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Fターム[5J079AA03]の内容

電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 周波数決定素子 (2,461) | 電気機械振動子 (2,458) | 圧電振動子 (2,040)

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Fターム[5J079AA03]に分類される特許

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【課題】小型で帯域幅が広く、且つプロセスに対して固有振動周波数のバラツキの小さい振動子及び電気信号処理素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板2上に、シリコン基板2の表面と平行に薄膜音叉型屈曲振動子1が設置されている。薄膜音叉型屈曲振動子1は、2本の振動部と、その振動部を励振する励振部と、シリコン基板2に固定する支持部1−4と、振動部と励振部に蓄えられる振動エネルギーを支持部1−4と隔離するための台座部から構成される。より具体的には、薄膜音叉型屈曲振動子1は、下部電極が形成された基板上に圧電材料の薄膜が成膜され、この圧電体薄膜上に上部電極が形成された、音叉型屈曲振動子を有する。また、シリコン基板2上に、例えばCMOSインバータを用いた発振器が形成される。 (もっと読む)


【課題】
圧電発振器の製造工程において、半導体回路素子のハンダバンプにハンダフラックスを付着させるハンダフラックス工程を変更することで、製造工程の簡略化が可能な圧電発振器の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
複数個の半導体回路素子7が形成され、個々の半導体回路素子7には実装用電極19と、実装用電極19にはハンダバンプ12が施してあるウエハー状シリコン基板31に、ハンダフラックス14を塗布しハンダバンプ12を被うハンダフラックス14の膜層を形成する工程と、ハンダフラックス14の膜層が処理されたウエハー状シリコン基板31を分割し個々の半導体回路素子7を得る工程と、半導体回路素子7を第1の容器20基板に実装し加熱し導通と固着する工程と、気密構造の第2の容器1で構成する圧電振動子5とから成る。 (もっと読む)


【課題】 取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の圧電発振器を提供する。
【解決手段】 集積回路素子10と、この集積回路素子10が搭載される集積回路素子搭載基部31と、この集積回路素子搭載基部31の外周縁部分に集積回路素子10を取り囲んで第一のキャビティ部34が形成される集積回路素子側枠部32と、圧電振動素子23と、この圧電振動素子23が搭載される圧電振動素子搭載基部21と、この圧電振動素子搭載基部21の外周縁部分に圧電振動素子23を取り囲んで第二のキャビティ部25が形成される圧電振動素子側枠部22と、第二のキャビティ部25を塞ぐ蓋体24と、集積回路素子側枠部32と圧電振動素子搭載基部21とを電気的、機械的に接続する導電性材33と、第一のキャビティ部34と導電性材33とを圧電振動素子側枠部22の外周面の高さまで覆う樹脂40とを備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】圧電振動子パッケージに対してベアチップから成るIC部品を外付けした表面実装型圧電発振器において、IC部品をアンダーフィルにより樹脂被覆する必要をなくしたことによりパッケージ平面積を減縮して全体形状を小型化する。
【解決手段】上面に圧電振動素子2の各励振電極と電気的に接続される素子搭載パッド4を有すると共に底部にIC部品搭載パッド5を有した絶縁基板3、素子搭載パッド上に搭載される圧電振動素子、及び該圧電振動素子を気密封止する蓋部材8を備えた圧電振動子2と、IC部品搭載パッドに電気的に接続される電極を備え且つ発振回路を構成するIC部品11と、IC部品の外面の少なくとも一部に密着すると共に、底面に実装端子を露出配置したフレキシブル基板20と、を備え、IC部品搭載パッドとIC部品の電極と実装端子との間を、フレキシブル基板によって導通した。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造される電子デバイスを提供する。また平面サイズの小型化をするとともに、薄型化した電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、基板側パッド24を並べて基板20上に配設し、IC側パッド14が上面に並べて設けられたICチップ12を、IC側パッド14の並べられた方向と基板側パッド24の並べられた方向とを交差させて基板20上に設け、基板側パッド24とIC側パッド14とをワイヤ32で接合した構成である。このワイヤ32は、逆ボンディング法を用いて接合されている。そして電子デバイスには、IC側パッド14の並べられた方向に沿うICチップ12の側辺に隣接して電子部品が基板20上に設けられ、複数の基板側パッド24のうちの少なくとも一部と電子部品とが導通している。 (もっと読む)


【課題】各部品を保護すると共に、低背化を可能とする圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】基板20の上面に、圧電振動子30とこの圧電振動子30よりも高さの低い電子部品40とが横並びに実装されている圧電デバイス10であって、基板20の上面側は、圧電振動子30の上面(蓋体34の上面)34aが外部に露出するようにして、全体が樹脂50で覆われている。 (もっと読む)


