【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】新規な負荷変動器を提供する。
【解決手段】 可変位相器を用いた負荷変動器３００１であって、前記可変位相器は、信号が入力される第１ポートＰ１と、信号が出力される第２ポートＰ２と、第１可変インピーダンス３０２１が接続される第３ポートＰ３と、第２可変インピーダンス３０２２が接続される第４ポートＰ４と、を備えている。可変位相器は、第１ポートＰ１から入力された信号の位相が第１可変インピーダンス２０２１及び第２可変インピーダンス３０２２によって変化するものである。第１可変インピーダンス３０２１及び第２可変インピーダンス３０２２は、前記第１可変インピーダンスと第２可変インピーダンスとの間のインピーダンス差を調整可能に設けられている。インピーダンス差の調整によって、第１ポートＰ１及び第２ポートＰ２間の負荷が変動する。 （もっと読む）

【課題】 安定した発振抑制効果が得られると共に高精度に発振が抑制できるように回路定数が調整できるようにする。
【解決手段】 回路定数を調整する回路定数調整器１６であって、終端が開放端に形成されたスタブ１６ｅと、一端１７ｂがスタブ１６ｅに接続されると共に、他端１７ａが回路定数調整対象の回路１２に接続され、かつ、抵抗値が設定可能に設けられた可変抵抗器１６ａと、可変抵抗器１６ａに制御信号を出力して、当該可変抵抗器１６ａの抵抗値を設定する抵抗値設定器１６ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】２倍波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得る。
【解決手段】バイアス回路５において、基本波整合回路４の出力側に接続され、基本波周波数成分を全通過させ、２倍波周波数成分を反射するフィルタ回路５１と、基本波整合回路４の出力側とフィルタ回路５１との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、２倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる２倍波吸収回路５２と、２倍波吸収回路５２に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路５３とを備えた。
バイアス回路５において、２倍波周波数成分を高周波トランジスタ２側に反射させずに吸収することによって、２倍波処理回路３とバイアス回路５とで並列共振を起こすことがなく、その結果、２倍波処理回路３の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】広帯域での２倍波整合を取れず、高効率化できる周波数範囲が狭い。
【解決手段】伝送線路２から構成されるメイン線路と、抵抗６と伝送線路５、７とが直列接続された回路から構成され、メイン線路と並列接続されたサブ線路と、一端がメイン線路とサブ線路との接続点に接続されたオープンスタブ３、４とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】広い入力レベル範囲にわたって高い効率を実現することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０１において、入力側高調波整合回路３および出力側高調波整合回路４により、トランジスタＴＲの制御電極から前段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスと、トランジスタＴＲの導通電極から後段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスとが、それぞれ、対象信号のレベルが異なる条件下において整合されている。 （もっと読む）

【課題】異なる周波数帯の分波を可能とする分布増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の分布増幅器は、第1,第2,第3伝送線路の一端を第1接続点で接続し、第1伝送線路の他端を第1入力端、第2伝送線路の他端を第2入力端とする入力疑似線路と、第4,第5,第6伝送線路の一端を第2接続点で接続し、第4伝送線路の他端を第1出力端、第5伝送線路の他端を第2出力端とする出力疑似線路と、入力端子が第1接続点、出力端子が第2接続点に接続された増幅部からなる単位増幅器と、第1帯域で左手系、第1帯域より高い第2帯域で右手系特性となるCRLH線路から構成され、信号入力端子を初段の第1入力端に接続し、第2入力端を次段の第1入力端に接続し、最終段の第2入力端を終端回路に接続し、第1信号出力端子が初段の第1出力端に、第2出力端がCRLH線路の第1入出力端子に、CRLH線路の第2入出力端子が次段の第1出力端に、最終段の第2出力端が第2信号出力端子にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】低周波発振と高周波発振とを共に抑制することができる高周波回路を提供する。
