【課題】ＰＶＴ変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードＰＣＯＤＥ＜０：２＞，ＮＣＯＤＥ＜０：２＞の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードＥＭ＿ＰＣＯＤＥ＜０：１＞，ＥＭ＿ＮＣＯＤＥ＜０：１＞を生成するコード生成部３６０と、出力データＰ＿ＤＡＴＡ，Ｎ＿ＤＡＴＡを受信してデータ出力パッドＤＱに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部３１１〜３１３，３２１〜３２３と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部３１４〜３１５，３２４〜３２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第１パワーゲーティングセルと、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つと連結される少なくとも１つの第２パワーゲーティングセルと、第２パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第３パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第３パワーゲーティングセルのうち、先端の第３パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第４パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つ、第２及び第３パワーゲーティングセルを経て第４パワーゲーティングセルに伝達され、第１ないし第４パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 （もっと読む）

【課題】集積回路において電力消費量を容易に低減する。
【解決手段】集積回路は、クロック分配回路、同期動作回路、論理回路、および、電源供給部を備える。クロック分配回路は、所定のタイミングを指示するクロック信号を分配する。同期動作回路は、クロック信号に同期して動作する。論理回路は、同期動作回路の動作結果に基づいて所定の論理演算を実行する。電源供給部は、クロック分配回路を駆動させるクロック分配回路駆動電圧より低い電圧を論理回路に論理回路駆動電圧として供給する。 （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧レベルの遷移の方向に応じて、電源線や接地線を通らず寄生インダクタンス成分の影響を受けない電流を加算して信号の電圧レベルの遷移をアシストすることにより、ＳＳＯノイズを抑制することが可能な電子回路および実装基板の制御方法を提供すること。
【解決手段】出力回路１は、出力バッファ４と、出力バッファ４から出力される出力信号が伝搬する出力線と、出力バッファ４に電源を供給する電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬの少なくとも何れか一方と、出力線と電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬとにより囲まれる磁心５０と、磁心５０に巻回される制御コイル５１と、出力信号の遷移を前もって検出し検出結果に応じて制御コイル５１への電流供給を制御するコイル電流制御回路３とを備え、出力信号の遷移方向に応じて、制御コイル５１からの電磁誘導により出力線の信号遷移をアシストするアシスト電流を流す。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制し、低消費電力化を実現するフラッシュ型ＡＤ変換器を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態によると、第１のＣＭＯＳ回路と、共通するローティングゲートを有し、３個のゲートが前記フローティングゲートに配置され、アナログ入力電圧を入力する端子と前記第１のＣＭＯＳ回路とに並列に接続する２^ｎ−１−１個（ｎは３以上の整数）のニューロンＣＭＯＳ回路と、を備える量子化出力部と、前記量子化出力部から出力される量子化出力電圧を演算するエンコード部と、前記量子化出力部又は前記エンコード部に接続するｎ個のデジタル変換出力端子と、を備えることを特徴とするニューロンＣＭＯＳ回路を備えるフラッシュ型アナログ−デジタル変換器が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハイレベルの入力信号に混入されたローレベルのノイズ及びローレベルの入力信号に混入されたハイレベルのノイズをより効果よく取り除くことができる半導体回路を提供する。
【解決手段】 入力信号を所定時間遅延して出力する遅延部１２０、２２０、３２０と、該入力信号のレベルによって電圧を充放電させる電圧調整部１４０、２４０、３４０と、該入力信号のレベル及び遅延部１２０、２２０、３２０から出力される信号のレベルを用いて生成された信号によって、電圧調整部１４０、２４０、３４０の充放電動作を制御する組合せ部１６０、２６０、３６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】高い精度で所定の検査を行うことができる電子回路を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係る電子回路１は、図１（ａ）に示すように、主に、主回路２への電圧Ｖ_ｃｃの供給を切り替えるスイッチ素子としてのｐ型トランジスタ３と、ｐ型トランジスタ３を駆動する第１の駆動信号を出力する駆動部４と、入力側が駆動部４に電気的に接続され、出力側がｐ型トランジスタ３に電気的に接続され、駆動部４から出力された第１の駆動信号に基づいて第２の駆動信号を出力する第１のインバータ部５と、入力側が駆動部４に電気的に接続され、駆動部４から出力された第１の駆動信号に基づいて検査のための検査信号を出力する第２のインバータ部６と、第２のインバータ部６の出力側に電気的に接続され、検査信号を出力する第１のパッドとしての検査パッド７と、を備えて概略構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体を用いた半導体装置として、論理回路がある。論理回路にはダイナミック論理回路とスタティック論理回路とがあり、トランジスタ等を用いて構成される。ダイナミック論理回路は情報を一定期間保持することができる。そのため、ダイナミック論理回路は、スタティック論理回路と比較して、トランジスタからのリーク電流が問題となる。
