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Fターム[5J079FA05]の内容

電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 回路素子 (3,033) | 半導体素子 (1,687) | FET (266) | MOSFET、MISFET (171)

Fターム[5J079FA05]に分類される特許

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【課題】低消費電流を実現できる定電圧回路及びそれを用いた水晶発振回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路10に温度特性調整素子を備えることにより、定電圧の温度変化に対して負となる傾きと、水晶発振回路20における発振可能な最低動作電圧の温度変化に対して負となる傾きとの差を極小にできるので、水晶発振回路20の消費電流を小さくでき、さらに定電圧回路10で生成する定電流を小さくすることにより、定電圧回路10の消費電流を小さくでき、発振装置100全体の消費電流を小さくできる。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の変動による発振周波数の変動を抑え、安定して発振する発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置において、水晶振動子を接続する入出力端子に有する静電保護回路のNMOSトランジスタのドレインを接地電位に接続し、ゲートとソースと基板は水晶振動子の入出力端子を接続し、さらに接地電位と電源間に静電保護回路を備えることにより、電源電圧の変動による水晶発振回路の寄生容量値は変化せず、発振周波数の変動を抑え、安定して発振できる。 (もっと読む)


【課題】消費電力の低減と、製造コストの低減とを両立する発振回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置によれば、直列に接続されて、かつ、それぞれがダイオード接続された複数のMOSトランジスタを用いて、発振回路部を駆動させる電圧を生成する。このとき、複数のMOSトランジスタで生成される電圧の値は、電源電圧と、各MOSトランジスタのスレッショルド電圧の比率とに基づいて得られる。したがって、各MOSトランジスタのスレッショルド電圧を小さく抑えることが出来て、各MOSトランジスタの面積を節約することが出来て、発振回路部の消費電力を削減することが出来る。 (もっと読む)


【課題】共振子を接続して発振回路を完成するように設計された集積回路に、温度補償を得るためにTCXOを接続すると消費電力が大きくなる。
【解決手段】振動子ユニット20は水晶振動子Xtalを含んで一体に構成され、Xtalの両端子を外部回路に接続するための外部接続端子N1,N2を備える。振動子ユニット20は、Xtalに接続された可変容量キャパシタCと、Cの容量を制御する温度補償部28とを有する。温度補償部28はXtalの近傍における温度を検知する温度センサ回路30を備え、振動子ユニット20の外部からのトリガ信号の入力に応じて、温度センサ回路30の検知出力に基づいてCの容量を調節する。 (もっと読む)


【課題】 入力波形が急峻な場合でも反転電位を用いずに容易にデューティを補正することができるCMOSインバータを提供する。
【解決手段】 PMOSトランジスタP1と、NMOSトランジスタN1と、入力端子NGと、出力端子NDとを具備し、前記PMOSトランジスタ側もしくは前記NMOSトランジスタ側に接続されたスイッチを有している。前記スイッチがPMOSスイッチP2の場合には前記PMOSトランジスタ側に接続され、前記スイッチがNMOSスイッチの場合には前記NMOSトランジスタ側に接続される。入力端子NGに入力信号を入力した後に、前記スイッチに設けられた制御端子G1に制御信号を前記入力信号とずらして入力することによって前記入力信号の電圧を保持させ出力信号のデューティ補正を行う。 (もっと読む)