【解決手段】高周波回路は、複数のトランジスタ１２、複数の入出力整合回路１４−１，１４−２、複数の抵抗体１８、低周波発振抑制回路１７を含む。複数のトランジスタは、半導体基板１１上に並列に配列形成される。複数の入出力整合回路は、それぞれ第１の絶縁基板１３−１上、第２の絶縁基板１３−２上に、複数のトランジスタにそれぞれ接続されて設けられている。低周波発振抑制回路は、所望の周波数帯域を透過帯域として有し、並列に配列形成された複数のトランジスタのうち、両側のトランジスタのゲート端子に接続される。複数の抵抗体は、複数の入出力整合回路間のうち、トランジスタに最も近い位置に形成されるとともに、透過帯域の最も低い周波数の発振に対して低周波発振抑制回路を作用させることが可能な長さで、複数の入出力整合回路間に形成される。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】簡単に最適な状態へ調整することができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】メインアンプから出力されるＲＦ信号を入力するＲＦ入力Ａと、ピークアンプから出力されるＲＦ信号を入力するＲＦ入力Ｂと、ドハティ増幅器を構成する二つの高周波アンプの出力信号を９０度の位相差を加えて合成するλ／４ラインと、λ／４ラインの合成部のインピーダンスを出力負荷インピーダンスへ変換するインピーダンス変換回路と、インピーダンス変換回路に接続された電源ラインと、ＲＦ入力Ａからλ／４ラインとの間に挿入されたコントロール電圧ＶｃｏｎｔＡで動作をＯＰＥＮとＳＨＯＲＴに切り替え可能なＤＣスイッチＡと、ＲＦ入力Ｂからλ／４とインピーダンス変換回路の合成部との間に挿入されたコントロール電圧ＶｃｏｎｔＢで動作をＯＰＥＮとＳＨＯＲＴに切り替え可能なＤＣスイッチＢと、電源ラインに接続した歪みを抑圧する高調波制御回路とから構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力側の線路長を短縮して、消費電力の低減や、歪や出力電力の広帯域化を図ることができるドハティ増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】キャリア増幅器１の出力端５が構造対称線６よりもピーク増幅器１１側に配置され、ピーク増幅器１１の出力端１５が構造対称線１６よりもキャリア増幅器１側に配置されているように構成する。これにより、出力側の線路長を短縮して、消費電力の低減や、歪や出力電力の広帯域化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波トランジスタの寄生容量成分も含めたトランジスタの出力インピーダンスに対して広帯域にわたって良好なインピーダンス整合を可能にする。
【解決手段】高周波トランジスタと、当該トランジスタの出力端子に対して設けられた、設計中心周波数にて前記トランジスタの寄生容量成分と並列共振する電気長のショートスタブと高周波短絡用キャパシタからなる直列回路と、終端負荷とのインピーダンス整合を行う少なくとも３段の直列接続されたインピーダンス変成線路とを備え、中間段のインピーダンス変成線路の特性インピーダンスが、トランジスタと接続するインピーダンス変成線路および終端負荷と接続するインピーダンス変成線路のいずれよりも高インピーダンスとなるように設定されるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】ハティ増幅装置において、ＥＴ電源の給電能力が十分でないＥＴ電源を用いても高出力が得られ、低出力レベルにおいても更なる高効率化を図る。
【解決手段】入力信号を増幅するメインアンプ１とピークアンプ２とを備え、入力信号が小信号である時には前記ピークアンプ２がＯＦＦ状態となり、入力信号が大信号である時には前記ピークアンプ２がＯＮ状態となるドハティ増幅装置１０において、固定電圧Ｖｓを前記ピークアンプ２に給電する固定電源部１１と、入力信号のエンベロープ振幅レベルに応じて調整される可変電圧Ｖｄを前記メインアンプ１に給電するエンベロープトラッキング電源部９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 従来のＦ級増幅器やドハティ増幅器では、出力レベルが低いと高調波の出力レベルも低くなって、高調波反射による効率向上の効果が小さくなるという問題点があり、広範囲の出力レベルにわたって、高い効率が得られる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 高調波反射回路１６を備えた増幅器２０の入力段に、２次高調波を発生する高調波発生器３２と、発生した２次高調波の位相を調整する可変移相器３３と、２次高調波の振幅を調整する可変減衰器３４とを備え、基本波の入力信号に２次高調波を注入して合成器３６で合成し、合成された信号を増幅器２０に入力して増幅し、更に、高調波反射回路１６で２次高調波をＦＥＴ１４へ反射することで、２次高調波反射レベルを上げて、電圧電流波形の重なりを低減し、電力効率を向上させる高周波電力増幅器である。 （もっと読む）

