【課題】新規な負荷変動器を提供する。
【解決手段】 可変位相器を用いた負荷変動器３００１であって、前記可変位相器は、信号が入力される第１ポートＰ１と、信号が出力される第２ポートＰ２と、第１可変インピーダンス３０２１が接続される第３ポートＰ３と、第２可変インピーダンス３０２２が接続される第４ポートＰ４と、を備えている。可変位相器は、第１ポートＰ１から入力された信号の位相が第１可変インピーダンス２０２１及び第２可変インピーダンス３０２２によって変化するものである。第１可変インピーダンス３０２１及び第２可変インピーダンス３０２２は、前記第１可変インピーダンスと第２可変インピーダンスとの間のインピーダンス差を調整可能に設けられている。インピーダンス差の調整によって、第１ポートＰ１及び第２ポートＰ２間の負荷が変動する。 （もっと読む）

【課題】、高出力動作が可能なカレントリユース電子回路を提供すること。
【解決手段】第１端子、第２端子および制御端子を有し、前記第１端子が接地された第１トランジスタＴ１と、第１端子、第２端子および制御端子を有し、前記制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続され、前記第１端子が前記第１トランジスタの前記第２端子と高周波的に接続され、前記第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第１トランジスタの第２端子と前記第２トランジスタの制御端子との間のノードに一端が接続され、他端が前記第２トランジスタの第１端子に接続された第１抵抗Ｒ１と、を具備した電子回路。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】分布定数型差動増幅器の出力波形におけるジッタを低減する。
【解決手段】分布定数型増幅器は、複数の増幅器を有する。複数の増幅器はそれぞれ、固有の遅延時間を持って一の信号源からの入力信号を受ける。また、複数の増幅器はそれぞれ、固有の遅延時間に対応する遅延時間をもって共通の負荷に出力信号を提供する。複数の増幅器それぞれに関して、固有の遅延時間と対応する遅延時間の和は等しく設定されている。複数の増幅器のそれぞれは、一対の差動トランジスタと、該一対の差動トランジスタと当該増幅器の出力との間に直列に挿入された一対のカスコードトランジスタを含む。一対の差動トランジスタは、当該一対の差動トランジスタそれぞれのコレクタ−ベース間の接合容量が準飽和領域の接合容量となるように、バイアスされている。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率（ＰＡＥ）および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にＲＦ信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 （もっと読む）

【課題】インピーダンス変換の特性を低損失で容易に調整し、高周波大電力への耐用性が高く、小型化を実現するドハティ増幅器及び高周波伝送線路を提供する。
【解決手段】誘電体１０１は、厚さＨ_ＡとＨ_Ｂの２層からなり、基板を構成する。２層の誘電体１０１の間には電極層１０２が積層されている。また、誘電体１０１の一面には、マイクロストリップ線路１０３が配設され、他面がグランド（ＧＮＤ）に接地されている。電極層１０２とＧＮＤとはスイッチ１０４を介して接続されており、制御部１０５がスイッチ１０４を制御して、電極層１０２とＧＮＤとの接続と開放を切り替える。 （もっと読む）

【課題】マルチフィンガー型のトランジスタを用いた場合に、歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセルを電気的に並列接続したマルチフィンガー型のトランジスタと、複数のトランジスタセルのゲート電極に接続された入力側整合回路と、各トランジスタセルのゲート電極と入力側整合回路の間にそれぞれ接続された共振回路とを有し、共振回路は、トランジスタの動作周波数の２次高調波の周波数又は２次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振してゲート電極に短絡又は十分に低い負荷を与える。 （もっと読む）

【課題】増幅器の出力性能を低下させること無く、電源に供給される電流を検出できる増幅器、高周波集積回路、電源電流検出方法及びその温度補償方法を提供する。
【解決手段】増幅器１００は、電源として供給される電流を検出する。増幅器１００におけるＦＥＴ１は、入力された信号を増幅する。抵抗２は、ＦＥＴ１の近傍に配置され、ＦＥＴ１の温度を検出する。抵抗２は、ＦＥＴ１と同じ温度特性を有し、ＦＥＴ１に供給される電源の電流値の変化に応じてインピーダンス値が変化する。 （もっと読む）

【課題】コスト高を招くモノリシック化を行うことなく、高周波帯でも利得特性が単調に変化する歪補償回路を得ることを目的とする。
【解決手段】高周波信号ｈｆｓを２分配して、位相が１８０度異なる２つの分配信号ｄｓ１，ｄｓ２を出力する分配器１と、分配器１から出力された分配信号ｄｓ１，ｄｓ２を伝送する信号路５，８と、信号路５，８により伝送された分配信号ｄｓ１と分配信号ｄｓ２の位相を揃えて、その分配信号ｄｓ１と分配信号ｄｓ２を合成する合成器１１とを設け、直流電源１５から供給される直流電流がバイアス印加用抵抗１６を介して順方向に印加されるダイオード１８を信号路５，８の間に挿入する。 （もっと読む）

【課題】従来の高周波増幅器ではショートスタブと使用周波数における中心周波数の１／４波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成するが、使用周波数の中心周波数以外ではインピーダンス整合がとれず、出力整合回路が狭帯域となる。
【解決手段】入力整合回路からの信号を増幅する、出力インピーダンスが50Ωより低く、容量性領域にある高周波トランジスタの出力側に直列接続された直列インダクタと、この直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと並列に接続された並列インダクタと、直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと直列に接続された使用周波数における中心周波数の１／４波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成し、並列インダクタと１／４波長程度の長さの線路との間のインピーダンス値が高周波トランジスタの出力インピーダンスと50Ωの間となるようにされる。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

