【課題】機械振動を応用した絶縁アンプは、１次側から２次側へ伝達する振動振幅は振動体のＱ値に依存するため、変調レベルが安定せずアナログ信号を高精度で伝達できない。また、Ｑ値が高い振動体を使うと入力信号の変化への追従性が悪くなり、帯域幅がほとんど得られない。
【解決手段】Ｑ値の高い同一の振動体上に、第１の振動数を有する発振用振動子と第２の振動数を有する絶縁用振動子とを形成し、特に第１の振動数と前記第２の振動数とには所定の差を持たせる。発振用振動子により第１の振動数で発振するＡＧＣ機能付きの発振器を構成し、この発振信号に絶縁アンプ入力信号による振幅変調をかけて絶縁用振動子の１次側を振動させ、絶縁用振動子の２次側から得られる信号をＡＧＣモニタ信号をもとに復調することで絶縁アンプ出力信号を得る。 （もっと読む）

【課題】ＯＣＸＯにおいて、水晶振動子及び発振回路の置かれている雰囲気温度を高い精度でコントロールし、出力周波数について高い安定度が得られること。
【解決手段】第１及び第２の水晶振動子１０、２０の発振出力をｆ１、ｆ２とし、基準温度における前記発振出力の発振周波数を夫々ｆ１ｒ、ｆ２ｒとすると、周波数差検出部３により、｛（ｆ２−ｆ１）／ｆ１｝−｛（ｆ２ｒ−ｆ１ｒ）／ｆ１ｒ｝を演算する。この値を３４ビットのディジタル値で表わすことにより温度に対応してディジタル値を得ることができる。従ってこの値を温度検出値として取り扱い、温度設定値との差分をループフィルタ６１に供給し、ここからのディジタル値を直流電圧に変換し、ヒータ５を制御する。更に前記温度検出値に基づいて、ＯＣＸＯの設定周波数を補正し、雰囲気温度が基準温度からずれたことによる周波数の変動分を補償するようにする。 （もっと読む）

【課題】ＯＣＸＯにおいて、水晶振動子及び発振回路の置かれている雰囲気温度を高い精度でコントロールし、出力周波数について高い安定度が得られること。
【解決手段】第１及び第２の水晶振動子１０、２０の発振出力をｆ１、ｆ２とし、基準温度における前記発振出力の発振周波数を夫々ｆ１ｒ、ｆ２ｒとすると、周波数差検出部３により、｛（ｆ２−ｆ１）／ｆ１｝−｛（ｆ２ｒ−ｆ１ｒ）／ｆ１ｒ｝を演算する。この値を３４ビットのディジタル値で表わすことにより温度に対応してディジタル値を得ることができる。従ってこの値を温度検出値として取り扱い、温度設定値との差分をループフィルタ６１に供給し、ここからのディジタル値を直流電圧に変換し、ヒータ５を制御する。 （もっと読む）

【課題】メモリの容量を抑えることができる発振装置を提供すること。
【解決手段】第１の発振回路の発振周波数をｆ１、基準温度における第１の発振回路の発振周波数をｆ１ｒ、第２の発振回路の発振周波数をｆ２、基準温度における第２の発振回路の発振周波数をｆ２ｒとすると、ｆ１とｆ１ｒとの差分に対応する値と、ｆ２とｆ２ｒとの差分に対応する値と、の差分値に対応する差分対応値を求める周波数差検出部と、この周波数差検出部にて検出された前記差分対応値ｘに基づいて環境温度が基準温度と異なることに起因するｆ１の周波数補正値を取得する補正値取得部と、を備え、装置固有の除算係数をｋとすると、前記補正値取得部は、ｘ／ｋに相当する値であるＸについてｎ次の多項式を演算することによりｆ１の周波数補正値を求める機能を備えるように装置を構成して、多項式の係数を小さくする。 （もっと読む）

