【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な
振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路１５０および差動回路１
６０を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ１０５、１０６を介して差動回路１
６０に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場
合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能
とする。 （もっと読む）

【課題】小面積化、低コスト化を図ることが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】制御回路５０は、Ｉ／Ｏ方向レジスタ５から出力される値を信号５０ａとして出力し、信号５０ａに応じて、プルアップ許可レジスタ４から出力される値とＩ／Ｏレジスタ６から出力される値とのいずれかを選択して信号５０ｂとして出力する。ＡＮＤ回路１３は、電源制御部２０から出力される信号２１と制御回路５０から出力される信号５０ａとの論理和を演算して出力する。ＡＮＤ回路１４は、電源制御部２０から出力される信号２１と制御回路５０から出力される信号５０ｂとの論理和を演算して出力する。トライステートバッファ１６は、ＡＮＤ回路１３および１４から出力される値に応じて、電極１９に接続される外部のデバイスを駆動する。したがって、レベル変換（ＡＮＤ）回路の数を削減することができ、半導体装置の小面積化、低コスト化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な
振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路１５０および差動回路１
６０を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ１０５、１０６を介して差動回路１
６０に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場
合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能
とする。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト基準電位が下がった場合にスイッチング素子を安全且つ確実に停止できるレベルシフト回路。
【解決手段】レベルシフト電源に接続された抵抗R1にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN3、R1と同じ抵抗値を有しレベルシフト電源に接続された抵抗R2にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN4、入力信号に基づきMN3,MN4のオン／オフを制御するパルス生成回路10、MN3がオンである場合にセット信号を生成しMN4がオンである場合にリセット信号を生成する制御部MN1,MN2,R5,R6、制御部で生成されたセット信号とリセット信号とに基づき入力信号をレベルシフトした出力信号を出力しスイッチング素子Q1を動作させるフリップフロップFF1、レベルシフト基準電位が負電位に下がったことを検出してスイッチング素子を停止させるスイッチング動作停止部INV3,FF2,AD1を備える。 （もっと読む）

【課題】低いデューティサイクル歪み及び高い電源電圧マージンの高速レベルシフティング回路を提供する。
【解決手段】レベルシフタ１００は、反転回路１０４と、クロス接続されたレベルシフティングラッチ１０２と、ＳＲロジックゲートラッチ１０３とを含み、レベルシフティングラッチ１０２の第１、第２出力は、ＳＲロジックゲートラッチ１０３のセット（Ｓ）入力ノード１２１およびリセット（Ｒ）入力ノード１２０に接続され、反転回路１０４は、レベルシフティングラッチ１０２の第１入力ノード１１２に非反転の信号を供給すると共に、第２入力ノード１１３に反転の信号を供給し、入力信号のロウからハイへの変化はＳＲロジックゲートラッチ１０３をリセットし、ハイからロウへの変化はＳＲロジックゲートラッチ１０３をセットするように構成されている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化を図る。
【解決手段】入力側電源３と１次側回路１との間にスイッチ部６を設け、従来は１次側回路１の入力信号端子ＴINに与えるようにしていた入力信号ＤINをスイッチ部６へ与えるようにし、入力信号ＤINのレベルに応じてスイッチ部６のオン／オフを行わせるようにする。また、入力信号端子ＴINには入力信号ＤINに代えて、１次側回路１への電源電圧ＶＤＤ１の供給遮断時に強制的に固定される２次側回路２からの出力信号ＤOUTのレベルとは逆のレベルの信号（出力信号「Ｈ」強制固定の場合は「Ｌ」レベルの信号、出力信号「Ｌ」強制固定の場合は「Ｈ」レベルの信号）を与えるようにする。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とし、回路動作の確実性、安定性の向上を図った正負電圧論理出力回路を提供する。
【解決手段】論理入力と負電圧との間に、ゲートに論理入力するエンハンスメント型Ｐ型電界効果トランジスタＥＰＦＥＴ１とブレークダウン保護用素子１３，１４とが直列に接続され、ブレークダウン保護用素子１４に並列に短絡する切替スイッチ８ａが接続される。切替スイッチ８ａをオン、オフ制御することで、ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる動作ウィンドウの拡張を可能とする。 （もっと読む）