（もっと読む）

【課題】大電流を流すことができ、かつ十分広い通過帯域を確保できるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア信号を入力する入力ノード（ＲＦＩＮ）と、キャリア信号を出力する出力ノード（ＲＦＯＵＴ）と、前記入力ノード及び第１のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第１のインピーダンス変換素子（２０１）と、前記第１のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第２のインピーダンス変換素子（２０２）と、前記第１のノード及び第２のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第３のインピーダンス変換素子（２０３）と、前記第２のノードに接続される直流電源電圧ノード（２０４）と、前記第２のノードを交流接地状態にする接地回路（２０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】差動信号の増幅および合成を行ない、かつ高調波を抑制することが可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１０１は、差動信号である第１の入力信号および第２の入力信号を増幅する第１の増幅器１１，１２と、第１の増幅器１１，１２によって増幅された第１の入力信号および第２の入力信号を受ける第１のコイル２１と、第１のコイル２１と磁気的に結合され、増幅された第１の入力信号および第２の入力信号の合成信号が出力される第２のコイル２２と、第２のコイル２２と磁気的に結合された第３のコイル２３と、第３のコイル２３の両端間に接続された第１のキャパシタ４１とを備え、第１のキャパシタ４１の一端が接地ノードに接続されている。 （もっと読む）

【課題】負荷変動によってＶＳＷＲ(電圧定在波比)の値が極端に大きくなった場合でも、出力電力結合器の電子部品の溶断の危険性を軽減すること。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置ＨＰＡ＿ＭＤは、第１と第２のＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２、ウィルキンソン・パワー・コンバイナによって構成された出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣを具備する。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣの第１と第２の入力端子にＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２のＲＦ増幅出力信号が供給されて、出力端子ＯｕｔからＲＦ増幅出力信号が生成される。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣで、第１入力端子と出力端子の間のインピーダンスと、第２入力端子と出力端子の間のインピーダンスとは略等しく設定され、第１入力端子と第２入力端子の間の抵抗Ｒ61は、例えば渦電流を生成するインダクタ等のリアクタンス素子Ｌ63によって置換されている。 （もっと読む）

【課題】 キャリア増幅器が飽和する前にピーク増幅器に流れる電流を低減して、増幅器全体としての効率を向上させることができる増幅器を提供する。
【解決手段】 ＡＢ級又はＢ級で動作する増幅素子を備えたキャリア増幅回路４と、Ｂ級又はＣ級で動作する増幅素子を有し、入力レベルに応じて段階的に動作を開始する複数のピーク増幅回路５-1〜５-nとを備え、キャリア増幅回路４とピーク増幅回路５-1〜５-nの出力を合成して出力し、ピーク増幅回路５-1〜５-nの内、最も低い入力レベルで動作を開始するピーク増幅回路の飽和出力がキャリア増幅回路４の飽和出力より小さい増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】 入力信号の種類および入力信号電力レベルに依存することなく、常に高効率で動作させることが可能な電力増幅器の提供。
【解決手段】 電力増幅器は高周波入力信号のキャリアを増幅するキャリア増幅器２と、高周波入力信号のピーク成分を増幅するピーク増幅器３と、高周波入力信号の平均電力レベルを検出する平均電力レベル検出回路１１と、高周波入力信号のピーク電力レベルを検出するピーク電力レベル検出回路１２と、平均電力レベル検出回路１１の出力電圧信号に応じてキャリア増幅器２に供給する直流電圧を制御する第１電圧制御器１０ａと、ピーク電力レベル検出回路１２の出力電圧信号に応じてピーク増幅３器に供給する直流電圧を制御する第２電圧制御器１０ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】
トランジスタを高効率動作させるために流通角を狭くする方法がある。しかしながら、高い入力電力によりトランジスタのゲート−ドレイン間に高い電位差が発生する。その結果、出力電力はトランジスタのゲート−ドレイン間耐圧により制限される。また、高い入力電力を得るためには、高出力ドライバ増幅器が必要となり、電力増幅装置全体の効率は低下する。
課題は高い入力電力による増幅手段の耐圧の問題を緩和し、また、高い電力を与えるためのドライバ増幅器の電力消費を低減し、高出力・高効率電力装置を提供することである。
【解決手段】
解決手段として、増幅手段の入力信号に基本波に対して同相の３倍波を重畳し、入力信号の波高率（最大値／実効値）を高め、入力電力を高めることなく狭流通角動作を実現する。 （もっと読む）

【課題】増幅率及び雑音特性の両方の性能を良好にすることができる増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】入力信号が入力される入力信号ノード（ＩＮ）と、ゲートに前記入力信号ノードが接続される第１の電界効果トランジスタ（ＴＲ１）と、前記第１の電界効果トランジスタに直列に接続され、ゲートに第１のバイアス電圧ノードが接続される第２の電界効果トランジスタ（ＴＲ２）と、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの相互接続点と第１の電位ノードとの間に電流を流すための電流パス（１０３，１０４，ＴＲ３）とを有することを特徴とする増幅回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】
ドハティ（doherty）増幅器において、高価な増幅素子のみを用いることなく、増幅効率を維持したまま、より経済的に有利な増幅器を構成する。
【解決手段】
ドハティ増幅器において、キャリア増幅器に用いる増幅素子としてピーク増幅器に用いる増幅素子よりも効率特性の良好な増幅素子を用い、ピーク増幅器に用いる増幅素子として効率特性がキャリア増幅器で用いられる増幅素子より劣る増幅素子を用いる。
【効果】
効率特性の異なる増幅素子を用いることで、増幅効率を劣化させずに経済的に有利にドハティ増幅器を構成することができる。 （もっと読む）