調節可能な共振周波数を有し、大きな信号を扱うことができる調整可能なＭＥＭＳ共振器が説明される。１つの例示的設計では、調整可能なＭＥＭＳ共振器は、（ｉ）キャビティおよび支柱を有する第１の部分と、（ｉｉ）支柱の下に配置された可動プレートを含み、第１の部分と対になった第２の部分とを含む。各部分は、もう一方の部分と対向する表面上を金属層で覆われていてもよい。ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を変化させるために、可動プレートを、直流電圧で機械的に動かすことができる。キャビティは、長方形または円形の形状を有してもよく、空であっても、誘電材料で満たされていてもよい。支柱は、キャビティの中央に位置してもよい。可動プレートは、第２の部分に、（ｉ）１つのアンカーによって取り付けられて片持ち梁として働いてもよく、あるいは、（ｉｉ）２つのアンカーによって取り付けられてブリッジとして働いてもよい。
（もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、寄生容量および寄生インダクタンスが大きく異なることによる発生する、周波数特性の歪み、スプリアス周波数などの異常発振を抑制することを目的とする。
【解決手段】高周波側のＳＡＷ素子６を第１幅員の第１電極指と、第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、第１電極指と第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、第１電極指と第３電極指とを同相とし、第２電極指と第１電極指および第３電極指とを逆相とし、第１幅員と第３幅員とを同値とし、第１間隙と第２間隙とを同値とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】品質係数Ｑ値が高く、容量比の小さい超小型の音叉型屈曲水晶振動子と水晶ユニットと水晶発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】逆相の屈曲モードで振動し、音叉基部と音叉基部に接続された第１及び第２音叉腕とを備えた音叉型水晶振動子７０と、ケース７１と、蓋７２を備えて構成されるユニット１７０であって、水晶ウエハの上面と下面の各々に金属膜を形成し、その上にレジストを塗布、第１及び第２音叉腕とを形成し、第１及び第２音叉腕の各々の上面と下面に溝を形成、その上に形成された第１電極が、第２音叉腕の側面に形成された第２電極に接続され、同様に第２音叉腕に形成された第３電極が、第１音叉腕の側面に形成された第４電極に接続され、音叉型屈曲水晶振動子の発振周波数が少なくとも２回、異なる工程で調整されていて、ケースの固定部に音叉型屈曲水晶振動子が固定され、ケースに蓋が接続される。 （もっと読む）

【課題】発振用とした主たる振動周波数の周波数安定度を高めた２周波用の表面実装デバイスを提供する。
【解決手段】両主面の励振電極から外周部２箇所に引出電極３を延出して面対向した第１及び第２水晶片１（ａｂ）と、これらを収容する凹状とした容器本体４とを備え、第１水晶片１ａの引出電極の延出した外周部２箇所は第２水晶片１ｂの外周部に設けた第１導通端子９に導電接合材６によって固着し、第１導通端子は第２水晶片の他主面の第２導通端子１０と電気的に接続し、第２水晶片の引出電極の延出した外周部２箇所と、第２導通端子の外周部２箇所との計４箇所は、前記容器本体の内表面に導電接合材によって固着し、第１水晶片の固着位置を結ぶ直線と、前記第２水晶片の固着位置を結ぶ直線及び前記第２導通端子の固着位置を結ぶ直線とは同一直線上から外れた構成とする。 （もっと読む）

【課題】共通の水晶片に２つの振動領域が設けられた水晶振動子を用いた水晶発振回路において、不要な周波数成分が低減された周波数信号を得ることのできる水晶発振回路及びこの回路を利用した感知装置を提供する。
【解決手段】互いに異なる発振周波数を取り出すための２つの振動領域１０５ａ、１０５ｂを共通の水晶片１００上に設けた水晶振動子１０を備えた水晶発振回路１１ａ、１１ｂは、各振動領域１０５ａ、１０５ｂより取り出される周波数信号中に含まれる相手側の振動領域１０５ｂ、１０５ａの発振周波数に相当する周波数成分を低減するためのバンドエリミネーションフィルタを備えている。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の連続性を備えながら広帯域化を実現する。
【解決手段】弾性表面波発振器１は、出力端子ＯＵＴ１と出力端子ＯＵＴ２に差動接続されたクロスカップル型回路１０と、クロスカップル型回路１０に並列に接続される共振周波数の異なるＳＡＷ共振子２０，３０と、出力端子ＯＵＴ１から印加される第１の制御電圧に応じて容量値が変化するバリキャップダイオード５０を含みＳＡＷ共振子２０共振周波数を変化させる可変容量回路１００と、出力端子ＯＵＴ２から印加される第２の制御電圧に応じて容量値が変化するバリキャップダイオード６０を含みＳＡＷ共振子３０の共振周波数を変化させる可変容量回路２００と、を有し、ＳＡＷ共振子２０と可変容量回路１００、ＳＡＷ共振子３０と可変容量回路２００、とが接続され、クロスカップル型回路１０によって、ＳＡＷ共振子２０とＳＡＷ共振子３０との結合された発振出力を出力する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が低く、高品質化及び高性能化された圧電振動片を低コストで効率良く大量生産すること。
【解決手段】圧電板２０の両面に第１の保護膜２０を成膜する工程と、第１の保護膜を、溝部５の領域を空けた状態で圧電振動片の外形形状にパターニングする工程と、第１の保護膜をマスクとしてドライエッチングにより圧電板をエッチング加工して、溝部を形成すると共に第１の保護膜でマスクされていない領域を表面から溝部の深さｈ１だけエッチングする工程と、溝部を第２の保護膜の成膜により保護する工程と、第１の保護膜及び第２の保護膜をマスクとしてウェットエッチングにより圧電板をエッチング加工して、表面から溝部の深さまでエッチングされた圧電板の残りの部分を完全に取り除き、一対の振動腕部及び基部を形成する工程と、第１の保護膜及び第２の保護膜を除去する工程とを行う圧電振動片の製造方法を提供する。 （もっと読む）