【課題】低振幅の入力信号を高速に高振幅信号に変換するレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】第１及び第２の出力端子の一方を第１電圧レベルに設定する第１のレベルシフト回路１０と、第２の電圧端子と、前記第１及び第２の出力端子との間に接続され、前記第１及び第２の出力端子の他方を第２電圧レベルに設定する第２のレベルシフト回路２０と、第１の制御信号に基づき、第１及び第２の入力信号が第１及び第２の入力端子に入力される時点で前記第２電圧レベルとされる一つの出力端子について、前記一つの出力端子と第２の給電端子間の電流経路を、前記第１及び第２の入力信号が前記第１及び第２の入力端子に入力される時点を含む所定期間、切断し、前記所定期間の後、前記一つの出力端子と前記第２の給電端子間の電流経路の切断を解除する制御を行う手段を備え、前記第１及び第２の出力端子の出力振幅は、前記第１及び第２の入力信号の振幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができ、且つ低
コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供すること
を目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信
号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型
のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のＨレベルとＬ
レベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単
一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することが
できる。 （もっと読む）

【課題】伝播遅延時間を短縮する。
【解決手段】インバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２と、ラッチ回路１と、反転駆動回路２，３と、セレクタ４を備える。Ｎ１＝ＶＳＳ２、Ｎ２＝ＶＳＳ２、Ｎ３＝ＶＳＳ２、Ｎ４＝ＶＤＤ２のとき、入力端子ＩＮがＶＤＤ１→ＶＳＳ１に変化したとき、トランジスタＭＰ５をオンして大きな電流をＶＤＤ２からノードＮ１に流し高速にノードＮ１をＶＳＳ１→ＶＤＤ２に変化させる。その後、トランジスタＭＰ５はオフし、ノードＮ１はインバータＩＮＶ４でＶＤＤ２に保持される。これで、Ｎ１＝ＶＤＤ２、Ｎ２＝ＶＤＤ２、Ｎ３＝ＶＤＤ２、Ｎ４＝ＶＳＳ２となる。次に入力端子ＩＮがＶＳＳ１→ＶＤＤ１に変化したとき、トランジスタＭＮ２がオンして大きな電流をノードＮ１からＶＳＳ２に流し高速にノードＮ１をＶＤＤ２→ＶＳＳ２に変化させる。 （もっと読む）

【課題】より確実に信号を伝送することが可能なバススイッチ回路を提供する。
【解決手段】バススイッチ回路は、第１、第２の入出力端子間に接続されたバススイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第１の入出力端子と第１の電源電圧が印加される第１の電圧線との間に接続され、第１の制御信号により制御される第１のスイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第２の入出力端子と第２の電源電圧が印加される第２の電圧線との間に接続され、第２の制御信号により制御される第２のスイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第１の信号と、第２の信号とに基づいて、遅延信号を出力する遅延信号生成回路を備える。バススイッチ回路は、第１の信号、第２の信号、および、遅延信号に基づいて、第１および第２の制御信号を出力する制御信号生成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】断熱的回路動作により消費電力を抑制することができる回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、第１の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する第１の電源電圧ＶＰ、及び第２の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する第２の電源電圧ＶＭが供給されて断熱的回路動作を行う断熱的回路１００と、第１の直流電源電圧ＶＤＤ及び第２の直流電源電圧ＶＳＳが供給されて動作する非断熱的回路１２０と、断熱的回路１００と非断熱的回路１２０との間に設けられるラッチ回路２１０とを含む。ラッチ回路２１０は、断熱的回路１００からの出力信号Ｄ２を、第１の電源電圧ＶＰが極大となり第２の電源電圧ＶＭが極小となるタイミングに対して設定された第１のラッチ期間においてラッチし、出力信号Ｄ２のラッチ信号Ｑ２を非断熱的回路１２０に対して出力する。 （もっと読む）

【課題】処理装置の入出力パッドの端子数を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】処理装置２１のバス制御回路３４に含まれる入出力回路は、外部Ｉ／Ｆ２２と接続されるパッドに接続される。入力部は、パッドから入力される信号に応じた入力信号を出力する。この入力信号は、処理回路３１に供給される。パッドは、入力部の入力端子に接続され、出力端子は電源電圧ＶＤＤを伝達する電源配線に接続されている。入力部は、外部Ｉ／Ｆ２２のバス制御回路４４から入力されるＨレベルの信号の電圧を出力端子から出力する。従って、電源配線には、外部Ｉ／Ｆ２２から入力されるＨレベルの信号による電圧が供給される。 （もっと読む）