【課題】良好な電力効率と歪み特性と、インピーダンス変換による回路損失の低減及び周波数帯域の広帯域化の両方を実現できる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明のドハティ増幅回路は、互いに位相が逆の１対の信号がそれぞれに入力される第１及び第２ノードと、キャリア増幅器１３と、キャリア増幅器１３の入力と前記第１ノードとの間に接続された伝送線路１２と、前記第２ノードに入力が接続されたピーク増幅器１４と、出力側伝送線路バラン１６と、伝送線路１２と同じ電気長を有する伝送線路１５とを具備している。出力側伝送線路バラン１６の２つの平衡ポート２６、２７の一方は、キャリア増幅器１３の出力に接続され、他方は、伝送線路１５を介してピーク増幅器１４の出力に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置をより高効率にする。
【解決手段】入力信号をメインアンプ１とピークアンプ２とで増幅して、前記両アンプ１，２の出力を合成して出力するドハティ増幅装置１０において、前記メインアンプ１と前記ピークアンプ２とに共通の電源電圧を供給する可変電源部７と、入力信号のエンベロープ振幅レベルを検出するエンベロープ検出部６と、前記可変電源部７によって前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを調整するために前記可変電源部７を制御する制御部８と、を備え、前記制御部８は、前記エンベロープ検出部６によって検出された入力信号のエンベロープ振幅レベルに応じて、前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを制御するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が変動しても効率の低下を緩和することができ、しかも、製造時の歩留まりを向上し得るエンベロープトラッキング法に基づく高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波増幅回路１２ａは、マイクロ波帯の高周波の入力信号が入力される半導体増幅素子２１と、入力信号の包絡線の変動に追随する電源電圧を半導体増幅素子２１に印加する電源回路２２と、半導体増幅素子２１の出力側に接続された出力整合回路２４と、電源電圧が変動しても半導体増幅素子２１の効率が最大となるように当該出力整合回路２４のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号基本角周波数ωo及び高調波成分を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、直流成分に対して開放、偶数高調波成分に対して短絡、奇数高調波成分に対してＦＥＴの出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路は直流成分に対して短絡、奇数高調波数成分に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】出力する歪のレベルを調整することができる歪発生器を提供する。
【解決手段】ドライバ増幅器２２で増幅され且つ非線形側伝送線路３４−１から取り出されたマイクロ波信号は、マイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給される。歪発生用トランジスタ増幅器４８は、出力端子４８ｂに供給されたマイクロ波信号を基に歪成分を発生して入力端子４８ａ及び出力端子４８ｂの両方から出力する。可変移相器５４により歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａと開放端５７との間を通過する信号の位相を調整することで、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂ側で合成される歪成分の位相差を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】分配偏差を低減してＦＥＴセルの均一動作を図って利得と出力を向上することができるマイクロ波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のＦＥＴセル１から構成されているＦＥＴチップ２と、ＦＥＴチップ２の入力側に接続された入力整合回路３と、ＦＥＴチップ２の出力側に接続された出力整合回路４とを設けたマイクロ波電力増幅器であって、入力整合回路３、出力整合回路４の少なくとも一方は、ＦＥＴチップ２に接続され、ＦＥＴチップ側に信号の伝播方向に沿って複数本のスリット１１又は１２が異なる間隔で設けられたマイクロストリップ線路７又は９を含む。 （もっと読む）