【課題】 封止が完全になされ、応力の残留を防ぐ。
【解決手段】 圧電振動素子と、平均表面粗さが１ｎｍ以下となる表面粗さで脆性材料からなる圧電振動素子搭載部材と、凹部を有し平均表面粗さが１ｎｍ以下となる表面粗さで脆性材料からなる蓋部材と、を備え、圧電振動素子を搭載した圧電振動素子搭載部材と蓋部材とが常温で直接接合されて構成されていることを特徴とする。圧電振動素子搭載部材と蓋部材とのそれぞれの接合面に接合用金属膜が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ガラスリッドを採用し、パッケージベースとリッドとの接合に用いる接合材に脆性材料を用いたパッケージを搭載する場合であっても、樹脂部の挟持により接合材に割れや剥離を生じさせることの無い電子デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ１２の周囲を被覆する樹脂部５２を有し、パッケージ１２を構成するリッド１６とパッケージベース１４との接合に脆性材料を採用した圧電発振器１０であって、樹脂部５２には、リッド１６の外周にリッド１６上面の外縁部から樹脂部５２の側面へ向けて樹脂部５２の高さを低くしたダレ部５４を設け、ダレ部５４の下端部を、リッド１６下面の水平位置よりも下側に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 封止が完全になされ、応力の残留を防ぐ。
【解決手段】 圧電振動素子と、平均表面粗さが１ｎｍ以下でアルミナセラミック又はガラスセラミックからなる圧電振動素子搭載部材と、凹部を有し平均表面粗さが１ｎｍ以下でアルミナセラミック又はガラスセラミックからなる蓋部材と、を備え、圧電振動素子を搭載した圧電振動素子搭載部材と蓋部材とが常温で直接接合されて構成されていることを特徴とする。圧電振動素子搭載部材と蓋部材とのそれぞれの接合面に接合用金属膜が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
簡単な回路構成で２つの周波数帯域を出力可能とし、無線装置の小型化及びコストの低減を図る。
【解決手段】
発振回路部２６から発せられる基本周波数を逓倍回路部２７を介して出力する様にし、該逓倍回路部に給電する電圧を２つの異なる電圧に切換え可能とし、１つの電圧では前記逓倍回路部が増幅作動する様にし、他の電圧では該逓倍回路部が逓倍作動する様構成し、２つの周波数帯を択一的に発信可能とした。
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【課題】収容器に形成された配線に起因する寄生容量を低減する圧電発振器を提供する。
【解決手段】励振電極３１を備えた水晶振動片３０とボンディングパッド４１ａ〜４１ｆを備えたＩＣチップ４０とが、配線を有するセラミックパッケージ１０に収容され、平面視において水晶振動片３０とＩＣチップ４０とが重ならない位置に配置された水晶発振器１であって、セラミックパッケージ１０内に水晶振動片３０の励振電極３１と接続される配線の一部であるマウント電極１６，１７を備え、マウント電極１６，１７に水晶振動片３０がマウントされ、かつマウント電極１６，１７とＩＣチップ４０における水晶振動片接続用のボンディングパッド４１ａ，４１ｂとが、配線の一部を跨いで金属ワイヤ５０にて接続されている。 （もっと読む）

【課題】半田付けによる封止樹脂に対する弊害を防止した電子デバイスを提供する。
【解決手段】セラミックベース１２にＩＣチップ１６が実装され、前記ＩＣチップ１６の周囲を樹脂２０により封止してなる電子デバイス１０において、デバイス側面上層部に前記樹脂２０を露出させるとともに下層部に前記セラミックベース１２を露出させ、前記セラミックベース１２の下部領域に切欠部２２を形成し、この切欠面２２ａに実装電極２４を形成した。 （もっと読む）

【課題】２次および３次の温度特性を有する圧電振動片を混載した圧電発振器において、外部実装基板からの熱による周波数の変動を抑えた、優れた発振特性を有する圧電発振器を提供する。
【解決手段】パッケージ１０は、実装面と天井面との間に中間基板層１１を有し、この中間基板層１１の実装面側に設けられた凹部と実装面側リッド８とにより実装面側キャビティ５１が形成され、中間基板層１１の天井面側に設けられた二つの凹部と天井面側リッド９とにより第１の天井面側キャビティ５２Ａおよび第２の天井面側キャビティ５２Ｂが形成されている。実装面側キャビティ５１内には３次の温度特性を有するＡＴカット水晶振動片３０が接合されている。また、第１の天井面側キャビティ５２Ａ内には２次の温度特性を有する音叉型水晶振動片２０が接合され、第２の天井面側キャビティ５２Ｂ内にはＩＣチップ４０が接合されている。 （もっと読む）

