信号成分が含まれるか否かを判定する。含まれる場合には、ローパスフィルタ13により駆動信号から当該周波数帯域内の信号成分を除去する。 (もっと読む)


【課題】高周波信号の振幅に対する歪みを低減しつつ、スイッチングを実現することが可能なスイッチを提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力端子と、高周波信号が出力される第1出力端子との間に接続され、入力される高周波信号を第1出力端子から選択的に出力させる第1スイッチング部と、入力端子と、入力された高周波信号が出力される第2出力端子との間に接続され、入力端子に入力される高周波信号を第2出力端子から選択的に出力させる第2スイッチング部とを備え、第1スイッチング部、第2スイッチング部それぞれは、信号線上に設けられるインピーダンス変成器と、エミッタが接地され、コレクタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタと、コレクタが接地され、エミッタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタとを備えるスイッチが提供される。 (もっと読む)


【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第2のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第1及び第2のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第2のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】nMOSトランジスタM2のゲート−ソース間に加わる電圧を耐圧電圧未満に制限する際に消費電流の増加を抑制する。
【解決手段】pMOSトランジスタM1がオフし、かつnMOSトランジスタM2がオンしたとき、ツェナーダイオードZD2により、nMOSトランジスタM2のゲート端子とソース端子との間の電圧を一定電圧に制限する。nMOSトランジスタM2のゲート端子とソース端子との間に耐圧電圧よりも高い電圧が加わることを避けることが可能になる。このとき、定電流電源20bが電源からツェナーダイオードZD2を通してグランドに流れる電流を制限する。電源からトランジスタM3、M5b、M6bを通してnMOSトランジスタM2のゲート端子に流れる電流をnMOSトランジスタM6bが制限する。 (もっと読む)


【課題】実際に発生しているフライバックエネルギーを定量的に評価した上で保護動作を行うことができるスイッチング素子の制御装置を提供する。
【解決手段】NチャネルMOSFET2を介してコイル1に供給される電流をセンスMOSFET6及び検出用抵抗素子21により検出し、NチャネルMOSFET2をターンオフさせた際に発生し、ドレインに印加される逆起電圧をクランプ回路3によってクランプする。電流検出回路24は、クランプ回路3に発生するクランプ電圧によりNチャネルMOSFETがターンオンした際に、検出用抵抗素子21に流れる電流を複数の閾値と比較し、保護動作部26は、電流検出回路24の比較結果により、前記電流がNチャネルMOSFET2をターンオフさせた時点からの時間経過に対応する特定の閾値を超えていると判定されると、逆起電圧に基づくエネルギーを減少させるようにNチャネルMOSFET2の制御状態を変更する。 (もっと読む)


【課題】ノイズを低減することができるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】インターフェース回路は、電源電圧端子が第1の電源電圧ノードに接続され、入力信号を増幅する第1のバッファ(111)と、第2の電源電圧ノード及び前記第1のバッファの電源電圧端子間に接続されるスイッチ(124)と、前記第1のバッファの入力信号がローレベルからハイレベルに立ち上がると、遅延時間経過後に前記スイッチをオフからオンに切り換える第1の制御回路(127)とを有する。 (もっと読む)


【課題】パワーMOSFETを高速駆動する場合であっても、寄生インダクタンスに流れる電流の時間変化に応じて発生する電圧に起因したセルフターンオンの発生を防止できるようにしたパワーMOSFETの駆動回路、また、その素子値決定方法を提供する。
【解決手段】制御回路が、駆動回路によってスイッチを駆動制御することで、(2)区間においてスイッチS2HおよびS2Lをオンすると共にその他をオフとし、(3)区間においてスイッチS1LおよびS3Hをオンすると共にその他をオフとする。すると、(2)〜(3)区間にかけて、ハイサイド側のMOSFETのゲートソース間を所定のインピーダンスに切り替えることができ、リカバリー後半に至ったとしてもハイサイド側のMOSFETのゲートソース間電圧Vgs1を閾値電圧Vt未満に抑制できる。 (もっと読む)