【課題】電源電圧が低電圧化されても安定した発振動作が可能な水晶発振器を提供する。
【解決手段】本発明の水晶発振器は、高電位側電源と水晶振動子(2)の一端並びに他端との間に設けられた第1,第2の抵抗(R1,R2)と、その一方の主端子が前記水晶振動子の一端並びに他端と接続された第1,第2のトランジスタ(T1,T2)と、第1,第2のトランジスタの他方の主端子間に接続されたキャパシタ(C1)と、第1,第2のトランジスタの他方の主端子と低電位側電源との間に設けられた電流源(IR1,IR2)又は抵抗と、第1,第2のトランジスタの一方の主端子と第2,第1のトランジスタの制御端子との間に設けられ、一方の主端子の電圧に追従するとともに一方の主端子の電圧から直流オフセット電圧分降下した電圧を生成して制御端子に印加させる第1,第2の電圧フォロワ回路(4,5)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたPLL回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第1のノードと第2のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第1のノードと電気的に接続される第1のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第1のコンタクトとは離れて形成され、前記第2のノードと電気的に接続される第2のコンタクトと、を有する。前記第1のノードまたは前記第2のノードから発振信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】負荷のドライブ能力を変更できる、発振回路を提供すること。
【解決手段】定電圧生成回路70と、発振出力Voscを生成する発振出力生成回路80と、定電圧生成回路70によって生成された定電圧Vref’が電源電圧として供給される複数のMOSFET回路D1,D2,D3を並列に有し、複数のMOSFET回路D1,D2,D3のそれぞれの出力点P1,P2,P3が互いに接続された出力回路90と、複数のMOSFET回路D1,D2,D3の中から選択入力に応じて選択されたMOSFET回路を発振出力Voscに従って駆動する駆動回路91とを備え、前記選択入力に応じて選択されていないMOSFET回路の出力が、ハイインピーダンスである、発振回路。 (もっと読む)


【課題】実装する機器側の入力インピーダンスに整合するような温度補償型圧電発振器を得る。
【解決手段】温度を検出する温度センサ10と、温度センサ10の温度検出結果に応じた補償電圧を発生する補償電圧発生回路11と、圧電振動子6を備え補償電圧に基づいて所定の発振周波数で発振する発振回路12と、発振回路12の発振出力をバッファするバッファ回路13と、各種情報を記憶するメモリ14と、を備え、バッファ回路13は、発振回路12の発振出力を増幅する増幅回路と、増幅回路の出力に設けられ容量を選択可能な容量回路と、を有し、メモリ14により容量回路の容量を設定するようにした。 (もっと読む)


【課題】搭載された素子を破壊することなく、発振端子と汎用端子の兼用化を実現する。
【解決手段】第1の入出力端子102と、第1の入出力端子102に対応する第1の電子回路部106と、第2の入出力端子103と、第2の入出力端子103に対応する第2の電子回路部107と、入力部と出力部とを備え、制御信号200により出力部がハイインピーダンスにされる第3の電子回路部100と、第1の入出力端子102を、第1の電子回路部106、または、入力部と接続させる切り替え機能を有する第1のスイッチ104と、第2の入出力端子103を、第2の電子回路部107、または、出力部と接続させる切り替え機能を有する第2のスイッチ105と、第1のスイッチおよび第2のスイッチを切り替えるための制御信号出力する制御レジスタ108とを具備する。 (もっと読む)


【課題】水晶発振回路を含む発振装置、半導体装置、電子機器等の消費電力を全体として抑制する。
【解決手段】発振装置は、第1の定電流を生成する第1の定電流源と、第1の定電流が通電され、定電圧を生成する定電圧制御トランジスターとを含む定電圧生成回路と、定電圧発生回路から供給される定電圧により発振駆動される水晶発振回路とを備える。定電圧は、動作保証温度範囲において第1の定電流に応じて変動する第1の傾きを有する。水晶発振回路において、動作保証温度範囲における発振停止電圧は第2の傾きを有する。第1の傾きは、第1の傾きと第2の傾きとの差と相関を有する水晶発振回路の消費電流と、第1の定電流の大きさと相関を有する定電圧生成回路の消費電流との和を極小とするように定められており、第1の定電流は、定電圧制御トランジスターをサブスレッショルド領域で動作させる値に設定されている。 (もっと読む)


【課題】出力信号の周波数のふらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】空隙を隔てて配置された第1電極11及び第2電極12を有するMEMS振動子10と、第1入力端子221及び第1出力端子222を有し、利得が1よりも大きい利得部22と、第2入力端子241及び第2出力端子242を有し、利得が1よりも小さい利得制限部24と、を含む増幅部20と、第1出力端子222と接続される出力端子30と、を含み、第1電極11と第1入力端子221とが接続され、第1出力端子222と第2入力端子241とが接続され、第2出力端子242と第2電極12とが接続される。 (もっと読む)


