【課題】従来の恒温槽を用いた高安定な圧電発振器では、複数の基板上に、恒温槽、発振回路や恒温槽制御回路などを内蔵した集積回路素子や電子素子、及び圧電振動子等個々の電子部品を配置固着し組み上げることにより構成されているため、製作時間が非常にかかり、且つその作業も自動化或いは標準化することが困難であった。又、このように各種電子部品により構成されているため、小型化にも限界があった。
【解決手段】高安定の圧電発振器において、容器体の外部基板実装側主面と反対側の主面上に平板状のペルチェ素子を、このペルチェ素子の吸熱側主面を容器体の外部基板実装側主面と反対側の主面に熱伝導性接着材を介して密着固定し、ペルチェ素子の電源端子が該容器体内に搭載された集積回路素子内のペルチェ素子制御回路と電気的に接続している圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】従来の圧電発振器では、第１のパッケージ体の外底面と第２のパッケージ体の側壁部頂面との間に隙間が空いており、この隙間からフィル樹脂やコンタミ等の不要物が入り込んでしてしまい、圧電発振器から出力される発振周波数信号に不要な変動が生じるという欠点を有していた。
【解決方法】一方端が第１のパッケージ体接続用電極端子に接続され、他方端が隣り合う他の２つの第１のパッケージ接続用電極端子に向かって延設した、第１のパッケージ体接続用延設電極端子が形成されており、更に、一方端が１つの第２のパッケージ体接続用電極端子に接続され、且つ他方端が隣り合う他の２つの前記第２のパッケージ接続用電極端子に向かって延設した、第２のパッケージ体接続用延設電極端子が形成されており、この対向して配置された各電極端子が、導電性接合材により電気的且つ機械的に接続してなる圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】 容易に集積回路素子と集積回路素子用容器体との間に不要物が入り込まないようにする。
【解決手段】 集積回路素子２０を搭載する凹部３０Ｃを有する集積回路素子用容器体３０の該凹部３０Ｃの上方に、圧電振動素子１１を内部に搭載して封止された圧電振動子１０が電気的及び機械的に接続された圧電発振器１００であって、凹部３０Ｃに集積回路素子２０が搭載され、圧電振動子１０と集積回路素子用容器体３０との間に形成される間隙５０を跨いで設けられるバンド部４０を備え、バンド部４０が熱により収縮する熱収縮性材からなり、間隙５０を塞ぐように構成されている。 （もっと読む）

【課題】実装基板との接合強度を確保しながら、特に平面サイズの小型化が可能な圧電発振器を提供する。
【解決手段】下側リードフレーム３１に、ＩＣ７０と接続される下部リード３３，３４，３５を形成し、この内側の一部を所定量ハーフエッチングすることにより形成される平面が略矩形のハーフエッチング部３７を回路素子搭載部３６とした。そして、回路素子搭載部３６上に、絶縁体であるダイアタッチフィルム８５によりＩＣ７０を接合する構成とした。また、下部リード３３，３４，３５のそれぞれの底面側を封止樹脂９０から露出させて、外部端子４０，４１，４２を形成した。さらに、ＩＣ７０の上面（能動面）に、上側リードフレーム５１に形成された振動子支持用リード５５が絶縁性接着剤８７により固定され、さらに、振動子支持用リード５５が、圧電振動子１０の底面に絶縁性接着剤８８を介して支持される構成とした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の圧電発振器を提供することにある。
【解決手段】
圧電素板１１に励振用電極１２を形成した圧電振動子１３と、発振回路を形成した半導体集積部品３７と蓋体４とから構成する圧電発振器において、半導体集積部品３７のデータ書込部３１は半導体集積部品３７の側面に沿って形成されており、半導体集積部品３７と圧電振動子１３を直接実装し電気的な接続と固着がなされており、半導体集積部品３７の周囲に絶縁封止部材１０を介して蓋体４が接合されている。 （もっと読む）

【課題】高密度化を実現しつつ、加工精度や組立精度を向上することができる高周波フロントエンドモジュールを提供する。
【解決手段】高周波フロントエンドモジュール１において、第１の電極３１、この第１の電極３１上の誘電体膜３２及びこの誘電体膜３２上の第２の電極３３を有し、第１の電極３１、誘電体膜３２及び第２の電極３３の各々の膜厚及び面積のばらつきが０．２％以内に制御されたキャパシタ３と、キャパシタ３を表面上に作り付ける基板２とを備える。 （もっと読む）

