Fターム[5J067CA00]の内容
マイクロ波増幅器 (6,140) | 目的、効果 (682)
Fターム[5J067CA00]の下位に属するFターム
補償 (18)
出力直流電圧の変動対策、調整
素子のバラツキの影響低減 (10)
寄生素子の影響低減 (6)
アーリー効果の低減
歪低減(直線性改善を含む) (77)
交流出力の正負のバランス改善
ダイナミックレンジの改善 (7)
利得向上 (15)
電力効率向上、低消費電力化、節電 (157)
低電源電圧化 (1)
雑音低減 (26)
発振防止 (26)
保護(例;負荷の保護) (16)
その他の信頼性の向上 (9)
周波数特性の変更 (52)
入力インピーダンス特性の変更 (2)
出力インピーダンス特性の変更 (9)
整合 (63)
不整合
誘導性負荷の駆動 (1)
容量性負荷の駆動 (1)
バイアス回路の変形改良 (10)
ミラー比の変更
高速起動
放熱、冷却 (6)
増幅器自体の低価格化 (15)
増幅率の精度の向上 (3)
フェイルセーフ (1)
IC化容易 (6)
回路の簡素化、小型軽量化 (102)
増幅器自体の試験 (5)
増幅器自体の調整 (10)
他回路との兼用化 (1)
Fターム[5J067CA00]に分類される特許
1 - 20 / 27
半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法
【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ(P)を提供すること。
【解決手段】接地導体(131)と、前記接地導体(131)の上部に設けられた2層の高周波基板(130)と、上層の前記高周波基板(130)を挟むように設けられた一対の導体(134)と、を含む、半導体パッケージ(P)が提供される。また、この半導体パッケージ(P)を含む高周波電力増幅器(100)が提供される。
(もっと読む)
F級増幅回路及びこれを用いた送信装置
【課題】基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、各基本周波数に応じた高周波処理が行えるようにする。
【解決手段】 基本角周波数の異なる複数の信号をF級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するF級増幅器と、F級増幅器の後段に設けられて、当該F級増幅器に寄生する寄生回路のインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備える。
(もっと読む)
分布増幅器及び分布ミキサ
【課題】異なる周波数帯の分波を可能とする分布増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の分布増幅器は、第1,第2,第3伝送線路の一端を第1接続点で接続し、第1伝送線路の他端を第1入力端、第2伝送線路の他端を第2入力端とする入力疑似線路と、第4,第5,第6伝送線路の一端を第2接続点で接続し、第4伝送線路の他端を第1出力端、第5伝送線路の他端を第2出力端とする出力疑似線路と、入力端子が第1接続点、出力端子が第2接続点に接続された増幅部からなる単位増幅器と、第1帯域で左手系、第1帯域より高い第2帯域で右手系特性となるCRLH線路から構成され、信号入力端子を初段の第1入力端に接続し、第2入力端を次段の第1入力端に接続し、最終段の第2入力端を終端回路に接続し、第1信号出力端子が初段の第1出力端に、第2出力端がCRLH線路の第1入出力端子に、CRLH線路の第2入出力端子が次段の第1出力端に、最終段の第2出力端が第2信号出力端子にそれぞれ接続されている。
(もっと読む)
高周波モジュール
【課題】高温通電時には、バイアスジャンプを回避することができ、実運用時には、外部電源を製品によらず共通化することができる。
【解決手段】半導体装置24と、入力整合回路17と、出力整合回路18と、入力整合回路17に接続された高温動作用ゲートバイアス回路60および運用時用ゲートバイアス回路70と、高温動作用ゲートバイアス回路60に接続された高温動作用ゲートバイアス端子31aと、運用時用ゲートバイアス回路70に接続された運用時用ゲートバイアス端子41aと、入力整合回路17に接続された高周波入力端子21aと、出力整合回路18に接続されたドレインバイアス回路80と、ドレインバイアス回路80に接続されたドレインバイアス端子41bと、出力整合回路18に接続された高周波出力端子21bとを備え、1つのパッケージに収納された高周波モジュール1。
