【課題】絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造を有するトランジスタのスクリーニングを可能として、出力端子にサージ電圧が印加された場合のサージ電圧のエネルギー吸収能力を改善する。
【解決手段】集積回路ＩＣは、トランジスタ２を含む出力バッファ回路１００とプリドライバ３００とを具備する出力回路１０を内蔵する。出力バッファ回路１００の出力ＯＵＴは、ＩＣ外部と接続可能である。プリドライバ３００の出力はトランジスタ２の絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造の制御ゲートに接続され、ソース領域と基板領域は第１接地線Ｄ＿ＧＮＤに接続され、プリドライバ３００は第２接地線Ｌ＿ＧＮＤに接続される。第１と第２の接地線Ｄ＿ＧＮＤ、Ｌ＿ＧＮＤは第１と第２の接地端子ＰＡＤ＿Ｇ１、Ｇ２を介してＩＣ外部と接続可能とされる。出力回路１０は、第１と第２の接地線Ｄ＿ＧＮＤ、Ｌ＿ＧＮＤの間に接続された出力保護ダイオード１１を更に具備する。 （もっと読む）

【課題】ＯＮ状態とＯＦＦ状態のコントラスト（Ｈｉｇｈ／Ｌｏｗ比）が高く、消費電力が少なく、端子数および配線数が少ない回路を提供する。
【解決手段】半導体回路は、複数個のＮＯＴ回路が縦続接続され、最終段のＮＯＴ回路の出力端子と初段のＮＯＴ回路の入力端子とが接続されている。ＮＯＴ回路は、ゲート１１とソース１３とが一体構造で形成され、ゲート１０が入力端子３に接続され、ドレイン１２が出力端子５に接続され、ゲート１１およびソース１３がグランド端子６に接続されたインプレーンダブルゲートトランジスター１と、ゲート２０，２１およびソース２３が一体構造で形成され、ゲート２０，２１およびソース２３がインプレーンダブルゲートトランジスター１のドレイン１２に接続され、ドレイン２２がバイアス端子４に接続された自己バイアス型インプレーントランジスター２とから構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置４０は、正極４１及び負極４２と、正極４１と負極４２の間に配置される出力電極４３と、正極４１と出力電極４３を接続する正側スイッチング素子５１と、正極４１と出力電極４３を接続し、正側スイッチング素子５１とは電流を逆方向に流す正側ダイオード５２と、負極４２と出力電極４３を接続する負側スイッチング素子６１と、負極４２と出力電極４３を接続し、負側スイッチング素子６１とは電流を逆方向に流す負側ダイオード６２と、を備える。正極４１及び負極４２の電極厚さは、出力電極４３の電極厚さよりも薄く設定される。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路のｄｖ／ｄｔ等に起因するコモンモードノイズによる誤判定を抑制し、ロバスト性の高いスイッチング素子駆動回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路のオフセットが設けられたセット用負荷の信号レベルとリセット用負荷との信号レベルとを比較し、セット用負荷のレベルがリセット用負荷のレベルに比べ前記オフセットより低くなったことを判定して前記セットパルスを検出する （もっと読む）

【課題】ほぼ１つの面内に形成された駆動電極と感知電極とを備えた高電圧駆動回路を提供する。
【解決手段】装置は、駆動回路と感知回路との間の信号の転送を、駆動電極および感知電極を介して容量性手段によって行い、かつＩＧＢＴなどの高電圧装置を高電圧トランジスタを使用せずに駆動することが可能にされ、これにより高電圧ゲート駆動回路及びＩＣを製造する場合、ＳＯＩなどの高価な製造工程を使用する必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路を備える表示装置において、レベルシフト動作の信頼性を向上させる。
【解決手段】前記レベルシフト回路は、半導体層がポリシリコン層で構成される第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタの第２電極に接続される波形整形回路と、前記第１薄膜トランジスタの第２電極と、基準電源との間に接続される定電流源とスイッチ素子とを有し、前記第１薄膜トランジスタの制御電極にはバイアス電圧が入力され、前記第１薄膜トランジスタの第１電極には入力信号が入力される。 （もっと読む）

電力段及びドライバ段を含み、全ての段がIII族窒化物電力デバイスを用いる集積回路。
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【課題】電気機器において、２次側の電源を遮断することで機器の消費電力を削減した電気機器を提供することを目的としている。
【解決手段】機器を運転、停止するためにマイコン１とマイコン１に電源供給するためのスイッチング電源２と、マイコン１とスイッチング電源２を電気的に接続、遮断するためのトランジスタ３を備え、トランジスタ３でマイコン１の電源を遮断して、機器の消費電力を下げることができ、マイコン１の電源を遮断した状態から通常の操作で運転動作が可能である。 （もっと読む）