【解決手段】論理回路は、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、第２のトランジスタのゲートのノードには第１のトランジスタを介して電荷が供給される。ノードに対して、第１及び第２の容量を介して電荷を供給する。電荷の状態に応じて、第２のトランジスタのオン、オフが制御される。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体を用いた半導体装置として、論理回路がある。論理回路にはダイナミック論理回路とスタティック論理回路とがあり、トランジスタ等を用いて構成される。ダイナミック論理回路は情報を一定期間保持することができる。そのため、ダイナミック論理回路は、スタティック論理回路と比較して、トランジスタからのリーク電流が問題となる。
【解決手段】論理回路は、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、第２のトランジスタのゲートのノードには第１のトランジスタを介して電荷が供給される。ノードに対して、複数の容量を介して電荷を供給する。電荷の状態に応じて、第２のトランジスタのオン、オフが制御される。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を少なくできる半導体装置を提供する。
【解決手段】データを出力する出力部を各々備えた複数の半導体チップと、出力部の各々と接続された配線と、配線を介して複数の半導体チップの各々からデータを受け付ける受付部と、を含み、出力部が順番に駆動する半導体装置にて、出力部の各々は、オン状態時の抵抗値を変更可能であり、自己の駆動開始時から自己の次に駆動を開始する出力部の駆動開始時の前のタイミングまでの第１期間の間は、オン状態時の抵抗値を第１抵抗値にしてデータを配線に出力し、第１期間が経過した時点から自己の駆動終了時までの第２期間の間は、オン状態時の抵抗値を第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値にしてデータを配線に出力する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の停止及び復帰を行う構成において、外部回路より半導体記憶装置を制御するための信号数を削減する。
【解決手段】酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタを有する記憶回路と、記憶回路に保持されたデータを読み出すための電荷を蓄積する容量素子と、容量素子への電荷の蓄積を制御するための電荷蓄積回路と、データの読み出し状態を制御するデータ検出回路と、電源電圧が供給された直後の期間において、電源電圧の信号と電源電圧を遅延させた信号とにより、電荷蓄積回路による容量素子への電荷の蓄積をさせるための信号を生成するタイミング制御回路と、容量素子の一方の電極の電位を反転して出力するインバータ回路と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】シュミットトリガー回路と同様な機能を有し、シュミットトリガー回路と比較して貫通電流を低減する。
【解決手段】インバータ回路INV1は、前段回路の回路閾値よりも低い第１の回路閾値を有し、前段回路から出力された入力クロックが入力され、入力クロックの論理状態および第１の回路閾値に応じた第１の出力信号を出力する。インバータ回路INV2は、前段回路の回路閾値よりも高い第２の回路閾値を有し、前段回路から出力された入力クロックが入力され、入力クロックの論理状態および第２の回路閾値に応じた第２の出力信号を出力する。スイッチ回路SWは、第１の出力信号および第２の出力信号が入力され、第１の出力信号および第２の出力信号の論理状態が、異なる状態から同じ状態に変化したときに、異なる論理状態に対応した第１の電圧および第２の電圧のいずれか一方を出力クロックとして出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の出力バッファ回路において電流の流れ込みを防止し、動作を高速化し、回路規模を削減する。
【解決手段】出力バッファ回路１１は、常時オンの電源ＶＤＤ、オン／オフ制御される電源ＶＤＤ１、電源ＶＤＤ１の電位を反転した反転信号ＩＮＶＯＵＴを出力するインバータ回路４１、トランジスタＰ１Ａ１，ＰＰ２，ＰＰ３、トランジスタＰ１Ａ１を制御するドライブ回路５１を備える。トランジスタＰ１Ａ１は、入出力端子Ｅ１Ａに接続されたドレイン、電源ＶＤＤ１に接続されたソース、電源ＶＤＤに接続されたバックゲート、ドライブ回路５１に接続されたゲートを有する。トランジスタＰＰ２，ＰＰ３のバックゲート及びトランジスタＰＰ２のソースは電源ＶＤＤに接続され、トランジスタＰＰ２のゲート及びトランジスタＰＰ３のソースは電源ＶＤＤ１に接続され、トランジスタＰＰ３のゲートには反転信号ＩＮＶＯＵＴが入力される。 （もっと読む）

