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Fターム[5J067FA15]の内容

マイクロ波増幅器 (6,140) | 解決手段、解決思想 (503) | 複数の増幅器の組み合わせ (79)

Fターム[5J067FA15]に分類される特許

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【課題】本実施例の一側面における電力増幅器はトランジスタの入力側と出力側の両方に高調波処理を行う整合回路を設けた場合でも発振が生じるのを抑止し、電力増幅器の安定動作を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本実施例の一側面における電力増幅器は、基本波と高調波を含む入力信号を入力ノードで受けとり、入力信号の電力を増幅することにより出力信号を生成し、生成された出力信号を出力ノードから出力する増幅回路と、増幅回路の入力ノードに接続され、入力信号の高調波処理を行う入力整合回路と、増幅回路の出力ノードに接続され、出力信号の高調波処理を行う出力整合回路を含む。増幅回路は、入力信号の電力が所定値より大きい値からその所定値より小さい値に低下したとき、生成される出力信号に含まれる高調波の整合点における出力インピーダンスの位相を回転させる。 (もっと読む)


【課題】 平均電力に対するピーク電力の比が高い信号を増幅する際の電力変換効率を向上させることができる電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 異なる入力レベルの信号を飽和に近い動作で増幅する増幅器21〜23と、入力信号をレベルに応じて適切な増幅器に出力する信号分割処理部1と、各増幅器からの出力を低損失で合成する信号合成部3とを備え、増幅器21〜23の出力インピーダンスを同一の値とし、信号合成部3の位相調整線路301〜303と出力線路304の特性インピーダンスを増幅器の出力インピーダンスと同一の値とし、合成点305におけるインピーダンスが、動作していない増幅器に対して開放となるよう位相調整線路301〜303のインピーダンスが調整され、動作している増幅器に対して増幅器の出力インピーダンスとなるよう出力線路304のインピーダンスが調整されている電力増幅装置としている。 (もっと読む)


【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子INから入力した入力信号を増幅素子Tr1が増幅する。増幅素子Tr1の出力信号を増幅素子Tr2が増幅する。増幅素子Tr2の出力信号は出力端子OUTから出力される。増幅素子Tr2の出力と出力端子OUTとの間に整合回路M3が接続されている。増幅素子Tr1の出力と増幅素子Tr2の入力との間にスイッチSW1が接続されている。増幅素子Tr1の出力にスイッチSW2の一端が接続されている。整合回路M4の一端がスイッチSW2の他端に接続され、整合回路M4の他端が増幅素子Tr2の出力に直接に接続されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマ生成時の負荷変動に高速に対応すると共に、自動インピーダンス制御回路の長寿命化を図ることが可能な増幅システムを提供する。
【解決手段】プラズマの生成によりインピーダンスが変動する負荷と接続する増幅システムは、入力線路、第1及び第2の増幅器、出力線路、接続線路及びインピーダンス制御回路を具備する。入力線路、出力線路及び接続線路の電気長は、駆動前調整により予め設定される。インピーダンス制御回路は、駆動前調整において、入力から前記負荷側を見たインピーダンスが第1のインピーダンスと等しくなるように制御する。駆動中には、第1の増幅器は、プラズマ生成前後において第1のインピーダンスを目標として信号を増幅する。第2の増幅器は、プラズマ生成前には増幅機能をオフとし、プラズマ生成後には第1のインピーダンスを目標として信号を増幅する。 (もっと読む)


【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数(f1−fn)で整合が取られた差動プッシュプル増幅器(PA1−PAn)の出力を、二次インダクタ(L12−Ln2)で共通に合成して出力する。各差動プッシュプル増幅器は、差動信号入力端子にぞれぞれ接続される増幅器対で構成され、差動プッシュプル増幅器の出力にはキャパシタ(C1−Cn)とインダクタ(L11−L1n)の並列共振回路を接続し、共振周波数を変更して整合周波数を調整する。 (もっと読む)


