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Fターム[5J067CA73]の内容

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出力インピーダンスを小とするもの

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【課題】 平均電力に対するピーク電力の比が高い信号を増幅する際の電力変換効率を向上させることができる電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 異なる入力レベルの信号を飽和に近い動作で増幅する増幅器21〜23と、入力信号をレベルに応じて適切な増幅器に出力する信号分割処理部1と、各増幅器からの出力を低損失で合成する信号合成部3とを備え、増幅器21〜23の出力インピーダンスを同一の値とし、信号合成部3の位相調整線路301〜303と出力線路304の特性インピーダンスを増幅器の出力インピーダンスと同一の値とし、合成点305におけるインピーダンスが、動作していない増幅器に対して開放となるよう位相調整線路301〜303のインピーダンスが調整され、動作している増幅器に対して増幅器の出力インピーダンスとなるよう出力線路304のインピーダンスが調整されている電力増幅装置としている。 (もっと読む)


【課題】 電力合成器の横寸法を低減しつつ、横寸法の低減に伴う特性劣化を防止する。
【解決手段】 入力側から第1線路、折返し線路、第2線路、直線線路が接続される直列回路を構成し、入力側が入力端子に接続される第1インピーダンス変成器と、第1インピーダンス変成器と同構成の第2インピーダンス変成器と、第1及び第2インピーダンス変成器とループを構成するアイソレーション回路と、第1及び第2インピーダンス変成器が共有する出力接点と出力端子との間に配置される出力インピーダンス変成器とを有する電力合成器であって、第1線路と第2線路は互いに平行に配置され、ループの横縦アスペクト比が1より小さく、第1線路の線幅を第1折返し線路の線幅より狭くして入力信号位相を90度回転し、アイソレーション回路で入力インピーダンスと整合し、出力インピーダンス変成器で出力インピーダンスと整合する。 (もっと読む)


【課題】パッケージの電極部と整合回路との間で生ずるインピーダンスの不整合を改善することができる高周波半導体装置を提供すること。
【解決手段】入出力用電極部16、17を有するパッケージ11とパッケージ内部に載置された半導体チップ12と半導体チップおよび入出力用電極部にそれぞれ電気的に接続された入出力整合回路パターン22、31と、入出力整合回路パターンと入出力用電極部16、17とをそれぞれ接続する第1、第5の導体線23、32と、入力整合回路パターン22および出力整合回路パターン31上にそれぞれ載置された小型チップコンデンサ24、33と、これらの小型チップコンデンサと入力用電極部とを接続する第2、第6の導体線25、34と、を具備し、小型チップコンデンサは、小型チップコンデンサの容量および第2、第6の導体線25、34のインダクタンスによって決定される共振周波数が、使用周波数帯に含まれる容量を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、整合条件を変更するための制御回路を必要とせずに、複数の周波数帯で利用可能となる簡素な構成の高周波増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】パッケージ基板と、該パッケージ基板の表面に設置された増幅能動素子と、該増幅能動素子と接続されて高周波信号を伝送する伝送線路とを有する。そして、一端が該伝送線路にシャント接続されたSMD部品と、該SMD部品の他端と接続され一部が該パッケージ基板の裏面に露出するSMD部品用端子と、該伝送線路のうち該増幅能動素子と接続された部分と反対側の端部と接続され、一部が該パッケージ基板の裏面に露出する外部端子とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来の高周波増幅器ではショートスタブと使用周波数における中心周波数の1/4波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成するが、使用周波数の中心周波数以外ではインピーダンス整合がとれず、出力整合回路が狭帯域となる。
【解決手段】入力整合回路からの信号を増幅する、出力インピーダンスが50Ωより低く、容量性領域にある高周波トランジスタの出力側に直列接続された直列インダクタと、この直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと並列に接続された並列インダクタと、直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと直列に接続された使用周波数における中心周波数の1/4波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成し、並列インダクタと1/4波長程度の長さの線路との間のインピーダンス値が高周波トランジスタの出力インピーダンスと50Ωの間となるようにされる。 (もっと読む)


【課題】高周波トランジスタの寄生容量成分も含めたトランジスタの出力インピーダンスに対して広帯域にわたって良好なインピーダンス整合を可能にする。
【解決手段】高周波トランジスタと、当該トランジスタの出力端子に対して設けられた、設計中心周波数にて前記トランジスタの寄生容量成分と並列共振する電気長のショートスタブと高周波短絡用キャパシタからなる直列回路と、終端負荷とのインピーダンス整合を行う少なくとも3段の直列接続されたインピーダンス変成線路とを備え、中間段のインピーダンス変成線路の特性インピーダンスが、トランジスタと接続するインピーダンス変成線路および終端負荷と接続するインピーダンス変成線路のいずれよりも高インピーダンスとなるように設定されるようにしたものである。 (もっと読む)


【課題】出力容量及び出力直列寄生インダクタンスの影響に対して最適化された、超高周波数領域において高効率を実現することができる逆F級増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の逆F級増幅回路は、FET1と、出力負荷回路2とを備えている。出力負荷回路2は、出力負荷回路2の周波数fの入力インピーダンスZin(f)と、FET1の出力容量Coutと出力直列寄生インダクタンスLoutとを用いて下記式:
【数1】


で定義されるアドミッタンスY(f)が、特定の基本波周波数fについて、Y(2f)=0,Y(3f)=∞を満足するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】 広い周波数帯域に渡って、線形性に優れ、高効率の動作が可能なドハティアンプを提供する。
【解決手段】 ドハティアンプにおいて、入力電力検出回路113,114および、ピークアンプ102の出力側に、可変容量ダイオード115とλ/4線路108を付加し、検出された入力電力にしたがって可変容量ダイオード115の容量値を変化させ、出力合成部110からピークアンプ102を見たインピーダンスを実質的にオープンにする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子測定のための時間と費用を減らし、また、半導体素子モデリング過程での時間と費用を減らし、超高周波単一チップ集積回路設計時間の短縮と正確な設計を実現する。
【解決手段】半導体素子で測定用パッドの形成とデ・エンベディング過程を省略し、デ・エンベディングされた高周波半導体素子における入出力端の測定パッドの代わりに拡張電極を代置することにより、電極と測定パッド部分で発生する不連続特性を除去して超高周波単一チップ集積回路の設計時に必要なデ・エンベディング過程を省略する。 (もっと読む)


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