【課題】可変容量ダイオードのアノード電圧を調整して、制御電圧と周波数との関係の直線性を向上する電圧制御発振器の基準電圧調整方法および電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器１０は、圧電振動片１２と、カソード側が圧電振動片１２に接続した可変容量ダイオードＣｖと、この可変容量ダイオードＣｖのアノード側に接続した基準電圧発生源１６と、可変容量ダイオードＣｖのアノード側に一方が接続するとともに、他方がパッド１８に接続した抵抗とを備えている。また電圧制御発振器１０は、圧電振動片１２、可変容量ダイオードＣｖ、基準電圧発生源１６および前記抵抗を搭載するパッケージを備えている。そして、このパッケージは、パッド１８と導通し又は導通しないグランド用のボンディング電極を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来の恒温槽を用いた高安定な圧電発振器では、複数の基板上に、恒温槽、発振回路や恒温槽制御回路などを内蔵した集積回路素子や電子素子、及び圧電振動子等個々の電子部品を配置固着し組み上げることにより構成されているため、製作時間が非常にかかり、且つその作業も自動化或いは標準化することが困難であった。又、このように各種電子部品により構成されているため、小型化にも限界があった。
【解決手段】高安定の圧電発振器において、容器体の外部基板実装側主面と反対側の主面上に平板状のペルチェ素子を、このペルチェ素子の放熱側主面を容器体の外部基板実装側主面と反対側の主面に熱伝導性接着材を介して密着固定し、ペルチェ素子の電源端子が該容器体内に搭載された集積回路素子内のペルチェ素子制御回路と電気的に接続している圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】 電極端子を介して不要な電気信号が入力されることで圧電デバイスの特性劣化を引き起こすことのない信頼性の高い圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 パッケージ１３の外表面には回路素子１４および圧電振動片１２、または回路素子１４と圧電振動片１２のいずれかと電気的に接続され、回路素子１４への制御データの書込みまたは圧電デバイス１０の特性を出力する複数の電極端子１５が形成され、
少なくとも一つの電極端子１５の表面が絶縁部材１７により被覆されている圧電デバイスとする。 （もっと読む）

メガソニックプロセス装置および方法は、少なくとも３００ｋＨｚの基本共振周波数で厚さ方向モードで作動する１つ以上の圧電振動子を備える。発生器は、所定のスイープ周波数領域で変動する変動周波数駆動信号で振動子を起動する。発生器は、全振動子の共振周波数を含むスイープ周波数領域中で駆動信号の周波数を繰り返し変動させあるいはスイープする。 （もっと読む）

【課題】低背化を可能とする圧電デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子部品２０と、パッケージ３２内に圧電振動片３５が収容された圧電振動子３０とが、基板４０の配線パターン２７を介して電気的に接続されている圧電デバイスであって、電子部品２０は、基板４０の上面４０ａに配置され、圧電振動子３０は、基板４０と並列に配置されており、基板４０の上面４０ａ側であって、少なくとも圧電振動子３０と基板４０との接合領域に、樹脂６２が付着している。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、容器１の表面に圧電振動片１２を実装し、底面側に半導体部品３７を実装した圧電発振器であって、実装基板からの発熱による影響を半導体部品３７側と、圧電振動片１２側とで略同一とし、圧電振動片１２の温度変化による周波数変動量を正確に半導体部品３７に形成された温度センサで温度補償することが可能な圧電発振器を提供することにある。
【解決手段】
第１の空間１０と第２の空間２０が基板２を挟んで相反する方向に形成され、第１の空間１０には圧電振動片１２を密閉容器１で収納し、第２の空間２０には半導体部品３７を収納した圧電発振器において、第２の空間２０に収納する半導体部品３７は、基板２と接合部材３６で実装されると共に、半導体部品３７が実装される基板２面にはくぼみ３８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低背化され、且つ、ＩＣチップに損傷が生じることなく安定して製造される電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスは、部品側パッド１６が上面に設けられたＩＣチップ１４をパッケージベース２０上に配設し、このパッケージベース２０上にベース側パッド２６を設け、導電性を有するバンプ４０をベース側パッド２６上に設け、部品側パッド１６とバンプ４０とにこれらを導通させるワイヤ４２を設けた構成である。なおバンプ４０を多段に形成した場合、ベース側パッド２６上にある最下のバンプ４０を他のバンプ４０に比べて強くベース側パッド２６に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板の上面側に圧電振動素子を実装し、下面側に集積回路素子を実装した圧電発振器であって、集積回路素子の搭載に際し、高精度のマウンタ装置を必要としない簡易な製造方法で製造可能な圧電発振器を提供することにある。
【解決手段】空間部内には圧電振動素子が搭載されおり、更に蓋体により空間部を気密封止した圧電振動子部と、集積回路素子とが、機械的及び電気的に接続された圧電発振器において、基板の他方の主面に形成された集積回路素子接続用電極パッドには集積回路素子が接合固着されており、基板の他方の主面の、集積回路素子の少なくとも対角に位置する２つの角部付近には、位置決め用基体が形成されている圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子と収容器との固着強度の向上した圧電発振器、集積回路素子との固着強度を向上できる収容器、および収容器の製造方法を提供すること。
【解決手段】集積回路素子３が接着剤５で固定される導電体層１０が凹凸を有しているので、接着面積が増えいわゆるアンカー効果を生じさせることができ、集積回路素子３と導電体層１０との固着強度が向上した圧電発振器１を得ることができる。また、収容器４の一連の製造工程で行われる内部導電体層２０，２１の形成工程を利用して、パターン形成された内部導電体層２１の凹凸に応じた凹凸を有する導電体層１０を形成できる。したがって、新たな工程を加えることなく凹凸を有する導電体層１０が形成でき、集積回路素子３と導電体層１０との固着強度を向上できる収容器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子を接続するための凹部などの形成による基板の強度の劣化を防止し、耐衝撃特性を向上させた小型の圧電発振器を提供する。
【解決手段】本発明の圧電発振器としての水晶発振器１０は、圧電振動子としての水晶振動子２０が、ベースとなる基板１１上に異方性導電フィルム１４によって接続されており、水晶振動子２０と基板１１との空隙部分の基板１１上に回路部３０が接続されている。基板１１は、ほぼ平板状の絶縁材料からなり、その上面に水晶振動子２０との接続端子１２、回路部３０との接続端子１３などが形成されている。 （もっと読む）

