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Fターム[5J079DB02]の内容

電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 三次温度特性の補正 (364) | 感温素子の特性利用 (33)

Fターム[5J079DB02]に分類される特許

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【課題】広範な温度範囲に亘って安定した発振周波数を得ること。
【解決手段】実施形態に係る温度補償型発振器は、水晶振動子と、集積回路素子とを備える。集積回路素子は、水晶振動子の発振周波数に対して温度補償を行う温度補償回路を含み、補償後の発振周波数を出力周波数として出力する。そして、温度補償回路は、第1の温度と第2の温度とによって挟まれる第1の区間よりも、第1の温度より低い第2の区間および第2の温度より高い第3の区間のほうが、温度上昇に対する周波数偏差の平均低下率が大きい出力周波数となるように温度補償を行う。 (もっと読む)


【課題】共振子を接続して発振回路を完成するように設計された集積回路に、温度補償を得るためにTCXOを接続すると消費電力が大きくなる。
【解決手段】振動子ユニット20は水晶振動子Xtalを含んで一体に構成され、Xtalの両端子を外部回路に接続するための外部接続端子N1,N2を備える。振動子ユニット20は、Xtalに接続された可変容量キャパシタCと、Cの容量を制御する温度補償部28とを有する。温度補償部28はXtalの近傍における温度を検知する温度センサ回路30を備え、振動子ユニット20の外部からのトリガ信号の入力に応じて、温度センサ回路30の検知出力に基づいてCの容量を調節する。 (もっと読む)


【課題】X軸の正負が互いに反転した複数の領域を有する水晶片を形成するにあたり、各領域の大きさや形状を精度高く制御することができる水晶片の製造方法を提供すること。
【解決手段】水晶の原石を、当該原石のX軸に直交するX面に沿って分割して第1の分割片及び第2の分割片を形成する工程と、次いで第1の分割片と、第2の分割片とをX軸の正負が互いに反対向きになるように接合して接合体を形成する工程と、次いで前記接合体をX軸方向に切断し、その面内に第1の分割片から形成される第1の領域と、第2の分割片から形成される第2の領域とを含む水晶片を形成する工程とを含むように水晶片を製造して、双晶を形成する。 (もっと読む)


【課題】 温度センサー電圧出力のばらつきを低減して、IC毎の温度センサー電圧出力の温度傾き及びオフセット電圧の調整作業を不要とし、製造工程における効率を向上させることができる発振器を提供する。
【解決手段】 制御回路が1チップに集積された発振器において、第1の温度センサー11と第2の温度センサー12と減算器17とを備え、減算器17が、第1の温度センサー11から出力される第1の温度センサー電圧(V1)と第2の温度センサー12から出力される第2の温度センサー電圧(V2)との差分(V1−V2)を温度センサー電圧出力として外部に出力する発振器としている。 (もっと読む)


【課題】製造を容易にして製造コストを低減し、正確な温度補償をする。
【解決手段】第一凹部K1と第二凹部K2と第三凹部K3とが形成された素子搭載部材110と、第一凹部内に搭載されるATカット水晶振動素子120と、第二凹部内に搭載される音叉型水晶振動素子130と、第三凹部内に搭載される1つの集積回路素子150と、第一凹部と第二凹部とを塞ぐ蓋部材140とを備え、集積回路素子が、ATカット水晶振動素子に接続される第一抵抗及び第一インバータと、音叉型水晶振動素子に接続される第二抵抗及び第二インバータと、メモリと、温度センサーと、温度センサーとメモリとに接続しATカット水晶振動素子とバリキャップダイオードを介して接続する第一温度補償信号発生回路と、温度センサーとメモリとに接続し音叉型水晶振動素子とバリキャップダイオードを介して接続する第二温度補償信号発生回路とを備えている。 (もっと読む)


【課題】素子搭載部材が割れることを防ぎ、安定して気密封止することができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111と、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲む段差部DBと、段差部DBを囲む封止用導体パターンHPとが一方の主面に設けられている素子搭載部材110と、圧電振動素子搭載パッド111に搭載され、励振用電極122が設けられている圧電振動素子120と、圧電振動素子120を気密封止する蓋体130と、を備え、封止用導体パターンHPと段差部DBとの間隔が、30〜100μmである。 (もっと読む)


【課題】発振周波数が変動すること防ぐことができ、安定して気密封止することができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス100は、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111と、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲む封止用導体パターンHPと、封止用導体パターンHPの主面に設けられている前記2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲む段差部DBと、を有する素子搭載部材110と、圧電振動素子搭載パッド111に搭載され、励振用電極122が設けられている圧電振動素子120と、圧電振動素子120を気密封止する蓋部材130と、を備え、段差部DBの厚みが、15〜70μmである。 (もっと読む)


