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Fターム[5J055GX05]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 回路の表現形式 (6,945) | アナログ波形図 (525)

Fターム[5J055GX05]に分類される特許

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【課題】 広帯域無線通信を行う送信機に用いられ、電源変換効率を向上させると共に、電圧レベル切替の遷移時間の影響を低減し、出力信号の歪特性を改善することができる電源回路を提供する。
【解決手段】 入力信号をプッシュプル増幅方式で増幅するプッシュプル増幅部と、制御信号によりプッシュプル増幅部に提供する電源電圧の電圧レベルを可変とする可変電源部と、入力信号に基づいて電源電圧の電圧レベルを制御する制御信号を出力するスイッチ制御部83′と、入力信号を特定の時間遅延させるタイミング制御部121を備え、スイッチ制御部83′が、制御信号の立ち上げの場合に、タイミング制御部121での遅延時間に対して電圧レベル切り替えの遷移時間に応じた早いタイミングで制御信号を立ち上げ、立ち下げの場合には遅延時間のタイミングで立ち下げる電源回路としている。 (もっと読む)


【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Voutとの間に設けられ、電源電圧VDD〜接地電圧VSS間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタMP11と、低電位側電源端子と外部出力端子Voutとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタMN11と、電源電圧VDDより低く接地電圧VSSより高い中間電圧VMLが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタMP11のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタMP11のゲート電圧と中間電圧VMLとの電圧差に基づいて出力トランジスタMP11のゲートをクランプするクランプ用トランジスタMP12と、を備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路を提供する。
【解決手段】ローサイドゲート駆動回路2から正極性の電圧が出力されるとハイサイドゲート駆動回路1は0Vを維持または負極性の電圧を出力し、ローサイドゲート駆動回路2からの出力が0Vまたは負極性の電圧を出力する時はハイサイドゲート駆動回路1から正極性の電圧が出力されるように制御を行なう。ハイサイドスイッチング素子5のゲート・ソース間にNchノーマリーオン型補助スイッチング素子13のドレイン・ソースを接続し、トランス15の1次側をゲート駆動回路1の出力に接続し、2次側をNchノーマリーオン型スイッチング素子13のゲート・ソース間に接続し、ローサイドスイッチング素子6側もトランス及びNchノーマリーオン型スイッチング素子をハイサイドと同様に接続して電力変換回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインLSに、サブ電源101側をソースとして第1MOSFET102を直列に接続し、第1MOSFET102のドレインにドレインを接続させて第2MOSFET103を直列に接続する。制御ユニット200内のサブ電源供給ラインLSにも、サブ電源101側をソースとして第3MOSFET202を直列に接続し、第3MOSFET202のドレインにドレインを接続させて第4MOSFET203を直列に接続し、第1〜第4MOSFETを制御することで、サブ電源101の電力を負荷201に対して供給する。各MOSFETのドレイン電圧、及び、第2MOSFET103と第3MOSFET202との間の電圧をモニタし、MOSFETの故障及びサブ電源供給ラインLSの故障を診断する。 (もっと読む)


【課題】簡略化された回路構成でノイズ低減効果を持つ多相駆動型の昇圧回路を実現する。
【解決手段】昇圧回路は、所定周期のクロック信号を出力する発振回路と、前記クロック信号の1本の配線に直列接続され、トータル遅延時間が前記所定周期よりも長い複数の遅延回路と、前記複数の遅延回路に対応して前記1本の配線に接続された複数の分割昇圧回路と、を含む。 (もっと読む)


【課題】大型化することなく、アーム短絡および損失増大の問題を解消したスイッチング電源装置を構成する。
【解決手段】ローサイドスイッチング制御部81は、ローサイドスイッチング素子(Q1)へ駆動電圧信号を出力している期間にトランスの巻線電圧の極性反転を検出したときに、遅延時間(td1)の後にローサイドスイッチング素子(Q1)をターンオフさせるローサイドターンオフ回路を備え、ハイサイドスイッチング制御部61は、トランスの巻線電圧の極性が反転してからハイサイドスイッチング素子(Q2)をターンオンさせるまでの時間(td2)を遅延させる。そして、ローサイドターンオフ遅延回路の遅延時間(td1)はハイサイドターンオン遅延回路の遅延時間(td2)よりも短く設定されている。 (もっと読む)


【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段30は、ドライバ回路25の終段トランジスタTRの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタTRの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器1に与える駆動信号Dの直流電圧を変化させて、駆動信号Dの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 (もっと読む)


【課題】動作時の貫通電流を低減させ、かつ動作スピードをあまり損なわないチョッパ型コンパレータを得る。
【解決手段】インバータと接地電圧端子間にNチャネル型MOSトランジスタ8を接続し、そのゲート端子に可変電圧源9を接続する。インバータと電源電圧端子間にPチャネル型MOSトランジスタ7を接続し、そのゲート端子に可変電圧源10を接続する。 (もっと読む)