【課題】高い静電印加電圧を必要とすることなく、共振特性に優れたレゾネータを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、圧電体層と圧電体層上に設けられた電極とを少なくとも含む多層薄膜による可動ダイアフラム部４が複数、半導体基板上に形成され、電極は、互いに異なる極性の電荷を発生する一対の電極（第１上部電極５、第２上部電極６）であり、複数の可動ダイアフラム部４のうちの任意の隣接する２つの可動ダイアフラム部４において、一方の可動ダイアフラム部４の一方の上部電極５と他方の可動ダイアフラム部４の他方の上部電極６とが電気的に接続され、隣接する２つの可動ダイアフラム部４において、電気的に接続された双方の上部電極５，６に同じ極性の電荷が発生するように複数の可動ダイアフラム部４が共振する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減すると共に、外部へ出力する発振信号の周波数安定性を良好にした圧電発振器およびリアルタイムクロックを提供する。
【解決手段】圧電発振器１０は、圧電振動子１２に接続し、発振信号を出力する発振回路１４と、発振信号を入力し、且つ、発振信号を外部に出力するか否かを選択する制御信号に基づいて、発振信号を外部に出力するか否かを切り替える出力切替部１６と、発振回路１４に接続し、発振信号を外部出力しない制御信号を入力すると、発振信号を外部出力するときに比べて負荷容量を小さくする負荷容量可変回路２０とを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】検査治具の構成が簡単で、検査がしやすく、かつ確実に検査を行うことができ、
検査用の端子により検査しても、製品の品質に悪影響を受けることがない制御端子付き電
子部品を提供すること。
【解決手段】内部空間Ｓ１を有し、蓋体１２により封止されるパッケージ１１と、内部空
間Ｓ１に収容され、パッケージ１１が封止された状態で、パッケージ１１の外面に設けた
制御端子３２と接続された内蔵部品１５，１６と、パッケージ１１の実装面に形成された
実装端子とを備えており、制御端子３２と、前記実装端子と接続された検査用端子３１と
が、パッケージ１１の実装面以外のひとつの面に向くように設けられている。 （もっと読む）

【課題】低消費電流化した発振回路および発振器を提供すると共に、外部との通信による誤動作の防止および高精度な発振回路および発振器を提供する。
【解決手段】発振回路１０は、外部との通信を行うインターフェース回路１２と、発振段２０とを備えたものであって、インターフェース回路１２に接続し、インターフェース回路１２に入力または出力する通信信号の外部通信端子４０と、インターフェース回路１２の制御信号入力端子に接続し、インターフェース回路１２をアクティブ状態またはスリープ状態に切り替える制御信号を入力する外部制御端子３８とを備えた構成である。そしてインターフェース回路１２は、外部制御端子３８および制御信号入力端子を介してインターフェース回路１２に入力した制御信号にしたがってアクティブまたはスリープのいずれかの状態になる。 （もっと読む）

可変周波数ωで動作できる電気共振器デバイスであって、少なくとも、音響共振器と、共振器に並列に結合され、虚数部が


ただしC₁≧0、に等しい調整可能な複素インピーダンスを有する第1の電気回路と、前記共振器および前記第1の電気回路に並列に結合され、虚数部が


ただしC₂<0、に等しい複素インピーダンスを有する第2の電気回路とを含み、ωが前記デバイスの動作周波数であることを特徴とする。
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【課題】高価なＦＥＴを用いることなく、例えば１０ＧＨｚ以上の高周波数波帯で用いる場合にも使用可能で、広帯域化を図った高周波発振回路を構成する。
【解決手段】デプレッション型のＮチャネルＦＥＴからなる発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のゲートを直列帰還素子である線路ＳＬ１を介して接地し、デプレッション型のＮチャネルＦＥＴからなるバッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースをキャパシタＣ２を介して高周波的に接地し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のゲートと発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインとを直流的に導通する第１のインピーダンス回路Ｚ１を介して接続し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースと発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインとの間に直流的に導通する直流抵抗成分を含む第２のインピーダンス回路Ｚ２を接続し、発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のソースと接地との間に直流的に導通する直流抵抗成分を含む第３のインピーダンス回路Ｚ３を設ける。 （もっと読む）

【課題】低背化を目的として、リード線が圧電振動子を保持する圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、回路パターンにその一端が電気的に接続されるリード線１２と、リード線１２の他端に電気的に接続された端子１３Ａを有する圧電振動子１３とを備え、圧電振動子１３の端子１３Ａとリード線１２とが絶縁層１４を介して容量結合されている構成としたものであり、圧電デバイスの低背化を適えることができるものである。 （もっと読む）

