【課題】金属バンプで圧電振動片を保持してもベース基板から伝わる応力、歪を低減させた圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の圧電振動デバイスは、圧電振動片が表裏に形成された励振電極を有した、ＡＴモードで発振する圧電振動片であり、且つ、励振電極の一方は、圧電振動片の短辺の中心線上で、且つ、圧電振動片の一方の短辺に近接する位置に金属バンプを介してベース基板と接続する構成であり、励振電極のもう一方は、前記短辺と同じ側で、且つ、圧電振動片の一方の前記短辺と圧電振動片の一方の長辺が交わる部分に近接する位置に金属バンプを介してベース基板と接続する構成である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、集積回路素子の電極パッドと、半田バンプとの接合強度の低下を防ぐ圧電装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の圧電装置１００は、素子搭載部材１１０と、素子搭載部材１１０に搭載されている圧電素子１２０と、素子搭載部材１１０の表面に形成されており、素子搭載領域１１８ａおよび引き回し領域１１８ｂを含んでいる金属パターン１１８と、半田バンプ１３２によって金属パターン１１８の素子搭載領域１１８ａに電気的に接続されている集積回路素子１３０とを備え、金属パターン１１８が素子搭載領域１１８ａと引き回し領域１１８ｂとの間に設けられた凸部１１９を有しており、凸部１１９の少なくとも表面部分が金属酸化物から成る。 （もっと読む）

【課題】発振用素子の温度変化を低減して安定した発振周波数を得られる恒温型発振器を提供する。
【解決手段】回路基板２に装着された導熱板６と、導熱板６における回路基板２との対向面の反対面に搭載された水晶振動子５と、水晶振動子５とともに発振回路を構成する発振用素子７及び水晶振動子５の温度を検出するサーミスタ８と、水晶振動子５を加熱する加熱抵抗９と、サーミスタ８及び加熱抵抗９とともに温度制御回路を構成して少なくともパワートランジスタ１０ａを含む温度制御素子１０とを有する恒温型の水晶発振器１において、導熱板６の外周部には水晶振動子５を中心とした点対称となる位置に少なくとも厚さ方向に連通した開放部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが形成され、開放部１２の全てに同数のパワートランジスタ１０ａ及び加熱抵抗９がそれぞれ一つ以上配置された構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及び支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４、第２の支持部１５、第３の支持部１６及び第４の支持部と、を備えている。第２の支持部１５は、第２の傾斜部１５ｂと、第２の支持部本体１５ａと、を備えており、第２の支持部１５には、少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パッケージ内に形成される電極による浮遊容量の発生が抑えられた圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電発振器（１００）は、圧電振動片（１１０）と、励振電極（１１１）と、一端側と他端側とに引き出された一対の引出電極（１１２）と、励振電極を励振させる一対の圧電端子（１２５ａ）、電源を接続される電源端子、励振電極が励振した周波数を出力する出力端子、及び接地用のグランド端子を有する発振回路（１２０）と、一対の圧電端子から一対の引出電極まで配線する一対の配線電極（１３９）を有するパッケージ（１３０）と、を備え、一対の圧電端子が、互いに対向する位置に配置され、一対の圧電端子の両側に、電源端子、出力端子及びグランド端子の少なくとも１つが配置され、一対の配線電極が、圧電端子から互いに逆方向に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及び支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４、第２の支持部１５、第３の支持部１６を備えている。第２の支持部１５は少なくとも一つのスリット２０が設けられている。励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂとの電極材料及び膜厚を異ならせて構成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及振動領域１２と一体化された厚肉の支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４と、第１の支持部１４との一端に連設する第２の支持部１５、を備えている。第１の支持部１４は、厚みが変化する第１の傾斜部１４ｂと、四角柱状の第１の支持部本体１４ａと、を備え、第１の支持部１４には少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスが抑圧され、耐衝撃性に強い小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及振動領域１２と一体化された厚肉の支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４と、第１の支持部１４の一端に連設する第２の支持部１５と、第１の支持部１４の他端に連設する第３の支持部１６と、を備えている。第１の支持部１４は、厚みが変化する第１の傾斜部１４ｂと、四角柱状の第１の支持部本体１４ａと、を備え、第１の支持部１４には少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】実装時の振動部への応力を緩和させた圧電振動片、およびこれを用いた圧電モジュールを提供する。
【解決手段】圧電基板に、厚み滑り振動を励振する振動部２２と、前記振動部２２の周縁に前記振動部２２の厚みよりも厚みが薄い周縁部１７と、が設けられた圧電振動片１０であって、前記周縁部１７には、緩衝部１４とマウント部１２が順に連結され、前記緩衝部１４は、前記マウント部１２と前記周縁部１４との間にスリット１６を有し、前記マウント部１２は、前記マウント部１２と前記緩衝部１４と前記周縁部１７との並ぶ方向に対して直交方向の両端部に、切欠き１２ａを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量を小さくし、負性抵抗を減少させない圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器（１００）は、一対の励振電極を有する圧電振動片（１０）と、圧電振動片を発振させる発振回路（２０）を収容するキャビティ底面と該キャビティ底面の法線方向にキャビティ底面から形成されたキャビティ壁とを有するセラミックパッケージ（３０）と、キャビティ壁の上面に配置されたグランド電位のシールリング（４１）と、シールリングで溶接される金属製リッド（５）と、キャビティの底面に形成され圧電振動片と発振回路とを電気的に接続する一対の配線電極（３６ｂ）と、を備える。そして、圧電発振器（１００）は、キャビティ底面の法線方向から見て、一対の配線電極（３６ｂ）とシーリング（４３）とが重なる領域のセラミック壁はその内部に空洞（４３）が形成される。 （もっと読む）