メガソニックプロセス装置および方法は、少なくとも３００ｋＨｚの基本共振周波数で厚さ方向モードで作動する１つ以上の圧電振動子を備える。発生器は、所定のスイープ周波数領域で変動する変動周波数駆動信号で振動子を起動する。発生器は、全振動子の共振周波数を含むスイープ周波数領域中で駆動信号の周波数を繰り返し変動させあるいはスイープする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、圧電デバイスの高機能化、複合デバイス化の対応が可能な圧電デバイスを提供することにある。
【解決手段】
同一密閉容器１の中に第１及び第２の圧電振動素板１１，１２の長手方向位置を同じにして高さ方向に保持方向が相反する位置関係で固着・収納し、第１及び第２の圧電振動素板１１，１２から外部に導通する引出配線１４を持ち、第１及び第２の圧電振動素板１１，１２が容器１を構成するベース２に対して略水平に保持され、半導体部品１６とで構成する圧電デバイスにおいて、第１の圧電振動素板１１が第２の圧電振動素板１２より高い周波数で発振する。 （もっと読む）

【課題】 コルピッツ型水晶発振器の発振を確実にすると共に位相雑音を改善する手段を得る。
【解決手段】 トランジスタのベース−接地間に水晶振動子を接続し、ベース−接地間に第１及び第２の容量を直列接続した回路を接続し、エミッタ−接地間に第１の抵抗を接続し、第１及び第２の容量の中点とエミッタ間に周波数選択素子を接続して構成したコルピッツ型水晶発振器であって、前記周波数選択素子に電界効果トランジスタのドレイン及びソースを並列接続し、ゲート接地間に第２の抵抗を接続し、ゲート電−源間に第３の容量を接続して圧電発振器を構成する。 （もっと読む）

【目的】 水晶振動子が外部から大きな制動を受ける環境においても良好な発振を維持することができる水晶発振回路を提供する。
【構成】 本発明の請求項１はコレクタとエミッタとの間に第１の水晶振動子を接続したベース接地の水晶発振回路において、ベースと接地電位との間に発振周波数に等しい共振周波数を有する第２の水晶振動子を直列に介挿したことを特徴とする水晶発振回路であり、請求項２は請求項１に記載のものにおいて、ベースと第２の水晶振動子との接続点から発振出力を取り出すことを特徴とする水晶発振回路であり、請求項３は請求項１に記載のものにおいて、エミッタと第１の水晶振動子の接続点から発振出力を取り出すことを特徴とする水晶発振回路である。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動子を半導体素子等の他の電子部品とともに収容しても小型化が可能であり、かつ圧電振動子の発振周波数特性等の特性に優れるとともに、外部の電気回路等に対する電気的な接続の信頼性に優れた圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に凹部５が形成された絶縁基体１と、絶縁基体１の上面の凹部５の周囲に全周にわたって形成された枠部１０と、枠部１０の内側から絶縁基体１の外表面にかけて形成された配線導体６と、絶縁基体１の上面に凹部５を塞ぐように取着される蓋体７とを具備しており、凹部５に圧電振動子２，３および電子部品４が収容され、蓋体７の上面に半導体素子８が搭載されている。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動子を半導体素子等の他の電子部品とともに収容しても小型化が可能であり、かつ圧電振動子の発振周波数特性等の特性に優れるとともに、外部の電気回路等に対する電気的な接続の信頼性に優れた圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に複数の凹部５が形成された絶縁基体１と、絶縁基体１の上面の複数の凹部５の周囲に全周にわたって形成された枠部１０と、枠部１０の内側から絶縁基体１の外表面にかけて形成された配線導体６と、絶縁基体１の上面に複数の凹部５を塞ぐように取着される蓋体７とを具備しており、複数の凹部５のうちの１つに圧電振動子２，３が収容されるとともに他の一つに電子部品４が収容され、蓋体７の上面に半導体素子８が搭載されている。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動子を半導体素子等の他の電子部品とともに収容しても小型化が可能であり、かつ圧電振動子の発振周波数特性等の特性に優れるとともに、外部の電気回路等に対する電気的な接続の信頼性に優れた圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に３つの凹部が形成された絶縁基体１と、絶縁基体１の上面の３つの凹部５の周囲に全周にわたって形成された枠部１０と、枠部１０の内側から絶縁基体１の外表面にかけて形成された配線導体６と、絶縁基体１の上面に３つの凹部５を塞ぐように取着される蓋体７とを具備しており、３つの凹部５のうちの２つにそれぞれ圧電振動子２，３が収容されるとともに他の１つに電子部品４が収容され、蓋体７の上面に半導体素子８が搭載されている。および電子部品４が収容され、蓋体７の上面に半導体素子８が搭載されている。 （もっと読む）