【課題】更なる消費電力低減および速度向上が可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路２Ａは、第１ＰＭＯＳトランジスタ３１、第２ＰＭＯＳトランジスタ３２、第１ＮＭＯＳトランジスタ４１および第２ＮＭＯＳトランジスタ４２を備える他、第３ＮＭＯＳトランジスタ４３および第４ＮＭＯＳトランジスタ４４をも備える。第１ＰＭＯＳトランジスタ３１および第２ＰＭＯＳトランジスタ３２それぞれのソース端子は、第１基準電位Vddlより高い第２基準電位Vddhに接続される。第３ＮＭＯＳトランジスタ４３および第４ＮＭＯＳトランジスタ４４それぞれのドレイン端子も第２基準電位Vddhに接続される。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路のデータレートの変化時に発生するスキューを抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、レベルシフト回路には第１及び第２のレベルシフタが設けられる。第１のレベルシフタは、第１乃至４のトランジスタが設けられ、レベルシフトされた第１の出力信号を出力する。第２のレベルシフタは、第５乃至８のトランジスタが設けられ、レベルシフトされた第１の出力信号とは逆位相の第２の出力信号を出力する。第１の入力信号が入力される第１のトランジスタと差動対をなす第２のトランジスタに、第１の入力信号とは逆位相のハイレベルの第２の入力信号が入力されると第３及び４のトランジスタも同時にオンする。第２の入力信号が入力される第５のトランジスタと差動対をなす第６のトランジスタに、ハイレベルの第１の入力信号が入力されると第７及び８のトランジスタも同時にオンする。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小を図りつつ、待機電流をカットオフすることが可能な出力回路を提供する。
【解決手段】出力回路は、第１の電源にソースが接続された出力ｐＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、第１の出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと接地との間に接続された出力ｎＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと前記出力ｎＭＯＳトランジスタのドレインとの間に接続された出力端子を備える。出力回路は、前記出力ｐＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第１のゲート制御信号を第１のゲート制御端子から出力する第１のレベルシフタ回路を備える。出力回路は、前記出力ｎＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第２のゲート制御信号を第２のゲート制御端子から出力する第２のレベルシフタ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ラッチ回路の初期値が確定可能であり、出力信号の立ち上がり／立ち下がり特性の対称性に優れたレベルコンバータを提供すること。
【解決手段】シフト回路１２のラッチ回路３１を構成する第１及び第２インバータ回路３２，３３の出力端子となるノードＮ１，Ｎ２とトランジスタＴｐ１，Ｔｐ２との間に初期値設定用のＭＯＳトランジスタＴｐ３，Ｔｐ４を挿入接続した。そして、ＭＯＳトランジスタＴｐ３のゲートをグランドに接続し、ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲートを初期値設定回路３４に接続した。初期値設定回路３４は、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベル以下の場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲート電位を第２の高電位電源ＶＤＥとグランドとの間の中間電位に制御し、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベルより高い場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４をオンするようそのゲート電位をグランドレベルに制御する。 （もっと読む）

【課題】回路面積を大きくせずに電源投入時の貫通電流を防止するレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】アシスト回路（２００）は、第１および第２スイッチ（Ｎ２１、Ｐ２１）と、電圧設定回路（３００）とを備える。第１および第２スイッチ（Ｎ２１、Ｐ２１）は、第１インバータ（１０１）の出力ノード（ＢＢ）と、レベルシフタ（１０４）の入力ノード（ＡＡ）との間に挿入され、第１電源電圧（ＶＤＤ１）に応答して回路を開閉する。第２電源電圧（ＶＤＤ２）に基づいて設定電圧を生成する。第１電源電圧（ＶＤＤ１）が供給される前に第２電源電圧（ＶＤＤ２）が供給されたときに、レベルシフタ（１０４）の入力ノード（ＡＡ）の電圧を設定電圧に設定する。 （もっと読む）

【課題】回路の誤動作や回路面積の増加を防止しつつ一部の回路の電源電圧を
遮断して消費電力を低減させることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チップ内部を複数の回路ブロック（１１，１２，１３……）に分
割するとともに、いずれかの回路ブロックへの電源電圧の供給を遮断可能に構成
し、電源電圧の供給を遮断可能な回路ブロックから他の回路ブロックへ出力され
る信号の経路上であって信号が分岐される前の位置に、信号の伝達を遮断可能な
信号ゲート手段（３１）と電源遮断直前の信号を記憶可能な記憶手段（３２）と
を含むブロック間インタフェース回路（３０）を設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】低コストで低電圧高速動作が可能なＩ／Ｏ回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】Ｉ／Ｏ回路において、Ｉ／Ｏ電圧ｖｃｃ（例えば３．３Ｖ）をｖｃｃ＿１８（例えば１．８Ｖ）へ低電圧化した場合に、速度劣化を引き起こす部分が、レベル変換部と、メインの大型バッファを駆動するためのプリバッファ部分であることに着目し、レベルアップコンバータＬＵＣとプリバッファＰＢＦの回路に高電圧（電圧ｖｃｃ）を印加することにより、低コストで低電圧高速動作が可能なＩ／Ｏ回路を実現する。 （もっと読む）