【課題】製造ばらつき、粗悪品、経年劣化などによって、発振子の発振周波数が所望の周波数範囲内にないとき、発振周波数を修正することが可能な、電力を必要以上に消費しない発振装置を提供する。
【解決手段】発振子1の第1発振周波数を、周波数/電圧変換回路5によって電圧に変換し、判定制御回路6によって、前記電圧を用いて第1発振周波数が所望の周波数範囲内にあるか否かを判定し、第1発振周波数が所望の周波数範囲内にある場合にはスイッチ7をβにつなぎ、トランジスタ8をオフ状態とし、第1発振周波数が所望の周波数範囲内にない場合にはスイッチ7をαにつなぎ、トランジスタ8をオン状態とする。 (もっと読む)


【課題】デバイスパッケージの表裏面に振り分けられた端子を用いてデータ書き込みを行う場合、特に裏面側の端子を通じて行うデータ書き込みを簡単な構成で実現する。
【解決手段】パッケージ表裏面に端子を有する電子デバイスへの外部信号を入力する方法である。トレイのデバイスパッケージ収容部の境界に跨ってデバイスパッケージの裏面側端子と電気的に接続される導電性金属ブロックを取り付ける。このブロックのパッケージ収容領域外への露出部分に対して、収容パッケージ表面側からプローブを下降接触させることにより、外部信号の入力を行う。 (もっと読む)


【課題】内部に設けられた電子部品本体に信号を確実に入力し、電子部品本体に書き込まれた信号の改変、消去を防ぐとともに、通常使用時に蓋体の電位が固定されている電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、パッケージベースに電子部品本体を実装して、前記パッケージベース上に金属製の蓋体18を接合した構成である。前記電子デバイスには、前記蓋体18と前記電子部品本体とを導通させるライン38が設けられており、前記蓋体18を前記電子部品本体に信号を入力するための端子としている。そして前記ライン38は、インピーダンス素子50を介して固定電位部に接続されている。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、フリップチップ実装される半導体部品37を収容するためのキャビティを有する容器に半導体部品をモールドすべく、キャビティ内に、樹脂を被覆する電子部品である圧電発振器において、半導体部品の発熱による放熱を瞬時に行うことが可能な伝熱構造を提供することにある。
【解決手段】
フリップチップ実装される半導体部品37を収容するためのキャビティ20を有する容器1に、半導体部品37をモールドすべく、キャビティ20内に、第1の樹脂38と、第1の樹脂38を被覆する第2の樹脂39とを充填して成る電子部品である圧電発振器において、第1の樹脂38で半導体部品37の周囲を覆い、第2の樹脂39は第1の樹脂38を覆うように樹脂を形成する、キャビティ20内側壁全面にメタライズ処理により形成する電極膜6を配置した。 (もっと読む)


【課題】簡素な回路構成により、低消費電流化、低ノイズ化及び発振位相安定度の向上が可能な自励発振回路を実現する。
【解決手段】振動式センサの振動子を自励発振させる自励発振回路において、圧力を検出する振動子を有する振動式センサと、振動式センサからの出力を受ける差動増幅回路と、第1のエミッタフォロア回路と第2のエミッタフォロア回路とから構成され、振動式センサからの出力電圧を出力電流に変換するトランスコンダクタンスアンプとして動作する発振回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】内部に設けられた電子部品本体に信号を確実に入力し、また電子部品本体に書き込まれた信号の改変、消去を防ぐとともに、ユーザ使用時に蓋体の電位が固定されている電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、パッケージベースに搭載され、外部から入力された信号が書き込まれる処理記憶部46と、外部から前記信号が入力される端子となり、前記パッケージベースの上面に接合された導電性を有する蓋体18と、前記蓋体18と前記処理記憶部46との間に配設され、前記信号の書き込み使用時は前記蓋体18と前記処理記憶部46とを導通させるとともに、ユーザ使用時は前記蓋体18を接地部44とを導通させるスイッチ回路48と、を有する構成である。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、フリップチップ実装される半導体部品を有する圧電発振器において、瞬間的な発熱による熱変動が生じた場合に半導体部品から発する熱温度と圧電振動子の感応する熱温度とを瞬時に整合可能な圧電発振器構造を提供することにある。
【解決手段】
同一密閉容器3の同一キャビティ8中に圧電振動子2と半導体部品5を収納してなる圧電発振器1において、半導体部品5の実装端子9と圧電振動子2の引き出し電極10とが導電性接合材4によりオーバーハングした状態で搭載され、半導体部品5の他の実装端子9がキャビティ8底面に接続されている。 (もっと読む)