【課題】 熱分散を防止して、回路における熱伝導の効率を向上させ、良好な温度特性を有する恒温槽付水晶発振器の温度制御回路を提供する。
【解決手段】 ＰＮＰ型のパワートランジスタＴｒ１のコレクタ側とサーミスタＴＨ側を金属の共通パターン８を用いてグランドレベルに接続し、パワートランジスタＴｒ１のエミッタに接続するヒーター抵抗ＨＲを流れる電流を制限するＰＮＰ型の電流制限用トランジスタＴｒ２を設けて、熱源をパワートランジスタＴｒ１の一つにして熱分散を防止し、パワートランジスタＴｒ１のコレクタの熱を共通接続するサーミスタＴＨ（センサー７）に伝導する恒温槽付水晶発振器の温度制御回路である。 （もっと読む）

【課題】歪みによる振動素子の特性の低下を防止しつつ、小型化を図ることのできる振動デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】振動デバイス１は、内側に収納空間４ａを有するパッケージ４と、収納空間４ａに収納されたジャイロ素子２およびＩＣチップ３と、を有している。パッケージ４は、ＩＣチップ３が設置されたＩＣチップ設置面５２２を備えるＩＣチップ設置領域Ｓ２と、ＩＣチップ設置領域Ｓ２に並設され、ジャイロ素子２が設置された振動素子設置面５２１を備える振動素子設置領域Ｓ１と、を有する板状の底板５を有している。ＩＣチップ設置領域Ｓ２は、その厚さが振動素子設置領域Ｓ１よりも薄く、ＩＣチップ設置面５２２は、振動素子設置面５２１よりも底側に位置している。 （もっと読む）

