【課題】トランジスタ製造工程をｎｐｎ型の製造工程のみとして、使用可能な化合物半導体の自由度を高め、単相のデジタル信号により外部から出力透過／遮断を切替制御する。
【解決手段】トランジスタとしてｎｐｎ型を用いて構成し、入力バッファ１１で、外部入力された単相切替指示信号１０Ｓを、互いの位相が反転している差動切替指示信号１１Ｓに変換し、発生制御回路１３で、差動切替指示信号１１Ｓに基づいて、制御電圧発生回路１４における制御電圧ＶＣＳの発生を制御するための発生制御信号１３Ｓを出力し、制御電圧発生回路１４で、発生制御信号１３Ｓに基づいて、単相切替指示信号１０Ｓの論理に応じて電圧値が変化する制御電圧ＶＣＳを発生させて出力し、出力回路１５で、入力された差動入力信号ＩＮをインピーダンス変換し差動出力信号ＯＵＴとして出力し、制御電圧ＶＣＳに基づいて当該差動入力信号ＩＮの出力透過／遮断を切り替える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力なクロック入力インターフェース回路を提供する。
【解決手段】クロック入力インターフェース回路１は、インピーダンス整合・出力電圧調整抵抗Ｒ１１，Ｒ１３と、出力電圧調整抵抗Ｒ１２，Ｒ１４と、電流安定化抵抗Ｒ１５，Ｒ１６と、反射防止終端抵抗Ｒ１７と、ＤＣレベル阻止容量Ｃ１，Ｃ２と、ＲＦバイパス容量Ｃ３，Ｃ４と、電流源トランジスタＱ１，Ｑ２とから成る。クロック入力端子ＣＫにクロック信号を入力する伝送線路とインピーダンス整合し、かつ次段の回路の入力端子で必要とされるＤＣバイアス電圧を出力端子ＯＴ，ＯＣに与えることができるように、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ１７の値および容量Ｃ１〜Ｃ４の値が設定される。 （もっと読む）

【課題】高速なドライバ回路を提供する。
【解決手段】レベルスイッチ回路２０は、デジタルの入力信号ＩＮを受け、その値に応じた電圧レベルｖｉｈ、ｖｉｌを有するレベル信号ｓｉｇを生成する。バッファ回路３０は、レベル信号ｓｉｇを受け、それを出力端子７から出力する。バイアス電流生成回路４０は、一定レベルの直流成分ｉ＿ｄｃと入力信号ＩＮに応じて変動する変動成分ｉ＿ｄｙｎとを含むバイアス電流ｉ＿ｂｉａｓを生成し、バッファ回路３０へと供給する。バイアス電流生成回路４０は、入力信号ＩＮのエッジを検出し、エッジから所定期間Ｔｒ、Ｔｆの間、バイアス電流ｉ＿ｂｉａｓを所定量だけ増加させる。 （もっと読む）

【課題】出力振幅の変更が容易な出力回路を提供する。
【解決手段】出力回路は、入力端子ＩＮに入力信号が入力され、コレクタ端子が直列に接続された抵抗Ｒ１および抵抗Ｒ２を介して電源端子に接続されるトランジスタＱ２を含む増幅器１と、ベース端子がトランジスタＱ２のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の接続点に接続され、エミッタ端子が出力端子ＯＵＴに接続される第２のトランジスタを含む増幅器２と、を備え、出力端子ＯＵＴに接続される可変抵抗Ｒ３の抵抗値の変化に応じて出力信号の振幅が変化する。 （もっと読む）

【課題】低電圧時の信号振幅の確保とスルーレートの確保を可能とし、低消費電力化を可能にする信号出力回路の提供。
【解決手段】入力信号（ｉｎｐｕｔ）を入力しエミッタフォロワ構成の第１のトランジスタ（Ｑ１１）と、前記入力信号を入力し出力が外部負荷（１０６）に接続される、エミッタフォロワ構成の第２のトランジスタ（Ｑ８）と、エミッタフォロワ構成の第１、第２のトランジスタ（Ｑ１１、Ｑ８）のエミッタ出力を抵抗（Ｒ１、Ｒ２）を介して入力対に受けるコンパレータ回路（１０４）と、第１の電流源トランジスタ（Ｑ１３）の出力に入力が接続され、出力が第１のトランジスタ（Ｑ１１）のエミッタに接続された第１のカレントミラー回路（Ｑ９、Ｑ１０）と、第２の電流源トランジスタ（Ｑ１４）の出力とコンパレータ回路の出力の接続点に入力が接続され、出力が第２のトランジスタ（Ｑ８）のエミッタに接続された第２のカレントミラー回路（Ｑ６、Ｑ７）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 従来の信号出力回路においては、出力オフセット電圧のずれが発生する場合がある。
【解決手段】 信号出力回路１は、第１および第２のエミッタフォロア回路、およびコンパレータ２０を備えている。コンパレータ２０は、上記第１および第２のエミッタフォロア回路からの出力信号を入力し、それらの大小関係を比較した結果を出力する。このコンパレータ２０は、トランジスタＴ５（第５のトランジスタ）、トランジスタＴ６（第６のトランジスタ）、抵抗素子Ｒ３、およびカレントミラー回路３０を含んで構成されている。抵抗素子Ｒ３は、トランジスタＴ５およびトランジスタＴ６のエミッタ同士を接続している。トランジスタＴ５およびトランジスタＴ６のコレクタには、カレントミラー回路３０が接続されている。 （もっと読む）