【課題】
発振周波数の変動を防ぐ電子デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の電子デバイスは、第一の凹部と第二の凹部を有する素子搭載部材と、第一の凹部に収容され、圧電素板の両主面に励振用電極を備える圧電振動素子と、第二の凹部に収容され、少なくとも発振回路を備える集積回路素子と、第一の凹部を封止する蓋部材と、素子搭載部材の第二の凹部側に接合され、一方の主面の中央に設けられる放熱用パターンと一方の主面の四隅に設けられる枠部接続端子と他方の主面の四隅に設けられる外部接続端子とを備える放熱基板と、放熱用パターンの表面と集積回路素子の回路形成面の反対側になる面とが導電性接着剤を介して接合され、放熱用パターンと枠部接続端子の一つとが接続され、放熱用パターンと接続された枠部接続端子と外部接続端子の一つとが接続されている。 (もっと読む)


【課題】発振装置の周囲の温度が急激に変化しても、出力信号の発振周波数が変動することを抑制することができる発振装置の提供。
【解決手段】第1の電位から第2の電位への変化と、第2の電位から第1の電位への変化とを、それぞれ所定のタイミングで順次繰り返すことにより生成された制御信号SIが与えられると、制御信号SIの信号レベルを調整するレベル調整部1200と、信号レベルが調整された制御信号SIに対して波形整形を行うことにより、補正電圧VCを生成する波形整形部1300と、温度補償部500から出力された補償電圧に、波形整形部1300から出力された補正電圧VCを加算することにより、補償電圧を補正し、当該補正された補償電圧を可変容量素子C100及びC200に印加する加算部600とを備える。 (もっと読む)


【課題】圧電振動子の周波数の温度安定度をより向上させた温度補償型圧電発振器及び電子機器を提供すること。
【解決手段】温度補償型圧電発振器1は、圧電振動子100の入出力の一方側に接続され、印加電圧に応じて容量が変化する可変容量素子110と、圧電振動子100の入出力の他方側に選択接続可能に設けられ、圧電振動子100の負荷容量となる複数の容量素子130と、を含む圧電発振部10を有する。さらに、温度補償型圧電発振器1は、複数の容量素子130から温度情報に対応した容量素子を圧電振動子100の入出力の少なくとも一方側に選択接続し、圧電振動子100の温度特性を補償する選択接続処理を行う選択接続処理部20と、温度情報に対応して圧電振動子100の温度特性を補償する補償電圧を可変容量素子110に印加する補償電圧発生部30と、を含む。 (もっと読む)


【課題】周波数変動を防止することができる圧電発振器及び生産性を向上させることができる圧電発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電発振器100は、基板部110aと枠部110bによって基板部の一方の主面に凹部空間111が設けられた容器体110と、凹部空間内に露出した基板部110aの一方の主面に設けられた2個一対の圧電振動素子搭載パッド113に搭載され、励振用電極が設けられている圧電振動素子120と、基板部110aの他方の主面に設けられた集積回路素子搭載パッドに搭載されている集積回路素子140と、凹部空間111を気密封止する蓋体130と、基板部110aの他方の主面に設けられた枠体接続用電極端子114に接続されているガラスからなる枠体WTと、を備えている構成。 (もっと読む)


【課題】周波数温度特性を補正して設計を容易にした水晶発振器を提供する。
【解決手段】電圧可変容量素子3を水晶振動子1に直列に接続して、電圧可変容量素子3の端子間に制御電圧Vcを印加し、水晶振動子1の端子間から見た発振回路側の直列等価容量を可変して発振周波数を可変してなる水晶発振器において、制御電圧Vcは第1抵抗Raと第2抵抗Rbによって分圧されるとともに、第1抵抗Ra又は第2抵抗Rbの少なくとも一方を温度に依存して抵抗値の変化する温度感応抵抗とし、発振周波数の周波数温度特性を補正した構成とする。 (もっと読む)


【課題】組み立て後でも、圧電振動素子特性検査を容易に行える事で、生産性や作業性を向上でき、小型化に対応可能な圧電発振器の提供。
【解決手段】基板部の一方の主面に第1の枠部と第1の枠部よりも幅が狭い第2の枠部とが設けられて、第1の凹部空間111が形成され、基板部他方の主面に第3の枠部が設けられて、第2の凹部空間が形成された容器体110と、第1の凹部空間111内に設けられた2個一対の圧電振動素子搭載パッド113a、113bに搭載される圧電振動素子120と、第2の凹部空間内に設けられた集積回路素子搭載パッドに搭載される集積回路素子140と、段差部D1に接合され、第1の凹部空間111を気密封止する第1の蓋体170と、第2の枠部の主面に接合される配線基板130と、を備え、配線基板130の第1の蓋体170と対向する主面の反対側主面に2個一対の圧電振動素子測定用パッド131a、131bが設けられる構成。 (もっと読む)