【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第2のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第1及び第2のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第2のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】互いにオンオフ状態が反転するように制御すべき2つのスイッチング素子の特性に応じて容易にデッドタイムを調整可能なスイッチ制御装置を提供する。
【解決手段】互いにオンオフ状態が反転するように制御する第1及び第2のスイッチング素子を備えるスイッチ制御装置であって、前記第1及び第2のスイッチング素子の内、一方のスイッチング素子に出力する制御信号をオフレベルに切替えた時点から、コンデンサの容量で設定される設定期間後に他方のスイッチング素子に出力する制御信号をオンレベルに切替える信号を出力する制御信号生成回路を備える。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成により誤動作を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】パワー素子Q1とパワー素子Q2がトーテムポール接続されている。駆動回路1が入力信号INに応じてパワー素子Q2を駆動し、駆動回路2が入力信号/INに応じてパワー素子Q1を駆動する。駆動回路1は、電源に接続された高圧端子と、低圧端子とを有する。抵抗R1の一端がパワー素子Q2のエミッタに接続され、抵抗R1の他端が駆動回路1の低圧端子に接続されている。スイッチング素子Q3が駆動回路1の高圧端子と抵抗R1の一端との間に接続されている。スイッチング素子Q3は入力信号INに応じてオン・オフする。入力信号INがオフ信号の場合に、駆動回路1は低圧端子の電圧VGNDをパワー素子Q2のゲートに供給してパワー素子Q2はオフする。入力信号INがオフ信号の場合に、スイッチング素子Q3はオンする。 (もっと読む)


【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチQ1とノーマリオフ型のローサイドスイッチQ2との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路10と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段D2と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサC2と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部A1,AND1,Q3,Q4とを備える。 (もっと読む)


【課題】ターンオフスイッチング時に発生するノイズとスイッチング損失のトレードオフ特性を改善する。
【解決手段】半導体素子をターンオフさせるとき、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧がコレクタ・エミッタ間に印加された直流電圧に達するまでは、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を大きくし、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧が直流電圧に達した後は、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を小さくする。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子のターンオン直後における、過電流保護回路の誤動作防止と過電流検出遅れ防止とを両立させる。
【解決手段】半導体装置は、スイッチング素子1のセンス端子に流れるセンス電流を電圧(センス電圧)に変換するセンス抵抗4と、センス電圧が閾値を越えたときにスイッチング素子1の保護動作を行う過電流保護回路3とを備える。過電流保護回路3は、上記閾値を、第1基準電圧VREF1またはそれよりも低い第2基準電圧VREF2に切り替えることができる。過電流保護回路3は、スイッチング素子1が定常状態のときは、上記閾値を第2基準電圧VREF2とし、スイッチング素子1のターンオン直後のミラー期間のときは、上記閾値を第1基準電圧VREF1に設定する。 (もっと読む)


【課題】PVT変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードPCODE<0:2>,NCODE<0:2>の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードEM_PCODE<0:1>,EM_NCODE<0:1>を生成するコード生成部360と、出力データP_DATA,N_DATAを受信してデータ出力パッドDQに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部311〜313,321〜323と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部314〜315,324〜325とを備える。 (もっと読む)


【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路10は、圧電センサ2の受信信号SP及びSNを増幅するアンプ15と、圧電センサ2の一端とアンプ15の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ11a及び11b(ないしは12a及び12b)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ソレノイドに流れる電流を検出するタイミングと、PWM信号を出力するタイミングとのずれを抑制可能なソレノイドの通電制御装置を提供する。
【解決手段】ソレノイドの通電制御装置100は、ソレノイド50に流れる電流の電流値の取得用の電流取得用タイマ10と、当該電流取得用タイマ10の計数結果に基づいて、ソレノイド50の通電を制御するスイッチング素子51を駆動するPWM信号の1周期内において予め設定された回数だけ電流値を取得する電流値取得部11と、PWM信号の出力用のPWM制御用タイマ20と、1周期内に取得された電流値に基づき、次の1周期にスイッチング素子51に通電する通電時間を設定し、当該設定した通電時間に応じたPWM信号を出力するPWM制御部21と、PWM制御用タイマ20の計時結果に基づき、電流取得用タイマ10の計時値を更新する計時値更新部41と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチQ1と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ110と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ111と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部112と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部113を備える。 (もっと読む)


【課題】駆動に適した推奨値からずれた電気的特性を持つ負荷を駆動した場合でも誤検出を極力防止する。
【解決手段】しきい値生成回路11は、抵抗13、14にしきい値生成電流ITH、ITLを流してしきい値電圧VTH、VTLを生成し、コンパレータ12はシャント抵抗7の検出電圧Vaと比較して過電流検出信号Scを得る。しきい値補正回路17は、平均負荷電流、負荷電流の交流変化分、電源電圧VBが大きいほどしきい値電圧VTH、VTLを増やし、負荷4の温度が低いほどしきい値電圧VTH、VTLを増やす。 (もっと読む)


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