(もっと読む)
高周波モジュールおよびその動作方法
【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置24と、入力整合回路17と、出力整合回路18と、運用時用ゲートバイアス回路70と、運用時用ゲートバイアス回路70に接続された運用時用ゲートバイアス端子41aと、入力整合回路17に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子21aと、出力整合回路18に接続されたドレインバイアス回路80と、ドレインバイアス回路80に接続されたドレインバイアス端子41bと、出力整合回路18に接続された高周波出力端子21bとを備え、1つのパッケージに収納された高周波モジュール1およびその動作方法。
(もっと読む)
増幅器
【課題】広帯域特性の改善と隣接セルからの干渉問題の抑制を両立できる増幅器を得る。
【解決手段】3セル以上のユニットセルトランジスタ(11)が等間隔に配置されたマルチセルトランジスタ(10)と、スリット(23)で区切られたオープンスタブ(22)により、基本波の整数倍の周波数で短絡状態を形成するように各ユニットセルトランジスタに対応して設けられた高調波処理回路(21)を複数有し、各高調波処理回路がトーナメント構成となるように線路構成された出力整合回路(20)とを備えた増幅器であって、各高調波処理回路(21)は、マルチセルトランジスタを構成する各ユニットセルトランジスタのゲートまたはドレイン端子の少なくとも一方から、電気長で1/2波長未満の距離に配置され、オープンスタブ(22)が、主線路と平行して片側に1本で配置されている。
(もっと読む)
バイアス回路
【課題】 不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子3に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ5及びキャパシタ6が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ7と、接地されたキャパシタ8とインダクタ7との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子9を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子3の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。
(もっと読む)
電力合成増幅器
【課題】 電力分配器で分岐された複数の増幅回路の相互干渉を防止し、伝送線路長の短い電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 電力分配回路から分岐された第1増幅器4aからの高周波をインピーダンス整合する第1変成回路10aと、第1変成回路より細長の第2変成回路11aと、第2変成回路より細長の第3変成回路12aと、電力分配回路から分岐された第2増幅器4bからの高周波をインピーダンス整合する第4変成回路10bと、第4変成器より細長の第5変成回路11bと、第5変成器より細長の第6変成回路12bと、第3変成回路及び第6変成回路のそれぞれの出力側に接続された電力合成器とを設けて、第3変成回路及び第6変成回路を屈曲させると共に第1及び第2増幅器出力端から電力合成器6出力端までの伝送線路長を伝送周波数波長に略等しくするようにした。
(もっと読む)
モジュラー・ソリッドステート・ミリメータ波(MMW)RFパワーソース
レンズアレイ増幅器の形態に基づくモジュラー・ソリッドステートMMWパワーソースは、出力パワーを調整フレキシビリティと効果的な熱管理の両方を提供する。モジュラーパワーソースは、1以上のパワーディバイダと1以上のソリッドステート増幅ステージとを使用する単一のサブモジュールを含んでいて、RF入力信号をR個の増幅RF信号に分割し増幅する。サブモジュールはヒートシンクの表面上の適切にはX−Y平面にマウントされ、冷たいバックプレーンに適切に結合されて熱を除去する。R個の1:N低ロスパワーディバイダは増幅されたRF信号をR*N個の放射素子に導く。1:Nパワーディバイダの各々は、X−Z平面に適切に存在し、Y方向に積層されて、Y−Z平面のR*N個の放射素子のプレーナ出力を提供する。単一のサブモジュール上に増幅チップを配置すると、増幅チップ数、即ち放射素子数からの出力パワーを分離できる。増幅チップを放射素子から離して配置すると、ヒートシンクからバックプレーンに向かう大きな断面を有する短経路を形成でき熱を除去できる。この形態によると、高いアンテナ利得と結合される高出力パワーを生成でき、以前はジャイロトロンでのみ達成可能であった大きなパワーアパーチャー製品を作成できる。増幅チップはよりパワフルになるので、この形態によるとより少ないチップを使用することを可能とする。 (もっと読む)