【課題】リッド基板用ウエハ（第１ウエハ）とベース基板用ウエハ（第２ウエハ）との位置決めを簡単に精度良くできるパッケージの製造方法、この製造方法により製造された圧電振動子、この圧電振動子を備えた発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッケージ９の製造方法において、リッド基板用ウエハ（第１ウエハ）位置決め側面５１を形成する第１ウエハカット工程と、ベース基板用ウエハ（第２ウエハ）位置決め側面４１を形成する第２ウエハカット工程と、各ウエハ４０，５０の相対位置を決めて重ね合わせる位置決め工程Ｓ６１と、を備え、位置決め工程Ｓ６１では、位置決め治具８０の位置決め面８１を各位置決め側面４１，５１に当接させて、各ウエハ４０，５０の相対位置を決めることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】蓋基板２とベース基板３の位置合わせを容易とし、不良発生率を低下させた電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の電子デバイス１は、蓋基板２と、この蓋基板２と接合し、蓋基板２との間に外気から密閉されるキャビティ４を構成するベース基板３と、このキャビティ４に収納される電子素子５と、蓋基板２又はベース基板３の外表面に設置されるモールド材６とを備えるようにしたので、蓋基板２又はベース基板３の反りが低減した。 （もっと読む）

【課題】周波数精度の高いＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、少なくとも一部が前記第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３４、梁部３４の一端３４ａを支持し基板１０の上方に配置された支持部３２を有する第２電極３０と、を含み、支持部３２の一端３４ａを支持する支持側面３２ａは、基板１０の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端３４ａは、屈曲部を含む支持側面３２ａにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】小型化に対応するとともに接合信頼性が高い貫通電極を有する圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】水晶発振器１は、集積回路基板２の一主面２００に回路パターン５が形成され、他主面２０１に水晶振動素子４が蓋体３で気密封止されている。回路パターン５から他主面２０２までを貫く貫通孔の内壁面には導電膜が被着された中空状の貫通電極６が形成されている。貫通電極６の一端側には金属バンプＢ１が配されており、前記一端側から貫通電極６の内部に金属バンプＢ１の一部が埋没した状態で、樹脂接着材を介して金属バンプＢ１が水晶振動素子４と接合されている。 （もっと読む）

【課題】エージング特性、接合強度および平行度の各要素をそれぞれ高いレベルで実現することのできるＳＡＷデバイス、ＳＡＷ発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、圧電基板２１にＩＤＴ２２を形成したＳＡＷチップ２と、ＳＡＷチップ２を支持するベース基板３１１と、ＳＡＷチップ２をベース基板３１１に固定する固定部材４と、を有する。ＳＡＷチップ２は、その平面視にて、ＩＤＴ２２と重ならない位置で固定部材４を介してベース基板３１１に片持ち支持されている。ｙ軸方向におけるＳＡＷチップ２の長さをＷとし、ｙ軸方向における固定部材４の長さをＤとしたとき、１＜Ｄ／Ｗ≦１．６なる関係を満足する。また、固定部材４は、ＳＡＷチップ２の固定端２８の下面２８１および側面２８２ａ、２８２ｂとベース基板３１１とを接合するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】 省スペース化を実現し良好な特性を有する超小型の圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、パッケージ２の一主面側に水晶振動素子４が搭載され、蓋３によって水晶振動素子４が封止され、パッケージ２の他主面側にはＩＣチップ５を収容する凹部２３が形成された構造となっている。ＩＣチップ５は、凹部２３の内底面２３０に、ＩＣチップ５の一主面の全領域または一部の領域が樹脂材７を介して接合されており、ＩＣチップ５の他主面は能動面となっている。そして前記他主面の外部接続用電極パッド５１に形成された導電性部材６は水晶発振器１の外部接続端子となっている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い圧電デバイスの製造方法を実現する。
【解決手段】圧電デバイス１０の製造方法は、回路素子４０の接続電極４２，４５に第１バンプ７２，７５を形成する工程と、パッケージ２１内に圧電振動片３０を収容し、圧電振動片３０と電気的に接続されるパッケージ２１の外底面２２ａに設けられた外部端子５０，５３を有する圧電振動子２０と、貫通孔６１，６２有する配線基板６０と、を接合する工程と、貫通孔６１，６２の外部端子５０，５３を露出する位置に第２バンプ７７，７８を形成する工程と、貫通孔６１，６２の配設位置において、第１バンプ７２，７５と第２バンプ７７，７８を接合し、外部端子５０，５３と接続電極４２，４５とを接続する工程と、を含む。 （もっと読む）