【課題】消費電流を増大させることなしに高速起動可能なＭＥＭＳ発振器の提供。
【解決手段】ドライバアンプと、ＬＣ共振回路を備える第１共振器と、ＭＥＭＳ共振器を備える第２共振器と、接続および開放を切り換え可能なスイッチ回路と、スイッチ回路を制御するスイッチ制御部と、を有するＭＥＭＳ発振器であって、ドライバアンプ、第１共振器、および、スイッチ回路は、ドライバアンプの出力信号の少なくとも一部をドライバアンプへ帰還させる第１閉ループ回路を形成し、ドライバアンプ、および、第２共振器は、第１閉ループ回路とは別の、ドライバアンプの出力信号の少なくとも一部をドライバアンプへ帰還させる第２閉ループ回路を形成し、スイッチ制御部は、ＭＥＭＳ発振器の起動期間の少なくとも一部においてスイッチ回路を接続し、所定の条件が満たされる場合に、スイッチ回路を開放する、ＭＥＭＳ発振器。 （もっと読む）

【課題】 振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性（Ｑ値やゲイン等）への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。
【解決手段】 静電駆動型振動子（固定電極１および振動子３）の出力電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を、演算増幅器１４並びに抵抗１１，１２および１３を備えた負性インピーダンス変換回路１０で構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３２、および支持部３２に支持されており第１電極２０の上方に配置された梁部３４を有する第２電極３０と、を含み、平面視において、梁部３４は、前記第１電極２０と重なる領域で支持部３２から梁部３４の先端３４ａに向かう方向において、幅Ｗが単調減少する形状である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の包囲壁２６及び第１封止層３３に覆われた空洞部３６内に位置する可動部７ｂと、可動部７ｂと対向する場所に位置する第１封止層３３と、を備え、可動部７ｂは基板２と第１封止層３３との間に位置し、可動部７ｂと第１封止層３３とは少なくとも一部が導電体である。 （もっと読む）

【課題】面外屈曲振動の振動体において、振動漏れを防止し、Ｑ値を高めることができる振動体を用いた振動デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】振動デバイスに用いられている振動体２は、Ｘ軸方向に延在する基部２７と、基部２７からＸ軸方向に直交するＹ軸方向に延出するとともに、Ｘ軸方向に並んで設けられ、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に直交するＺ軸方向に屈曲振動する３つの振動腕２８、２９、３０と、基部２７に対して振動腕２８、２９、３０とは反対側に設けられた支持部２５と、基部２７と支持部２５とを連結する連結部２６とを有し、連結部２６の基部２７側の端部は、基部２７のＸ軸方向にて各振動腕２８、２９、３０が存在しない位置に対応する部位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、ＭＥＭＳ構造体２０が配置された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１を上方から覆い、空洞部１に連通する貫通孔３７を有する第１被覆層３６と、第１被覆層３６の上方に形成され、貫通孔３７を閉鎖する第２被覆層３８と、を有し、第１被覆層３６は、少なくともＭＥＭＳ構造体２０の上方に位置する第１領域１３６と、第１領域１３６の周囲に位置する第２領域２３６と、を有し、第１領域１３６の第１被覆層３６は、第２領域２３６の第１被覆層３６より薄く、第１領域１３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ１は、第２領域２３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ２より長い。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ共振器を用いた発振器において、ＴＩＡの雑音の影響を低減し、発振器出力の位相雑音特性を改善することができる発振器を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ共振器７と、ＴＩＡ５と、バッファアンプ９とを備えた発振器において、ＭＥＭＳ共振器７の出力をＴＩＡ５に入力する配線１５に、電磁誘導により結合して、当該配線１５を流れる電流を電圧に変換してバッファアンプ９に出力する電流／電圧変換器を備え、発振器出力を電流／電圧変換器から取り出すようにした発振器であり、また、当該電流／電圧変換器を、配線１５を非接触に取り囲むように形成され、一端が接地され他端がバッファアンプ９に接続する発振出力コイル１１とした発振器である。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】振動子の起動を確実にし、安定して振動を維持する装置を提供する。
【解決手段】振動子１２と、振動状態を検出する検出アンプ１３と、振動情報を２値化してコンパレータ出力信号を出力する振幅比較器１４と、制御発振器入力信号に応じて周波数が変化する電圧制御発振器１５１と、コンパレータ出力信号と比較信号との位相差信号を出力する位相比較器１５３と、位相差信号の低域成分を出力するループフィルタ１５４と、比較信号に対して予め定める位相差を有する位相シフト信号を出力する位相シフト器２２と、位相シフト信号を入力する駆動アンプ１１と、操作信号を出力する操作信号発生器２１と、制御発振器入力信号として操作信号を選択し、制御発振器出力信号の周波数がキャプチャレンジの範囲となったときに、制御発振器入力信号として位相差情報信号を選択する操作切換器２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】実装面積やコストを抑え、起動時間を短縮し、周波数精度の高いクロックも出力できるＭＥＭＳデバイス等を提供する。
【解決手段】 第１のクロック信号４００と第２のクロック信号４０２の少なくとも一方を出力するＭＥＭＳデバイス１００であって、同一の基板上に設けられた第１のＭＥＭＳ共振子３０２を有する第１のＭＥＭＳ発振器３００と第２のＭＥＭＳ共振子３２２を有する第２のＭＥＭＳ発振器３２０とを含み、第１のＭＥＭＳ発振器の共振周波数である第１の共振周波数と、第２のＭＥＭＳ発振器の共振周波数である第２の共振周波数とは略一致し、第１のＭＥＭＳ共振子のＱ値と第２のＭＥＭＳ共振子のＱ値とは異なり、第１のＭＥＭＳ発振器は、第１の共振周波数を周波数とする第１のクロック信号を出力し、第２のＭＥＭＳ発振器は、第２の共振周波数を周波数とする第２のクロック信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能なＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された空洞部３２と、空洞部３２に収容された第１振動子２０ａと、空洞部３２に収容された第２振動子２０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】特性が良く、信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２の上方に形成された第１被覆層４０と、空洞部３２の上方を避けて層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に形成された樹脂層５０と、第１被覆層４０の上方に形成された第２被覆層６０と、第２被覆層６０の上方に形成された金属層７０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製品として求められる目標精度に比べて梁の膜厚ばらつきに起因する共振周波数のばらつきが大きくても、目標精度内の共振周波数を有するＭＥＭＳ振動子が高い歩留りで得られるＭＥＭＳ構造体を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上に複数のＭＥＭＳ振動子３０ａ〜３０ｄを配置したＭＥＭＳ構造体であって、前記複数のＭＥＭＳ振動子それぞれは、梁構造を有しており、前記複数のＭＥＭＳ振動子は、それぞれの梁構造が異なることによって共振周波数が異なるＭＥＭＳ構造体である。 （もっと読む）