【課題】数１００ＭＨｚから１０ＧＨｚ付近までの高周波数領域において、高い周波数純度の原発振が得られ、スプリアスが少なく信頼性の高い小型で使い易い、薄膜バルク弾性波発振器、および、その製造方法を提供すること。また、広帯域化された可変周波数範囲を有する電圧可変発振器、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】微細加工技術を用いて基板上にトランジスタやキャパシタンスの回路素子が形成された回路素子部と、回路素子部の上層であって基板及び該回路素子部と音響的に分離する為の高音響インピーダンス材料で構成される薄膜と低音響インピーダンス材料で構成される薄膜とを交互に積み重ねて構成された音響ミラー層と、該音響ミラー層の直上に薄膜形成技術を用いて形成された圧電体薄膜を上部電極層と下部電極層とで挟み込んだ構造とされかつ基板側と音響的に分離された薄膜バルク弾性波共振子とからなり、回路素子と薄膜バルク弾性波共振子とを微細加工技術を用いて配線接続する。 （もっと読む）

【課題】電子部品を覆う封止材にクラックが入るのを防ぎ、基板と電子部品を接合させる接合材の流れ出しを防いだ電子デバイスを提供する。
【解決手段】表面実装型の電子部品の下面に外部端子１６が設けられている。また前記電子部品が搭載される基板３０上に接合電極３２が設けられている。さらに基板には、開口部３８および切り込み部４０の少なくともいずれか一方が接合電極３２に隣接して設けられている。そして電子デバイスは、外部端子１６と接合電極３２を導電性の接合材１８で接合させて前記電子部品を基板３０に搭載し、前記電子部品の周囲を封止材１２で封止した構成である。この場合、開口部３８や切り込み部４０を前記電子部品の下側に設けることができる。 （もっと読む）

【課題】小型で帯域幅が広く、且つプロセスに対して固有振動周波数のバラツキの小さい振動子及び電気信号処理素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板２上に、シリコン基板２の表面と平行に薄膜音叉型屈曲振動子１が設置されている。薄膜音叉型屈曲振動子１は、２本の振動部と、その振動部を励振する励振部と、シリコン基板２に固定する支持部１−４と、振動部と励振部に蓄えられる振動エネルギーを支持部１−４と隔離するための台座部から構成される。より具体的には、薄膜音叉型屈曲振動子１は、下部電極が形成された基板上に圧電材料の薄膜が成膜され、この圧電体薄膜上に上部電極が形成された、音叉型屈曲振動子を有する。また、シリコン基板２上に、例えばＣＭＯＳインバータを用いた発振器が形成される。 （もっと読む）

【課題】
圧電発振器の製造工程において、半導体回路素子のハンダバンプにハンダフラックスを付着させるハンダフラックス工程を変更することで、製造工程の簡略化が可能な圧電発振器の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
複数個の半導体回路素子７が形成され、個々の半導体回路素子７には実装用電極１９と、実装用電極１９にはハンダバンプ１２が施してあるウエハー状シリコン基板３１に、ハンダフラックス１４を塗布しハンダバンプ１２を被うハンダフラックス１４の膜層を形成する工程と、ハンダフラックス１４の膜層が処理されたウエハー状シリコン基板３１を分割し個々の半導体回路素子７を得る工程と、半導体回路素子７を第１の容器２０基板に実装し加熱し導通と固着する工程と、気密構造の第２の容器１で構成する圧電振動子５とから成る。 （もっと読む）