【課題】回路を構成するトランジスタ数を少なくし、且つレベルシフタを配置することな
くシフトレジスタとして正確に動作を行う半導体回路の提供することを課題とする。
【解決手段】第1端子が高電位電源に接続されたpチャネル型トランジスタと、第1端子
が低電位電源に接続されたnチャネル型トランジスタと、を含む回路群と、インバータ回
路と、をm段(mは任意の正の整数であり、m≧3)有し、第2n−1段目(nは任意の
整数であり、m≧2n≧2)の回路群の前記nチャネル型トランジスタのゲートにはクロ
ック信号が入力され、第2n段目(nは任意の整数であり、m≧2n≧2)の回路群の前
記nチャネル型トランジスタのゲートには反転クロック信号が入力される。 (もっと読む)


【課題】イネーブル等の制御信号を用いず、且つスタートアップ動作が完了した後は消費電流が極少なるスタートアップ回路を提供する。
【解決手段】2つの電流ルートの電流が0値で且つノードN11が高電位になる第1安定状態と、前記2つの電流ルートの電流が0値以外で同値になり且つノードN11が前記高電位よりも低い第1所定値になる第2安定状態をもつ対象回路のためのスタートアップ回路において、ノードN11の電位が第1所定値を超えているとき検出出力を出力するトランジスタMN21と、MN21が検出出力を出力するときバイアス電圧を生成するトランジスタMN23と、MN23でバイアス電圧が生成されるとノードN11の電位を低下させるトランジスタMN22とを備える。ノードN11の電圧が第1所定値に達すると、MN21が検出出力の出力を停止し、MN23がバイアス電圧の生成を停止し、MN22が動作を停止する。 (もっと読む)


【課題】動作モード切り換え時におけるノイズを抑制する。
【解決手段】差動入力バッファ1は、動作モードを通常状態又は省電力状態のいずれかに切り換える電源回路MN1,MN2と、ソースフォロア回路を構成する半導体素子MP1,MP3及びMP2,MP4のそれぞれの寄生容量の合計である第1の寄生容量に対応する第2の寄生容量を有する半導体素子MP7,MP8により構成されるダミー回路とを有し、動作モードの切り換え時に第1の寄生容量に起因して発生する電流の流通方向と、動作モードの切り換え時に第2の寄生容量に起因して発生する電流の流通方向とが共通の配線において相反する構成を有する。 (もっと読む)


【課題】急激なアンダーシュート波形が生成されることにより発振状態になって不安定な動作を引き起こすことを防止する。
【解決手段】パワー素子4をオンさせる際に、パワー素子4の制御端子41に比較的大きな電流を供給することで制御端子41の電圧を比較的大きな勾配で上昇させつつ、制御端子41の電圧がクランプ電圧に至ってから電圧状態が安定化するまでは、制御端子41への比較的大きな電流の供給を保持する。そして、制御端子41の電圧状態が安定化した後に、制御端子41への電流供給が定電流回路31のみから為されるようにし、比較的小さな電流が制御端子41に供給されるようにする。 (もっと読む)


【課題】耐高電圧スイッチ回路を通常のMOSトランジスタを用いて構成するとともに、論理回路を停止する時間を大幅に削減して低電力性能を向上させるために、初期化を高速に行うことができるDC−DCコンバータを提供する
【解決手段】チャージポンプ回路1と、その電源のオン・オフを行う第1のスイッチ用MOSトランジスタ3から構成されるDC−DCコンバータにおいて、チャージポンプ回路1の電源オフ時に、チャージポンプ回路の出力端子の寄生容量に充電された電荷を直列接続された第2および第3のスイッチ用MOSトランジスタ4,5を介して放電する構成である。 (もっと読む)


