【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（ＳＡＷ共振子１０）と、増幅回路２０と、スイッチング素子（ＮＭＯＳスイッチ３０）と、を含む。増幅回路２０は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第１のインダクタンス素子（伸長コイル２００）、当該帰還経路に設けられ、第１のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子（可変容量ダイオード２０２）、を有している。スイッチング素子は、第１のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発振子と発振回路とのインピーダンス整合を容易にとることができる発振回路及び発振器を提供する。
【解決手段】発振回路１００が、第１の入力端子４と、第１の出力端子５と、第１の入力端子４に接続される信号調整部１０と、第１の入力端子４及び第１の出力端子５に接続される信号形成部２０と、を含み、該信号調整部は、第１の素子１３、第１の抵抗１１、第２の抵抗１２及び第１のコンデンサー１４を有し、第１の素子１３は、一方端が第１の入力端子４に接続され、他の一方端が第１の抵抗１１の一方端、第２の抵抗の一方端及び第１のコンデンサーの一方端に接続され、第１の抵抗は、他の一方端が第１の電源２に接続され、第２の抵抗は、他の一方端が第２の電源３に接続され、第１のコンデンサーは、他の一方端が第２の電源に接続され、該信号形成部において、第１の出力端子から出力される信号は、第１の入力端子から入力された信号を基に形成される。 （もっと読む）

【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性（Ｑ値やゲイン等）への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。
【解決手段】 静電駆動型振動子（固定電極１および振動子３）の出力電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を、演算増幅器１４並びに抵抗１１，１２および１３を備えた負性インピーダンス変換回路１０で構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現するとともに、周波数のバラつきを抑制可能な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を含み、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、を備え、平面視で、前記電極指の間の位置に、前記水晶基板の窪である電極指間溝を配置し、前記電極指間溝の間に配置されている前記水晶基板の凸部のライン占有率をηｇ、前記凸部上に配置されている前記電極指のライン占有率をηｅとし、前記ＩＤＴの実効ライン占有率ηｅｆｆを前記ライン占有率ηｇと前記ライン占有率ηｅとの相加平均とした場合、下記式の関係を満たす。


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【課題】位相の可変範囲がより広い移相器を提供する。
【解決手段】移相器は、第１ポートに入力された信号の位相を、第３ポートおよび第４ポ
ートに接続されたリアクタンスに応じて変化させて、信号を第２ポートから出力する結合
器と、第１容量の一端が第３ポートに接続され、第１容量の他端が第１可変容量ダイオー
ドの一端に接続され、第２容量の一端が第４ポートに接続され、第２容量の他端が第２可
変容量ダイオードの一端に接続され、第１可変容量ダイオードの他端および第２可変容量
ダイオードの他端が共通電位線に接続された制御部と、第１容量の他端および共通電位線
の間で直列接続された第３容量および第１インダクターと、第２容量の他端および共通電
位線の間で直列接続された第４容量および第２インダクターとを有する。 （もっと読む）