【課題】小型化を図ると共に、低廉な圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】厚み方向の中央付近に配置された基板12と、基板12の上面に、基板12
を底部にするようにして圧電振動片20を収容するためのキャビティS1が形成された振
動子パッケージ28と、基板12の下面に配置され、圧電振動片20と電気的に接続され
た電子部品とを備えた圧電デバイス10であって、振動子パッケージ28は、基板12の
上面に空き領域16,16を形成するように配置され、この空き領域16,16に、圧電
振動片20及び/又は電子部品と電気的に接続された複数の検査端子部18,18が設け
られている。 (もっと読む)


【課題】小型化をしても、実装強度を確保することができる圧電デバイスを提供すること

【解決手段】厚み方向の中央付近に配置された基板12と、基板12の上面12aに配置
され、基板12を底部にするようにして圧電振動片20を収容するためのキャビティS1
が形成された振動子パッケージ28と、基板12の下面12bに配置された電子部品30
とを備えた圧電デバイス10であって、電子部品30は、基板12の下面12bに配置さ
れた枠状部材39の内側に収容されて、この枠状部材39の下端部39bに設けられた実
装端子部42と電気的に接続されており、実装端子部42は枠状部材39の外側の側面部
39cに回り込んでいる。 (もっと読む)


【課題】 低背化を妨げることなく、耐衝撃性能を高め、発振周波数の変動の影響がないより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 ベース1と蓋4を有する表面実装型圧電発振器であって、集積回路素子2と、圧電振動板3と、前記集積回路素子を収納する第1の収納部と、前記圧電振動板の一端部を保持する保持台が形成された第2の収納部と、堤部とを有してなるベースと、前記ベースに被せて気密封止してなる金属蓋とを具備してなり、前記ベースの第1の収納部には、前記集積回路素子の能動回路面を下面に向け、かつ前記集積回路素子の非能動回路面を上面に向けて配置されるとともに、前記集積回路素子の非能動回路面を前記保持台より下側に位置させて集積回路素子が配置されており、圧電振動板の他端部を、集積回路素子の非能動回路面へ漸次近接させながら配置している。 (もっと読む)


【課題】発振用IC素子への周波数調整用データを書き込みやすく、実装時の取り扱いも容易な圧電デバイスの提供。
【解決手段】ウェハチップに発振制御用のIC回路とキャビティ8を有し、キャビティに圧電振動片5を装着した発振用IC素子2に、書き込み端子12を備えた端子基板3を組み合わせ構造的、電気的に一体とする。発振用IC素子2と端子基板3の結合を補強材14で補強することがある。また、これらの接合対面間に樹脂15が充填されることがある。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、圧電発振器及び圧電振動子の高機能化、複合デバイス化の対応が可能な圧電発振器及び圧電振動子を提供することにある。
【解決手段】 同一密閉容器1の同一キャビティー7中に少なくとも2つ以上の圧電振動素板11、12を収納し、圧電振動素板11、12に励振電極18、19を形成した圧電振動子であって、各圧電振動子の各々の励振電極18、19部分が重ならない配置で密閉容器1内に搭載されている。 (もっと読む)


【課題】 近接配置された2つの電極パッド上に夫々塗布した導電性接着剤を用いて単一の圧電振動素子を電気的機械的に接合するようにした圧電振動素子の支持構造において、導電性接着剤間の短絡を防止しつつ、耐衝撃性、接着強度を高めるようにした圧電振動素子の支持構造、表面実装型圧電振動子、及び表面実装型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 絶縁基板面に近接配置された2つの電極パッド6の各面上に塗布した導電性接着剤7により単一の圧電振動素子10を接着して支持する圧電振動素子の支持構造において、2つの電極パッド間に位置する絶縁基板面と、絶縁基板面と対向する圧電振動素子面との間を絶縁性弾性接着剤20により接着した。 (もっと読む)


【課題】 例えば通信機器やコンピュータ等に使用される圧電発振器であって、出力周波数の周波数偏差を小さく抑える恒温手段を備える圧電発振器の実現を目的とする。
【解決手段】 課題を解決するために本発明は、少なくとも、圧電振動子と半導体回路素子と容器とから構成する圧電発振器であって、前記半導体回路素子に温冷手段を備えることにより圧電振動子の周囲環境温度を平準化する圧電発振器で、前記の温冷手段は、ペルチェ素子を用いることで実現し前記ペルチェ素子は前記半導体回路素子と一体的に半導体基板に形成されることにより課題を解決する。 (もっと読む)


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