【課題】 選択する容量の数に関わらずにそのオン抵抗を一定に保つことができる可変インピーダンス装置及びそれを用いた無線システムを提供する。
【解決手段】 一対の入出力端子１０１、１０２と、一対の入出力端子間に並列に接続された複数の回路ブロックＢＬ１〜ＢＬ４と、を備え、回路ブロックは、一対の入出力端子の一方に一端が接続された容量性回路要素Ｃ１〜Ｃ４と、容量性回路要素の他端と一対の入出力端子の他方との間に互い並列に接続された回路ブロックの数以上の数のスイッチ素子ＳＷ１−１〜ＳＷ４−４を備えるスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】超低圧ＶDDデジタル回路においては、クロックスキューは厳密な時間収率の劣化を招く大きな原因であるが、コンピュータによる設計の高度な自動化（ＥＤＡ）手段の様々なプロセスが存在する中でのスキュー調和がとれたクロックツリーを実現する。
【解決手段】参照信号およびローカル信号を受信し、それらを比較して位相差を検出するための位相比較器、位相差の値に関連して制御信号のオン／オフを切り替えるための制御回路、およびローカル信号バッファーを有し、前記ローカル信号バッファーはｎＭＯＳトランジスタおよび／またはｐＭＯＳトランジスタを有しており、前記制御信号に応じてホットキャリアインジェクションストレスをｎＭＯＳトランジスタまたはｐＭＯＳトランジスタに掛けてｎＭＯＳトランジスタまたはｐＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を増加させる。 （もっと読む）

【課題】プリエンファシス回路及びこれを備えた差動電流信号伝送システムを提供する。
【解決手段】本発明はプリエンファシス回路に関し、より詳細にはプリエンファシス回路を動作させるために必要なスイッチングトランジスタの数を減らして寄生抵抗及び寄生キャパシタを減少させ、それぞれのスイッチングトランジスタを制御するそれぞれのプリエンファシス制御信号を供給することによって望まない電流の発生を防止できるプリエンファシス回路及びこれを備えた差動電流信号伝送システムに関する。 （もっと読む）

【課題】ＶＭ電位のｄｖ／ｄｔに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Ｓｉ基板上にＢＯＸ酸化膜を介しＮ型Ｓｉ活性層を形成したＳＯＩ基板により構成し、分離酸化膜により分離されＮ型ＭＯＳＦＥＴを形成する第１のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離されＰ型拡散層による拡散抵抗を形成する第２のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第４のＮ型Ｓｉ活性層から構成され、第１のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜と第４のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第２の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 （もっと読む）

【課題】ポジティブエッジの波形、ネガティブエッジの波形の少なくとも一方を調節可能なドライバ回路を提供する。
【解決手段】分岐回路１０は、送信すべき入力信号Ｓ_ＩＮを複数の経路１２に分岐する。各タイミング調節回路２０は、それぞれが対応する経路に分岐された送信すべき信号Ｓａのポジティブエッジおよびネガティブエッジの少なくとも一方に遅延を与える。合成出力回路３０は、複数のタイミング調節回路２０の出力信号Ｓｂを合成し、合成された信号Ｓ_ＯＵＴを伝送線路３に出力する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位（ＶＤＤ、ＶＳＳ）が供給される第１のトランジスタ（３２、３３）を有するスイッチ回路（３１）と、入力信号が印加される入力端（ＩＮ）と第１のトランジスタの制御端子（ゲート）との間に接続された補正回路（３４、３６）とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量（Ｃ２、Ｃ３）と、該容量と前記制御端子との間のノード（Ｎ５、Ｎ６）と電源電位との間に設けられた、第１のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第２のトランジスタ（３５、３７）と、第２のトランジスタに直列に接続されたスイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）とを有するデジタル回路（３０）を提供する。 （もっと読む）

【課題】向上された信頼性を有するレベル変換器、それを含むシステムオンチップ、及びそれを含むマルチメディア装置が提供される。
【解決手段】本発明のレベル変換器は、入力ノードを通じて受信される第１電圧ドメインの入力クロックに応じて第２電圧ドメインの出力クロックを発生する第１及び第２電圧変換回路を含み、第１及び第２電圧変換回路は同一の構造を有し、入力ノード及び出力ノードの間に並列に連結される。 （もっと読む）