【課題】プッシュ・プル接続された二つのスイッチ素子のON/OFFを切り換えること
によって生じる電力損失を抑制する。
【解決手段】プッシュ・プル接続された二つのスイッチ素子に対して並列に還流ダイオー
ドを設けておく。そして、何れのスイッチ素子もOFFの期間(デッドタイム期間)では
、ONにしようとする方のスイッチ素子に設けられた還流ダイオードに順方向電圧がかか
ったら、デッドタイム期間を終了して、一方のスイッチ素子をONにする。こうすれば、
二つのスイッチ素子の寄生容量での電荷の回生および充電が完了した後に、スイッチ素子
をONに切り換えることができるので、ONにしようするスイッチ素子の寄生容量に蓄え
られた電荷が、ONにしたスイッチ素子を流れて電力損失が発生することを回避すること
が可能となる。 (もっと読む)


【課題】消費電流の増加を抑制しつつ電源投入時にレベルシフタの状態を確定させる技術を提供する。
【解決手段】信号レベル変換部(11)と、安定化回路(12)とを具備するレベルシフト回路を構成する。安定化回路(12)は、第2電源電圧供給ノード(ND1)と接続ノード(ND2)との接続を制御する第1スイッチ(P3)と、接続ノード(ND2)電圧に応答して接地電圧供給ノード(GND)と出力ノード(ND3)との接続を制御する第2スイッチ(N3)とを備えることが好ましい。そして、第1スイッチ(P3)は、第2電源電圧(VDD)が、第1中間電圧を超えないときに、第2電源電圧供給ノード(ND1)と接続ノード(ND2)とを接続する。また、第2スイッチ(N3)は、第2電源電圧供給ノード(ND1)の電圧に応答して、出力ノード(ND3)と接地電圧供給ノード(GND)とを接続する。 (もっと読む)


【課題】入手困難なリレーを複数使用した制御基板のいずれかのリレーが故障すると、通常であれば制御基板を新たな制御基板と交換することによって修理を行うが、1個のリレーが故障しただけで、すべてのリレーを交換することになり、リレーの入手が困難なため修理自体が困難になるという問題が生じる。
【解決手段】故障したリレーの代わりとして機能する修理用リレーを備えた修理用基板を検査用コネクタに接続し、故障したリレーへのオンオフ指令を常時監視して、故障したリレーに対するオンオフ指令に連動して修理用リレーをオンオフさせるようにした。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用定電流回路121が故障して、IGBT110dのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路122の電流を調整する。これにより、IGBT110dのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路121が故障しても、IGBT110dの破損を抑えて駆動することができる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子をオンするために、スイッチング素子の制御端子に定電流を供給して電荷を充電するオン駆動用定電流回路の異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置12は、オン駆動用定電流回路121と、オフ駆動用回路122と、制御回路128とを備えている。オン駆動用定電流回路121は、電流制御用FET121aと、電流検出用抵抗121bとを有している。制御回路128は、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいて電流制御用FET121aを制御し、IGBT110dのゲートに定電流を流し込み、IGBT110dをオンする。オン駆動用定電流回路121の電流制御用FET121aや電流検出用抵抗121bが故障すると、それらに流れる電流や、それらに印加される電圧が変化する。そのため、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいてオン駆動用定電流回路121の異常を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】微小電気機械システム(MEMS)アレイを含む電力切替システムを提供すること。
【解決手段】切替システム(4)は、ダイオードブリッジを形成する複数のダイオードと、複数のダイオードに接近して結合された微小電気機械システム(MEMS)スイッチアレイ(12)とを含む。MEMSスイッチアレイ(12)は(M×N)アレイをなして電気的に接続される。(M×N)アレイは、第2のMEMSスイッチ脚部(44)に並列に電気的に接続された第1のMEMSスイッチ脚部(40)を含む。第1のMEMSスイッチ脚部(40)は直列に電気的に接続された第1の複数のMEMSダイを含み、第2のMEMSスイッチ脚部(44)は直列に電気的に接続された第2の複数のMEMSダイを含む。 (もっと読む)


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