【課題】製品として求められる目標精度に比べて梁の膜厚ばらつきに起因する共振周波数のばらつきが大きくても、目標精度内の共振周波数を有するＭＥＭＳ振動子を高い歩留りで得られるＭＥＭＳ発振器を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上に形成された複数のＭＥＭＳ振動子１０ａ〜１０ｄと、前記複数のＭＥＭＳ振動子のいずれか一つのＭＥＭＳ振動子に電気的に接続され、且つ前記複数のＭＥＭＳ振動子のうち前記一つのＭＥＭＳ振動子以外の全てのＭＥＭＳ振動子に電気的に接続されていない発振回路２とを具備し、前記複数のＭＥＭＳ振動子それぞれは、梁構造を有しており、前記複数のＭＥＭＳ振動子は、それぞれの梁構造が異なることによって共振周波数が異なるＭＥＭＳ発振器である。 （もっと読む）

【課題】共振器の出力特性に対する浮遊容量の効果が削減又は排除可能であるとともに、容易に実施可能である共振器を提供する。
【解決手段】共振器は、静電力によって起動可能な振動素子１と、振動素子１の第１励起電極２及び第２励起電極３と、を備え、ＡＣ信号生成器は、第１励起電極２及び第２励起電極３に接続され、同じ振幅で且つ逆位相の第１信号及び第２信号を第１励起電極２及び第２励起電極３へ送出する。第１ＤＣ電圧源８は、第３電極４に接続され、第２ＤＣ電圧源９は、第４電極５に接続され、追加電極６は、振動素子１に電気的に接続される。振動素子１の振動を表す信号は、振動素子１のアンカリングポイントによって形成される追加電極６によって提供され、且つ、第３ＤＣ電圧によってバイアスされる。 （もっと読む）

【課題】複数の共振周波数を有する共振器において、従来よりも小型化を図ることが可能な共振器およびその製造方法、ならびにそのような共振器を備えた発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】入力交流信号Ｓinが入力される入力端子を、複数の端子in３，in５，in７間で切り換えることにより、導体部１１１におけるブロックに対する入力交流信号Ｓinの入力経路を切り換える。また、出力交流信号Ｓoutが出力される出力端子を、複数の端子out３，out５，out７間で切り換えることにより、導体部１１１におけるブロックからの出力交流信号Ｓoutの出力経路を切り換える。これにより、単一構造の共振器１内において、電位差が生じる絶縁膜１１２の振動部１１内での位置に応じて、複数の共振周波数ｆｒ（複数の次数の共振モード）が励起される。 （もっと読む）

調節可能な共振周波数を有し、大きな信号を扱うことができる調整可能なＭＥＭＳ共振器が説明される。１つの例示的設計では、調整可能なＭＥＭＳ共振器は、（ｉ）キャビティおよび支柱を有する第１の部分と、（ｉｉ）支柱の下に配置された可動プレートを含み、第１の部分と対になった第２の部分とを含む。各部分は、もう一方の部分と対向する表面上を金属層で覆われていてもよい。ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を変化させるために、可動プレートを、直流電圧で機械的に動かすことができる。キャビティは、長方形または円形の形状を有してもよく、空であっても、誘電材料で満たされていてもよい。支柱は、キャビティの中央に位置してもよい。可動プレートは、第２の部分に、（ｉ）１つのアンカーによって取り付けられて片持ち梁として働いてもよく、あるいは、（ｉｉ）２つのアンカーによって取り付けられてブリッジとして働いてもよい。
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【課題】実装が容易であり、且つ、極めて小さな表面積を占める、例えばオシレータ型の共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、可動素子（３）と固定素子（４）とを備えるナノメータサイズ又はマイクロメータサイズの電気機械共振器（１）を備える。検出手段は、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに、固定素子（４）に対する可動素子（３）の動きを表す検出信号を供給する。共振器（１）は、検出手段及びフィードバックループと同じ基板上に形成される。フィードバックループは、多くとも、基準電圧（ＧＮＤ）と励振入力（Ｅ）との間に直列に接続される第１トランジスタ（６）及び第２トランジスタ（７）を備える。容量性負荷（５）は、励振入力（Ｅ）と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。検出信号は、第１トランジスタ（６）の導電率を制御する。 （もっと読む）