半導体素子及び分布増幅器
【課題】分布増幅器の動作を安定化する。
【解決手段】デュアルゲート電極と、2つの主電極とを有する半導体素子において、デュアルゲート電極の第2ゲート電極21から配線層24を延出し、配線層24を絶縁膜25を介して、ソース電極23に接続し、配線層24と絶縁膜25とソース電極23で構成されるMIMキャパシタ26を半導体素子1内部に配置した。そして、このような半導体素子1を分布増幅器に増幅回路素子として搭載した。これにより、分布増幅器は高出力で広帯域特性を備え、安定に動作する。更に、高集積化、低コスト化を図ることができる。
(もっと読む)
マルチバンドドハティ増幅器
【課題】複数の周波数に対して十分な動作性能を得ることが可能なドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】入力信号を二つに分配する分配器と、分配器で分配された一方の信号を増幅するキャリア増幅器と、分配された他方の信号を遅延させる遅延器と、遅延器の出力信号を増幅するピーク増幅器と、キャリア増幅器の出力端に接続され、インピーダンス変換を行うインピーダンス変換器と、ピーク増幅器の出力信号とインピーダンス変換器の出力信号とを合成する合成器と、を含み、遅延器の電気長がインピーダンス変換器の電気長と略同一であり、インピーダンス変換器が、N(N≧2)種類のインピーダンス変換用伝送線路を従続接続した構成を有し、当該N種類の周波数について、略同一のインピーダンス変換を行う。
(もっと読む)
高周波出力モニタ回路装置
【課題】 高周波増幅器の出力直後でRF電力の一部を取り出してRF検波する場合に、RF出力側のRF検波回路への配線パターンの引き回しを必要十分な長さに留めることができ、基板の小型化、計測精度向上を実現する。
【解決手段】 高周波増幅器22のRF出力の一部を取り出す方向性結合器232において、結合用ライン2321の長さLをL<λ/4にずらし、これによって方向性を低下させ、RF結合出力を従来例とは反対側のRF出力側から取り出す。RF結合出力から得られたRF電力はRF検波回路233でDC電圧に変換し、RF電力の監視に使用する。一方、出力側から回り込むRF電力は、アイソレータとして機能するサーキュレータユニット24によって阻止する。このようにして従来と同等なモニタ回路の性能を確保し、誤検出を防止する。
(もっと読む)
マイクロ波増幅器
【課題】並列に動作するFETにアンバランスが生じた場合でも安定に動作させることができるマイクロ波増幅器を得る。
【解決手段】入力整合回路5と、FET1と、段間整合回路6と、FET2と、出力整合回路7と、ショートスタブ回路31、32とが設けられ、ショートスタブ回路31は、他端がキャパシタ11aを介して接地された分布定数線路10aと、他端がキャパシタ11bを介して接地された分布定数線路10bと、分布定数線路10a、10bの他端同士を接続する分布定数線路18と含み、ショートスタブ回路32は、他端がキャパシタ15aを介して接地された分布定数線路14aと、他端がキャパシタ15bを介して接地された分布定数線路14bと、分布定数線路14a、14bの他端同士を接続する分布定数線路19と含む。
(もっと読む)
電力増幅器
【課題】ミリ波帯、マイクロ波帯における電力増幅器において、増幅器としての特性を損なうことなく、安定した出力特性を得る。
【解決手段】入力端子(IN)と出力端子(OUT)との間に増幅器2が設けられた電力増幅器において、入力端子(IN)と増幅器2との間に、安定化回路1を設けるようにした。安定化回路1は、線路L1、L2、L3を有し、L1はグラウンド(GND)に接続されている。このとき、線路L1の長さl1を、使用周波数帯域の波長λの3/4以上とする。上記構成とすることにより、使用帯域近傍の低周波側の周波数において、出力特性を安定化させることができる。これにより、増幅器としての特性を損なうことなく、安定した出力特性を得ることができる。