【課題】入力信号を複数の信号に低損失で分配することができる分配回路を提供することを課題とする。
【解決手段】分配回路は、信号入力ノードに直列接続される複数のインダクタ(401〜40n+1)と、入力容量を有する入力端子及び出力端子を有し、前記複数のインダクタのそれぞれの間に前記入力端子が接続され、前記入力端子に入力される信号を増幅して前記出力端子から出力する複数の増幅素子(421〜42n)と、前記複数の増幅素子の出力端子と複数の信号出力ノードとの間にそれぞれ接続される複数の整合回路(431〜43n)とを有する。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用3ステージ(Three−Stage)GaN HEMTドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より広い周波数範囲で同時的な高電力と高電力付加効率(PAE)をもたらす改良されたE級増幅器を提供する。
【解決手段】2段のE級の高電力増幅器100は駆動装置段102、E級段間整合ネットワーク(ISMN)104、負荷回路を使用する高電力段106を含んでいる。負荷回路はスイッチングモード回路の出力に結合されている直列の誘導性−容量性ネットワークと、スイッチングモード回路の出力に結合されているキャパシタンスを提供するための回路を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】RF電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率(PAE)および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にRF信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 (もっと読む)


【課題】利得を向上させ、高周波信号を供給するドライバアンプの消費電力を減少させることが可能な最終段に使用されるドハティ型の高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、挿入される線路の線路インピーダンスが予め設定され、入力された高周波信号を第1の信号と第2の信号とに分配するハイブリットと、第1の信号を増幅するメインアンプと、第2の信号を増幅するピークアンプとを具備する。ハイブリットは、高周波信号が入力される第1のポートと、メインアンプへ向けて第1の信号を出力する第2のポートと、ピークアンプへ向けて第2の信号を出力する第3のポートと、オープン接続された第4のポートとを備える。 (もっと読む)


【課題】 誤差増幅器から出力される歪成分の信号を全て無駄なく有効利用して、電力効率を向上させることができ、広帯域の信号に適用可能な電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 入力信号を3分配する分配器1と、位相及び振幅を調整した第1の分配信号を増幅する第1の増幅器4と、第2の分配信号と第1の増幅器4の出力とを逆位相で合成して歪成分を出力する分配合成器6と、歪成分を増幅する第2の増幅器9と、第2の増幅器9の出力と第3の分配信号とを合成する第1の合成器11と、第1の合成器11の出力を増幅する第3の増幅器14と、分配合成器6から出力される第1の増幅器4の出力信号と、第3の増幅器14の出力信号について、歪成分を逆相で合成して相殺し、信号成分を同相で合成して増幅器出力とする第2の合成器16とを備え、分配器1と、分配合成器6と、第1及び第2の合成器とをウィルキンソンカプラで構成した電力増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第1中心周波数有する第1増幅ユニットと、第1増幅ユニットに並列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニットと、第1増幅ユニットの入力と第2増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第1増幅ユニットの出力と第2増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 (もっと読む)


【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ27と、発振トランジスタ27に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体29、抵抗体31及びトランジスタ(スイッチ)35が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ30及び可変容量ダイオード36が含まれている。 (もっと読む)


【課題】複数の増幅器のうちの一部が故障しても、電力合成分配器の分配損、合成損を最小とする。
【解決手段】複数の並列接続された第1の分岐側端子(113、114)と1つの第1の合成側端子(115)が第1の電力合成点(116)を介して接続された第1の分岐回路(127)と、複数の並列接続された第2の分岐側端子(133、134)と1つの第2の合成側端子(135)が第2の電力合成点(136)を介して接続された第2の分岐回路(137)とを有し、第1の合成側端子と複数の第2の分岐側端子が接続された電力合成あるいは電力分配を行う電力合成分配器において、第1の電力合成点から第2の電力合成点までの長さが1/2波長の整数倍である。 (もっと読む)


【課題】異なる周波数、出力電力または変調方式において動作可能な電力増幅器および通信機器を提供できる。
【解決手段】入力端子および出力端子を有する第1増幅器PA2と、入力端子および出力端子を有する受動回路PC3と、単極端子と、2つの多投端子とを有する第1スイッチSW2と、を備えた電力増幅器であって、該第1スイッチSW2の該多投端子の一方は、該第1増幅器PA201の該入力端子に接続されており、該第1スイッチSW2の該多投端子の他方は、該受動回路PC3の該入力端子に接続されている。 (もっと読む)