【課題】発振回路におけるロード電流の消費電力を低減化して、周波数調整の安定化を図ることを目的としている。
【解決手段】本発明の発振回路１０は、外部の圧電振動子２２を発振させ発振信号を出力する発振部２０と、圧電振動子２２が発振している状態で発振信号を出力するか否かを切替える出力バッファ６０と、発振部２０に接続された負荷容量を備え、この負荷容量を可変する可変容量回路３０と、可変容量回路３０の補正値データを記憶する記憶部４２と、記憶部４２からの補正値データを保持し、負荷容量を可変する信号を可変容量回路３０へ出力するラッチ回路４４と、出力バッファ６０における出力停止から出力開始への切替えをトリガとして、ラッチ回路４４に記憶部４２の補正値データをロードする読み込み制御部５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】小型であり、かつ耐衝撃性に優れた構造の圧電発振器を提供する。
【解決手段】パッケージ４１に圧電振動素子７を搭載して蓋９により気密密封した構造の圧電振動子７の外側底面に、複数のランド４０、４３と、前記ランド４０，４３と導通した回路素子６と、樹脂製のブロックの表面に導電膜を被覆した構成を有する樹脂コア導電体１００とを、備え、前記圧電振動子７の外側底面に前記回路素子６と前記樹脂コア導電体１００とを固定した構造をとる圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】高価なＦＥＴを用いることなく、例えば１０ＧＨｚ以上の高周波数波帯で用いる場合にも使用可能で、広帯域化を図った高周波発振回路を構成する。
【解決手段】発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のゲートを直列帰還素子である線路ＳＬ１を介して接地し、発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のソースをインダクタＬ３を介して直流的に接地し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のドレインをインダクタＬ１を介して電源端子Ｖｄに接続し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースをキャパシタＣ２を介して高周波的に接地し、且つバッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースを直流電流経路用インダクタＬ２を介して発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインに接続する。また、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のゲートと発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインとの間を直流カットキャパシタＣ１および線路ＳＬ２を介して接続し、この電気長を発振周波数の１／２波長未満とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部からの熱の伝達を減少させることを目的とする。
【解決手段】ベース１０は、外部端子１８を有し、外部端子１８が形成された面に凹部１２が形成され、非金属からなる。第１及び第２の電子部品２２，２４は、ベース１０の凹部１２に配置され、凹部１２の底面１４に固定されている。配線２０は、ベース１０に形成され、第１及び第２の電子部品２２，２４の少なくとも一方と外部端子１８を電気的に接続する。第１及び第２の電子部品２２，２４は、それぞれ、温度変化によって特性が変化する第１及び第２の素子２８，３０を内部に有する。第１の電子部品２２の表面から第１の素子２８に至る経路の熱の伝導経路の長さと、第２の電子部品２４の表面から第２の素子３０に至る経路の熱の伝導経路の長さと、が異なる。 （もっと読む）

【課題】Ｑが高く、耐電力性に優れているだけでなく、印加電圧によるインピーダンス特性曲線の乱れが生じ難い、圧電振動装置を得る。
【解決手段】圧電薄膜４の下面に下部電極５が、上面に上部電極６が形成されている圧電振動部３が基板２から浮かされた状態で支持部９，１０により支持されており、矩形の圧電振動部３の輪郭振動を利用しており、該輪郭振動と、圧電振動部３において生じる屈曲振動とが結合しないように、上記輪郭振動の共振周波数と屈曲振動の共振周波数とが隔てられている、圧電振動装置１。 （もっと読む）

【課題】Ｑが高く、かつ耐電力性に優れた、輪郭振動モードを利用した圧電振動装置であって、しかも、比帯域を容易に調整し得る圧電振動装置を提供する。
【解決手段】輪郭振動モードを利用する圧電振動装置１は、基板１０と、基板１０の上方に配置された圧電薄膜２３と、圧電薄膜２３上に形成された上部電極２４と、上部電極２４と圧電薄膜２３を介して重なり合うように形成されており、上部電極２４と共に圧電薄膜２３に交流電圧を印加し、圧電薄膜２３及び上部電極２４と共に圧電振動部２０を構成する下部電極２５と、基板１０に対してギャップＤを隔てて浮かされた状態で圧電振動部２０を支持する支持部３０とを備えている。平面視された際に、上部電極２４と下部電極２５とが、圧電振動部２０の主たる振動方向における端部において重なり合っていない。 （もっと読む）