【課題】瞬間的な温度変化や風などによる微細な温度変動(揺らぎ)による周波数揺らぎ
を除去する手段を得る。
【解決手段】温度を検出する温度センサ回路6と、温度センサ回路6のセンサ出力に基づ
いて周波数制御を行う周波数制御回路7と、圧電振動子と電圧制御型の可変容量素子とを
含み、周波数制御回路7の出力信号により発振周波数を調整可能な発振回路5と、温度セ
ンサ回路6のセンサ出力に含まれる高域成分電圧信号のみを通過させるハイパスフィルタ
回路8と、を備え、温度センサ回路6は、第1のセンサ出力と、第1のセンサ出力とは温
度と出力電圧との関係が互いに逆特性となる第2のセンサ出力を出力し、第1のセンサ出
力をハイパスフィルタ回路8に入力し、ハイパスフィルタ回路8の出力を第2のセンサ出
力に重畳して、周波数制御回路7に入力するようにした。 (もっと読む)


【課題】 簡易な回路によりMEMS振動子の温度補償を行い、かつ出力するクロックにジッタを有さない緩やかな補償処理を行い、基準周波数の基準値に対する変動範囲を上記デジタル処理と同等とするMEMS発振器を提供する。
【解決手段】 本発明のMEMS発振器は、MEMS振動子と、温度を測定し、該温度に比例する検出電圧を出力する温度測定部と、MEMS振動子の共振周波数の温度変化に対し、該温度変化と逆の共振周波数の変化を与えるバイアス電圧を、前記検出電圧に対応して前記MEMS振動子に与えるバイアス電圧制御回路とを有する。 (もっと読む)


【課題】温度補償のための回路網が発生する出力雑音が、温度補償型水晶発振器の位相雑音を特性に影響するという課題があった。
【解決手段】周囲の温度変化に対して、電位が1次関数的に変化して、負極性の温度勾配係数を有する温度信号S12と、同じように電位が1次関数的に変化して、正極性の温度勾配件数を有する温度信号S10とを合成して、2つの初期温度信号より温度勾配係数が増幅された温度信号を基に温度補正信号発生回路270を制御して、温度補正に係る入力段の温度センサー回路から温度信号発生回路に至るまでの信号増幅率を下げる。 (もっと読む)


【課題】環境温度の急激な変化時に、熱応答性が低い圧電振動子の温度特性による周波数
変化を温度補償する場合、熱応答性が高い温度補償回路による補償電圧信号の出力を適正
にして、瞬間的な温度変化に伴う周波数変動を抑制する。
【解決手段】規定の発振周波数を出力するように構成された圧電発振回路と、この圧電発
振回路に接続され環境温度を検出して前記圧電発振回路に安定周波数を出力させるための
温度補償電圧信号を生成する温度補償回路とを有する圧電発振器である。圧電振動子の温
度特性変化の時定数に一致する時定数とさせる前記温度補償回路の遅延回路を設けた。温
度補償回路の温度補償出力電圧による補償量の変化の時定数と、圧電振動子の温度特性変
化の時定数とを一致させるように、温度補償電圧出力を遅延させることができる。 (もっと読む)


【課題】発振回路の出力周波数を制御する3次関数制御電圧の電圧ノイズを低減した温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】水晶振動子と、発振周波数制御装置を備えた増幅器と、水晶の発振周波数の温度補償回路と、で構成される温度補償型水晶発振器であって、前記温度補償回路の補償電圧のリファレンス電圧を、ダイオードの順方向電圧を使用して生成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より小型化できるようにする。
【解決手段】温度補償型圧電発振器は、圧電振動片と、前記圧電振動片に電気的に接続し
た複数のコンデンサ素子からなるコンデンサアレイチップ38とを有する。コンデンサア
レイチップ38は、能動面にトリミング窓50が設けてある。トリミング窓50には、コ
ンデンサアレイチップ38を構成している複数のコンデンサ素子の少なくとも一部のコン
デンサ素子の配線パターンに設けたトリミング部52を露出させていて、レーザにより切
断可能となっている。 (もっと読む)


【課題】 樹脂の充填を容易にして、生産性を向上させる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】
基部11とこの基部11の主面に設けられる枠部12とでキャビティ13が形成される基体10と、キャビティ13内に設けられる集積回路素子20と、基体10と集積回路素子20との間に充填される樹脂30とから構成される電子デバイス101であって、集積回路素子20の基部11側と対向する面に側面まで伸びる溝部21を4方向に設けた。 (もっと読む)


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