【課題】トランスを用いて複数の増幅器対の出力を合成する電力増幅装置において、各増幅器対の差動動作のずれによって生じる出力の低下を抑制する。
【解決手段】電力増幅装置110は、基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタ7,8と、複数の増幅器対3〜6と、二次インダクタ9と、接続配線10とを備える。各増幅器対は、対応の一次インダクタの両端に接続され、差動入力信号として与えられた一対の第1および第2の信号IN(+),IN(−)をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力する。二次インダクタ9は、複数の一次インダクタ7,8に隣接して環状に設けられ、各一次インダクタで合成された第1および第2の信号の合成信号をさらに合成して出力する。接続配線10は、基板上で複数の一次インダクタ7,8の内側に設けられ、各一次インダクタの中点MP1,MP2を互いに電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波・ミリ波における集積回路寸法を小型化し、安価なマルチチップモジュール構造を有する高周波回路を提供する。
【解決手段】複数のディスクリートトランジスタFET1〜FET3をそれぞれ形成する半導体基板161〜163と、複数のキャパシタC1〜C4をそれぞれ形成する第1誘電体基板141〜144と、複数の整合回路をそれぞれ形成する第2誘電体基板181,182とを備え、複数のディスクリートトランジスタFET1〜FET3は直列接続されたことを特徴とするマルチチップモジュール構造を有する高周波回路30。 (もっと読む)


【課題】複数の増幅部(例えばキャリア増幅器及びピーク増幅器等)を有する増幅器を小型化することを目的としている。
【解決手段】入力信号が入力される入力部3と、入力信号を複数の信号に分岐させる分岐部4と、分岐部4で分岐された信号を増幅させる第一及び第二増幅部5、6と、第一及び第二増幅部5、6からそれぞれ出力されて合成された信号を出力する出力部9と、第一及び第二増幅部5、6が実装された基板2と、を備えており、第一増幅部5は、基板2の一方の主面2aに設けられ、第二増幅部6は、基板2の他方の主面2bに設けられている。 (もっと読む)


【課題】温度変化等に起因して回路特性が変化した場合であっても増幅装置の利得を所定範囲内に設定することが可能な増幅装置を得る。
【解決手段】増幅装置3は、ドハティ型の増幅装置であって、入力信号S1を入力信号S3と入力信号S4とに分配する分配器16と、入力信号S3を増幅するメインアンプ12と、入力信号S1の信号レベルが所定値以上である場合に、入力信号S4を増幅するピークアンプ13と、メインアンプ12から出力された出力信号S5と、ピークアンプ13から出力された出力信号S6とを合成して出力する出力部17と、メインアンプ12及びピークアンプ13の双方のゲートバイアス電圧Vgm,Vgpを略線形関係で制御することによって、増幅装置3の利得を所定範囲内に設定する制御部19とを備える。 (もっと読む)


【課題】LINC方式の増幅器において入力振幅の広い範囲に亘って高い効率を得ることができる交流電力増幅器を提供する。
【解決手段】入力端子1から入力された入力信号を2つの定振幅の交流信号に分離して、それらの交流信号の位相差が入力信号の振幅に対応して変化するようにした分波回路90と、飽和領域で動作するFET12、22を有し、2つの定振幅の交流信号をそれぞれ増幅する2つの飽和増幅器10、20と、を備え、それぞれの飽和増幅器からの増幅された増幅信号を合成点で合成して、出力端子2から出力しており、各FET12、22のドレインと合成点39との間が、増幅すべき交流信号の基本波に対して略四分の一波長に相当する遅延を与える伝送線路32、33で結合されており、且つ合成点39には、高調波を反射し且つ合成点39で負荷側を見た高調波の反射位相を逆相とするキャパタ34が設けられる。 (もっと読む)


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