【課題】片チャネル構成のブートストラップ方式インバータを用いて負方向レベルシフタを構成する場合に、Ｈｉレベル、Ｌｏレベルともに振幅落ちを防ぎ、十分なレベルの出力を得る。
【解決手段】レベルシフト回路１０は、同一導電型ＴＦＴを用いたブートストラップ方式の負方向レベルシフタ３００の後段に、ブートストラップ方式のバッファ２４０ａおよび２４０ｂを備え、さらにその後段にブートストラップ方式のバッファ２４０ｃを備える。レベルシフタ３００は２入力２出力の形式であり、バッファ２４０ａ、２４０ｂ、および２４０ｃは２入力１出力の形式である。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のスイッチング動作時における寄生インダクタンスを低減し、小型化、低コスト化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】正極電極１と負極電極２との間に、ＦＷＤ１２を並列接続したＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１４を並列接続したＩＧＢＴ１３とを直列に接続し、２個のＩＧＢＴ１１，１３の接続点から電力を出力電極３へ出力する半導体装置として、正極電極１と出力電極３とを隣接させ、負極電極２を出力電極３の上側に配置し、正極電極１、負極電極２それぞれの外部接続部を出力電極３の外部接続部と対向する位置に平行に隣接させ、ＩＧＢＴ１１、ＦＷＤ１２を正極電極１上に配置し、ＩＧＢＴ１３、ＦＷＤ１４を、ＩＧＢＴ１１、ＦＷＤ１２と負極電極２を挟んだ位置にある出力電極３上に配置する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が単純であり、且つ特性が向上したＤ−インバータ構造を提供する。
【解決手段】本発明は、プラスチック基板に有機半導体を用いてインバータ回路を作製する際、しきい電圧を位置別に制御するため、エンハンスメントタイプ特性を示すボトムゲート有機半導体トランジスタをドライバトランジスタに使用し、空乏タイプ特性を示すトップゲート有機半導体トランジスタを負荷トランジスタに使用する構造及び製造方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】ドライバ手段が表面実装型の場合であってもドライバ手段の出力を測定することのできる配線基板と画像形成装置とを提供することにある。
【解決手段】絶縁基板上に形成された第１,第２信号線路２１,２２からなる伝送線路２０を備え、絶縁基板上に実装されるドライバ手段から逆位相の２相の信号を第１,第２信号線路２１,２２を介してレシーバ手段に伝送する配線基板であって、第１,第２信号線路２１,２２の途中に、前記ドライバ手段の動作を測定するための第１,第２測定パッド部２３,２４を形成し、この第１,第２測定パッド部２３,２４は、第１,第２信号線路２１,２２間の間隔より大きく離間され且つ第１,第２信号線路２１,２２の線幅より大きい線幅を有し、第１,第２測定パッド部２３,２４と第１,第２信号線路２１,２２とを第１,第２接続線路２５,２６で接続し、第１,第２測定パッド部２３,２４のインピーダンスと、第１,第２信号線路２１,２２のインピーダンスとをほぼ同一に設定した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、閾値電圧の異なるトランジスタで構成され、電源電圧及び基板バイアス電圧が供給される半導体集積回路及びその電力低減方法に関し、閾値電圧の異なるトランジスタを有し、速度性能を維持した上で消費電力を最小にすることができる半導体集積回路及びその電力低減方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路１は、低閾値トランジスタ及び高閾値トランジスタで構成されたメイン回路１３と、混在比ｘ_０及び特定定数α、β、ａ、ｂに基づいてリーク電流を算出するリーク電流算出モジュール９と、当該リーク電流とスイッチング電流算出回路１１で算出されたスイッチング電流との比の値と、速度性能を維持した上で消費電力が最小となる規定値との比較結果に基づいて、電源電圧及び基板バイアス電圧の電圧値を制御する制御モジュール１５とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セットパルスとリセットパルスの誤発生による誤動作防止機能を向上させた、スイッチングデバイスの駆動回路の提供を目的とする。
【解決手段】トランジスタ３０をターンオンさせるためのパルス状のセット電圧を出力するセット側レベルシフト回路と、トランジスタ３０をターンオフさせるためのパルス状のリセット電圧を出力するリセット側レベルシフト回路と、セット電圧の入力時にセット状態となってトランジスタ３０をターンオンし、リセット電圧の入力時にリセット状態となってトランジスタ３０をターンオフするラッチ回路と、ラッチ回路に入力されるセット電圧とラッチ回路に入力されるリセット電圧との同論理部分を除去する同相除去フィルタ１２，１３とを備え、リセット側レベルシフト回路の出力特性である時定数がセット側レベルシフト回路の出力特性である時定数より大きいことを特徴とする、スイッチングデバイスの駆動回路。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成でレベルシフト回路に対する浮遊インダクタンス成分の影響を排除でき、レベルシフト回路の誤動作等を防止できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置は、ハーフブリッジ型パワーデバイス回路１０５と、第１および第２の駆動回路１０６，１０７と、第１および第２の駆動回路の入力側部分に共通に設けられるレベルシフト回路１１３と、第１および第２の電源と、レベルシフト回路内で逆サージ現象に起因する電流が流れるのを阻止する阻止ダイオード２１を備える。阻止ダイオードは、高電位側スイッチング半導体素子１０２等がターンオフした時、高電位側スイッチング半導体素子の浮遊インダクタンス成分等から流れ出る電流が、レベルシフト回路内で第１駆動回路側部分から第２駆動回路側部分へ流れるのを阻止する。 （もっと読む）

【課題】サブスレッショルドリークを伴うＣＭＯＳ回路を複数含む回路ブロックでは、ＣＭＯＳ回路のＰチャネルＭＯＳまたはＮチャネルＭＯＳの何れかにおいてゲート・ソース間電圧を静的に０Ｖとしても回路ブロック全体として有意なリーク電流がながれ、低消費電力化が困難となると共に動作電圧を低電圧化した場合の安定動作が困難になる。
【解決手段】サブスレッショルドリークを伴うＣＭＯＳ回路を複数含む回路ブロックに対して動作モードを定め、動作モードに応じて回路ブロックへの動作電圧の供給と停止を制御する。また、回路ブロックは、３重に形成されたウェル内に形成される。
【効果】ＣＭＯＳ回路の低消費電力化が図られると共に安定動作が実現できる。この効果は、動作電源電圧が低く、きわめて集積度の高いＣＭＯＳ回路における低消費電力化に顕著である。 （もっと読む）