【課題】回路用電源電圧としてむやみに高い電圧を用いることなく、シャント抵抗の低電位側端子の電圧がグランド電位付近となる異常が原因で生じる過電流を検出する。
【解決手段】検出電流出力部１１は、シャント抵抗Ｒｓの各端子電圧を入力し、その入力した電圧から負荷２に流れる電流に応じた検出電流を出力する。過電流判定部１２は、検出電流に基づいて負荷２に過電流が流れているか否かを判定する。検出電流出力部１１において、通常時に駆動用電源電圧Ｖｄに近い電圧が印加される部分と、回路用電源電圧Ｖｃに近い電圧が印加される部分との間の経路に第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２を逆方向に介在させることにより、第１トランジスタＴ１および第２トランジスタＴ２がブレークダウンして電流が流れることを阻止する。 （もっと読む）

【課題】スイッチ回路の誤動作の発生を防止する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、シリアル・パラレル変換回路は、第一の高電位側電源が供給され、シリアルデータ信号が入力され、パラレルデータ信号を生成する。電源回路は、第二の高電位側電源が供給され、第二の高電位側電源に基づいて第一の正電圧、第二の正電圧、及び負電圧を生成する。ドライブ回路は、第一の正電圧が電源として供給され、パラレルデータ信号が入力されるインバータと、第二の正電圧及び負電圧が電源として供給され、パラレルデータ信号及びインバータの出力信号が入力される差動型レベルシフタを含むレベルシフト回路が設けられ、第二の正電圧をハイレベルの信号としてスイッチ回路に出力し、負電圧をローレベルの信号としてスイッチ回路に出力する。 （もっと読む）

【課題】バッテリ逆接続でのリレー動作防止を実現するとともに、リレー回路の駆動電流経路の電圧降下を抑制する技術を提供する。
【解決手段】リレー装置１００では、電源電圧ＶｂａｔｔからグランドＧＮＤに向けて、逆流防止回路１５０、リレー駆動回路１１０及びリレー回路ＲＬＹが直列に配置されている。逆流防止回路１５０は、ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とを備えている。ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とは並列に接続されており、順方向が同じである。 （もっと読む）

【課題】電圧変動の少ない電源切り換えを確実に行うことができる電源切換装置を提供する。
【解決手段】第２電源が接続される第２電源接続部、第２電源の電圧よりも高い電圧の第１電源が接続される第１電源接続部、負荷回路が接続される電源出力部、定電圧回路の出力端子と電源出力部とを接続するダイオード、第１電源接続部とダイオードとの間に挿入され第１電源の電圧を第２電源の電圧よりもダイオードの順方向電圧降下分高い電圧まで降圧する定電圧回路、第２電源接続部と電源出力部との接続をオン／オフするＭＯＳスイッチと、第１電源接続部から電源が供給され、第２電源接続部または電源出力部の電圧と定電圧回路の出力電圧とを比較し、定電圧回路の出力電圧が第２電源接続部または電源出力部の電圧よりも高いとき、第１電源の電圧をＭＯＳスイッチに導通することによってＭＯＳスイッチをオフする比較回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段３０は、ドライバ回路２５の終段トランジスタＴＲの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタＴＲの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器１に与える駆動信号Ｄの直流電圧を変化させて、駆動信号Ｄの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 （もっと読む）

【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第２のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第１及び第２のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第２のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が所定の電位以上になって所定時間後に出力が解除状態になった後は定電流源の電流を流さないようにして消費電流を抑える遅延付き低電圧検出回路を実現する。
【解決手段】 電圧比較回路（１３）により検出対象の電圧が所定の電圧値以下になったことを検出した場合には出力状態を直ちに変化させ、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以上になったことを検出した場合には電流回路（１４）により決まる遅延時間後に出力状態を変化させる低電圧検出回路において、電流回路は、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以下になったことを検出した場合には、定電流源の電流を遮断する状態とし、電圧比較回路により検出対象の電圧が所定の電圧値以上になったことを検出した場合には、定電流源の電流を流す状態として電流回路によるコンデンサの充電を開始させ所定遅延時間後に定電流源に流れる電流を遮断するように構成した。 （もっと読む）

【課題】安定動作させながら、ＲＦパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるＲＦパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路２１は、ｎ型からなる第１、第２、第３のＦＥＴ２１１，２１２，２１３を備える。第１、第３のＦＥＴ２１１，２１３のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第１のＦＥＴ２１１のドレインは、第２のＦＥＴ２１２のゲートに接続し、第２のＦＥＴ２１２のドレインには、駆動電圧Ｖｄｓが印加される。第２のＦＥＴ２１２のソースと第３のＦＥＴ２１３のドレインは接続され、接続点がパワーＦＥＴ３１のドレインに接続されている。第２のＦＥＴ２１２のゲートソース間には、第２のＦＥＴ２１２がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ２１５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のターンオン直後における、過電流保護回路の誤動作防止と過電流検出遅れ防止とを両立させる。
【解決手段】半導体装置は、スイッチング素子１のセンス端子に流れるセンス電流を電圧（センス電圧）に変換するセンス抵抗４と、センス電圧が閾値を越えたときにスイッチング素子１の保護動作を行う過電流保護回路３とを備える。過電流保護回路３は、上記閾値を、第１基準電圧Ｖ_REF1またはそれよりも低い第２基準電圧Ｖ_REF2に切り替えることができる。過電流保護回路３は、スイッチング素子１が定常状態のときは、上記閾値を第２基準電圧Ｖ_REF2とし、スイッチング素子１のターンオン直後のミラー期間のときは、上記閾値を第１基準電圧Ｖ_REF1に設定する。 （もっと読む）