【課題】第１のパッドと第２のパッドとの間に振動子が接続されて発振動作を行う半導体集積回路装置において、寄生容量を低減して調整可能な発振周波数の範囲を広くすると共に、外部から供給される電源電圧の値によって発振周波数が変化することを防止する。
【解決手段】この装置は、第３／第４のパッドから第１／第２の電源電位が供給されて安定化電源電位を出力する電圧レギュレータと、安定化電源電位が供給されて動作する反転増幅回路と、第１／第２のパッドに接続されたアノードと電圧レギュレータの出力端子に抵抗を介して接続されたカソードとを有する２つのダイオードと、第１／第２のパッドに接続されたカソードと第４のパッドに接続されたアノードとを有する２つのダイオードと、第３のパッドと第４のパッドとの間に接続されたトランジスタと、上記抵抗と第４のパッドとの間に接続されたトランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を決定する容量値の変化に伴う発振周波数の変動を抑え、且つ、位相雑音を低減することのできる発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置は、ドレイン接地回路からなる第１増幅回路１０と、第１増幅回路１０の出力を増幅する、ゲート接地回路からなる第２増幅回路２０と、第２増幅回路２０の出力を第１増幅回路の入力に帰還させるコンデンサＣ１と、第１増幅回路１０の入力側に設けられた共振器２と、共振器２及び第１増幅回路１０内のトランジスタＱ１に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路１２と、第２増幅回路２０内のトランジスタＱ２に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路２２とから構成される。この結果、位相雑音の発生を、単一のトランジスタからなるコルピッツ発振回路と同程度に抑えつつ、容量変化によって発振を起動できなくなったり、発振周波数が変動するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角（−1.5°≦φ≦1.5°，117°≦θ≦142°，42.79°≦｜ψ｜≦49.57°）の水晶基板３０を用い、ＳＡＷを励振するＩＤＴ１２およびこれを挟む一対の反射器２０と、電極指１８間の水晶基板３０を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、0.01λ≦Ｇを満たし、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηとが−2×Ｇ／λ＋0.72≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.01λ≦Ｇ≦0.05λ）、および、−3.5898×Ｇ／λ＋0.7995≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.05λ＜Ｇ≦0.0695λ）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイスの製造を容易なものとしつつ、小型化を図ることができる圧電デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】内部端子対５５が設けられたベース基板５１と、ベース基板５１に対して固定された圧電体基板２１と、圧電体基板２１上に設けられたＩＤＴ２２と、圧電体基板２１上に設けられ、ＩＤＴ２２に電気的に接続された引出電極対２４とを備える弾性表面波素子片２と、内部端子対５５の一方の端子と引出電極対２４の一方の端子とに跨るように接合された第１の受動部品３１と、内部端子対５５の他方の端子と引出電極対２４の他方の端子とに跨るように接合された第２の受動部品３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】出力特性の変化を抑制でき、構成を簡略化できる発振回路、アクティブタグ及び発振出力制御方法を提供すること。
【解決手段】交流電流を出力する発振回路３であって、電源部と、エミッタＱ３、ベースＱ２及びコレクタＱ１を有し、コレクタＱ１に電源部からの直流電圧が印加されるトランジスターＱと、コレクタＱ１に接続され、前記交流電流が出力される出力端子Ｔと、エミッタＱ３から出力されるエミッタ電圧を測定する電圧測定手段（Ａ／Ｄコンバーター）５３と、電圧測定手段５３によるエミッタ電圧の測定結果に基づいて、エミッタ電圧が一定となるように、ベースＱ２に印加されるベース電圧を制御する電圧制御手段（ＣＰＵ）６とを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】周波数の経時的変化を抑制できるＳＡＷデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板１１にすだれ状電極１２を形成するＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１と、（１）すだれ状電極１２の電極指１２ａ，１２ｂの質量を変化させる工程、（２）すだれ状電極１２に質量体を付加する工程、（３）電極指１２ａ，１２ｂ間に露出している圧電基板１１をエッチングする工程の（１）〜（３）の少なくとも１つの工程を行い、ＳＡＷ素子片１０の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ５と、第１周波数調整工程Ｓ５後、ＳＡＷ素子片１０を２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱するアニール工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の機能素子を実装し、封止した電子部品で機能素子に加わる応力を低減させる。
【解決手段】電子部品１００は、一方の基板Ｐ上にバンプ２０を介して接続される機能素子が配置された他方の基板１を備え、一方の基板Ｐと他方の基板１との間に形成された封止空間Ｋ内に機能素子が配置され、封止空間Ｋ内の環境を維持するため、他方の基板１が配置された基板Ｐ上に他方の基板１を覆って形成される封止薄膜２を備えている。 （もっと読む）

【課題】所望の特性を有し、しかもパッケージサイズが十分に小型化したＳＡＷ発振器と、このような小型化を可能にするインダクタ部品と、を提供する。
【解決手段】基板２上に渦巻状のスパイラル配線５を有してなる薄膜コイルインダクタ部品１である。スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。また、この薄膜コイルインダクタ部品１と、これをマウントした半導体チップ２３と、薄膜コイルインダクタ部品１の非配置領域９に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子２５と、を備えてなる発振器２０。 （もっと読む）