(もっと読む)
高周波増幅器
【課題】 伝送線路長の違いによって生じる高周波信号の位相変化を低減し、複数のトランジスタにおける均一動作を確保して増幅効率の改善を図った高周波増幅器を提供する。
【解決手段】 直流電流DCは、抵抗21〜2nを介してトランジスタ11〜1nのベースBにそれぞれ入力される。増幅される高周波信号RFは、容量30を介してトランジスタ11〜1nのベースBにそれぞれ入力される。位相器41〜4mは、電気長を有する伝送線路であり、隣接するトランジスタのベースB間をそれぞれ接続する。この位相器41〜4mを接続することによって、分岐点aから各トランジスタのベースBへ高周波信号RFが流れる経路を複数並列に設けることになり、経由する伝送線路51及び52の長さの違いによって生じるベースB入力での高周波信号RF間の位相差を、低減させることが可能となる。
(もっと読む)
高出力電力増幅モジュール
【課題】配線パターン内の高周波信号の位相差を小さくし、電流分布を線対称にすることで、電力損失を低減すると共に、且つ高出力電力増幅モジュールの設計を容易に行うことが可能な高出力電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの電力増幅用半導体素子が内蔵された半導体モジュール1と、半導体モジュールに接続された入力側伝送線路14、15と、半導体モジュールに接続された出力側伝送線路16、17と、入力側伝送線路および出力側伝送線路に各々接続されたインピーダンス整合用の回路素子10、11、32〜35とを備える。インピーダンス整合用の回路素子は、入力側伝送線路および出力側伝送線路を構成する金属配線パターンの少なくとも一方について、信号の進行方向に対する両側端部に各々、少なくとも1個が実装される。
(もっと読む)
電力増幅モジュール
【課題】 本発明は任意の周波数帯を増幅する高周波電力増幅器を共通の基板で生産できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板212に固定した高周波用半導体素子を有する半導体チップ213を、基板212に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、前記ボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド位置Jに接続して前記第1のインダクタL22と第2のインダクタL23とに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合されている。
(もっと読む)
高周波電力増幅モジュール
【課題】 大出力増幅器と小出力増幅器が高周波的に常に接続されている、スイッチを用いない増幅器切替え型増幅器において、増幅器間のアイソレーションが高く増幅器の安定性が良い高周波電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】 増幅器の効率に影響を及ぼしにくい入力整合回路部分に、高アイソレーション特性を持つ入力整合回路107を用いて、動作状態の小出力増幅部110から停止状態の大出力増幅部109への回り込み、および大動作状態の出力増幅部から停止状態の小出力増幅部への回り込みを低減する。各増幅部の動作状態と停止状態の切替は、バイアス入力端子103〜106の制御により行う構成とする。
(もっと読む)
進行波増幅器
本発明は、増幅器と伝送ラインとを備える進行波増幅器に関する。進行波増幅器は、伝送ラインの損失の補償、信号の増幅、および増幅器を伝送ラインに逆並列に結合させることによる入力と出力の間の分離を提供する。
(もっと読む)
分布型増幅器
【課題】 設計性及び製造性に優れた高周波数帯域を有する分布型増幅器を提供する。
【解決手段】 カスコード型トランジスタを構成するゲート接地トランジスタ11のゲート端子を、伝送線路LgAと抵抗RgAからなる直列回路を介して高周波接地用キャパシタCgAに接続するとともに、伝送線路LgBと抵抗RgBからなる直列回路を介して高周波接地用キャパシタCgBに接続するようにして、伝送線路LgA、LgBの伝送線路長及び抵抗RgA、RgBの抵抗値に対する回路性能の感度を従来と比較して低下させて伝送線路長及び抵抗値の変化に対する回路特性への影響を低減し、伝送線路及び抵抗における設計マージン及び製造マージンを拡大する。
(もっと読む)
1 - 20 / 27
[ Back to top ]