【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチＱ１とノーマリオフ型のローサイドスイッチＱ２との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路１０と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段Ｄ２と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサＣ２と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部Ａ１，ＡＮＤ１，Ｑ３，Ｑ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２と、ハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２のゲートを相補に駆動する２つの駆動回路２１、２２とを具備する。ハイサイドトランジスタ１１はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ１２は、ノーマリオン型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】制御電源電圧が低下した場合においても、半導体デバイスの熱破壊を防止することが可能なパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１００は、半導体デバイス１０のＩＧＢＴ１１を駆動する駆動回路２０と、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流がトリップレベルに達したときにＩＧＢＴ１１の保護動作を行う保護回路３０と、駆動回路２０に供給される制御電源電圧Ｖ_Dを検出する制御電源電圧検出回路４０とを備える。保護回路３０は、制御電源電圧Ｖ_Dが所定値よりも低くなると、センス抵抗を抵抗Ｒ₁から抵抗Ｒ₁，Ｒ₂の直列回路に切り替えることで、トリップレベルを下げる。 （もっと読む）

【課題】駆動に適した推奨値からずれた電気的特性を持つ負荷を駆動した場合でも誤検出を極力防止する。
【解決手段】しきい値生成回路１１は、抵抗１３、１４にしきい値生成電流ＩTH、ＩTLを流してしきい値電圧ＶTH、ＶTLを生成し、コンパレータ１２はシャント抵抗７の検出電圧Ｖａと比較して過電流検出信号Ｓｃを得る。しきい値補正回路１７は、平均負荷電流、負荷電流の交流変化分、電源電圧ＶＢが大きいほどしきい値電圧ＶTH、ＶTLを増やし、負荷４の温度が低いほどしきい値電圧ＶTH、ＶTLを増やす。 （もっと読む）

【課題】負荷電流検出手段により検出された負荷電流を用いてリーク故障を確実に検出する。
【解決手段】駆動回路３３ａ、３３ｂの出力端子Ｔａ２、Ｔｂ２から電源線６に至る還流経路内にシャント抵抗９ａ、９ｂを接続し、電源線５と給電分岐点Ｎｓとの間に共通のシャント抵抗２４を接続する。駆動制御回路３２は、ＭＯＳＦＥＴ７ａ、７ｂをＰＷＭ駆動し、負荷電流検出回路１２ａ、１２ｂから負荷電流Ｉａ、Ｉｂを入力し、総電流検出回路２３から総電流Ｉｓを入力する。検出負荷電流Ｉａ、Ｉｂに対しそれぞれ対応するＰＷＭ駆動信号のオフ駆動期間をマスク処理し、マスク処理した検出負荷電流Ｉａｍ、Ｉｂｍを加算した加算電流Ｉｃｍと検出総電流Ｉｓとを比較する。両者が等しい場合には正常状態と判定し、異なる場合にはショート故障またはリーク故障が生じたと判定する。 （もっと読む）

【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部１１と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部１２と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧状態を検出し、システムへの通知やシステムの停止等を行う電源電圧検出回路において低電源電圧時の誤動作を回避する電源電圧検出回路を提供する。
【解決手段】基準電圧Vrefを生成する回路200の出力にプルアップ回路250を設け、基準電圧Vrefを生成する回路200を電源電圧VE(100)までプルアップする。さらに、R1(341),R2(342)から成る検出抵抗に直列にスイッチS1(347)を設け、基準電圧Vrefを生成する回路200によって、上記スイッチS1(347)をオン/オフする。そうしておいて低電源電圧時に上記プルアップ回路250により基準電圧Vref(225)を上記電源電圧VE(100)までプルアップさせると共に、上記スイッチS1(347)をオフし分圧値VI(345)を強制的に低下させることで、Vref>VIの状態を保持し、比較器330からの誤信号出力を回避する。 （もっと読む）

【課題】従来の電流駆動型半導体スイッチ８の駆動回路は、駆動回路における電力損失を抑制するためにスイッチやスイッチを制御するための手段が必要となり部品点数が増える。
【解決手段】電源１と電流駆動型半導体スイッチ８のベース又はゲート端子の間に接続される負の温度特性を有する第１の可変抵抗１０と、前記電流駆動型半導体スイッチ８のコレクタ又はドレイン電流による動作損失により過熱される熱伝導部１１を備え、前記第１の可変抵抗１０を前記熱伝導部１１により熱が供給されるように配置する。
本発明により、簡単な構成で部品点数を増やすことなく駆動回路における電力損失を抑制することができる。 （もっと読む）