【課題】発振装置において、発振安定化容量として用意されたキャパシタを有効活用する。
【解決手段】発振装置は、定電圧を生成する定電圧生成回路と、振動子発振回路と、第1のキャパシタを備える。振動子発振回路は、振動子を発振させるための回路であって、振動子の一端に接続される第1の接続ノードと、定電圧生成回路により生成された定電圧が供給される定電圧供給ノードと、を有する。第1のキャパシタは、第1の接続ノードと定電圧供給ノードのいずれかに選択的に接続される。 (もっと読む)


【課題】容量を可変させることで発振回路の周波数を調整できる周波数調整機能を有する電子回路を提供する。
【解決手段】電子回路は、複数のスイッチ回路140,141,142,143それぞれに副スイッチ回路150,151,152,153を備えている。この副スイッチ回路は、スイッチ回路と相反する動作を行う。このため、スイッチ回路がオン又はオフする数にかかわらず、発振回路の増幅用アンプ181の入力線184又は出力線185に接続される寄生容量が一定となるため、発振回路の発振周波数を正しく調整できる。 (もっと読む)


【課題】大きなインダクタンスをもつインダクタ素子を実現する音響半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、素子部と、第1端子と、を備えた音響半導体装置が提供される。前記素子部は、半導体結晶を含み音響定在波が励起可能な音響共振部を含む。前記第1端子は、前記素子部と電気的に接続される。前記第1端子を介して、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部から出力する、及び、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部に入力する、の少なくもいずれかを実施可能である。 (もっと読む)


【課題】反転電圧VTH、負性抵抗−RL、発振周波数f0が電源VDDの影響を受けることがなく、定電圧回路を追加する必要がなく、しかも、動作電圧も低くなり、水晶振動子に流れる電流も小さくすることができる発振回路を提供する。
【解決手段】NMOSインバータIVnと、帰還抵抗Rfと、水晶振動子Qzと、が互いに並列接続され、NMOSインバータIVnの入力と電源VSSとの間にキャパシタCGが接続され、NMOSインバータIVnの出力と電源VSSとの間にキャパシタCDが接続された水晶発振回路1において、NMOSインバータIVnが、電源VDDに接続された定電流回路Inと、定電流回路Inと電源VSSとの間に接続されたn型のMOSトランジスタTnと、から構成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、低い負荷容量有する水晶発振回路において、負荷容量、及び負性抵抗RLを決定する決定方法を提供するものである。
【解決手段】(CLn+1/CLn2=α(nは1以上の整数、α=2-1/2)が成立するように、負荷容量CL1に対して負荷容量CLn(n≧2)を決定する。さらに、CMOSインバータの入力側と出力側の間に最小帰還抵抗Rfminと並列に配置されたリーク抵抗Rzを仮想して、最小合成帰還抵抗RFminを式RFmin=(Rfmin×Rz)/(Rz+Rfmin)を用いて決定し、最大負性抵抗RLmaxの値を、式(RLmax/RFmin)1/2 <α(αは安全係数で2-1/2)を用いて決定する。 (もっと読む)


【課題】低負荷容量値対応の水晶振動子を十分に適用することが可能な水晶発振装置を提供する。
【解決手段】例えば、配線基板PCB上に、発振入力信号XIN用の配線パターンLN_XINと、発振出力信号XOUT用の配線パターンLN_XOUTを設け、その間の領域に接地電源電圧VSS用の配線パターンLN_VSS1bを配置する。LN_XINとLN_XOUTの間には水晶振動子XTALを接続し、その負荷容量となる容量Cg,Cdの一端をLN_VSS1bに接続する。更に、これらの配線パターンを囲むようにVSS用の配線パターンLN_VSS1aを配置し、加えて、下層にもVSS用の配線パターンLN_VSSnを配置する。これらによって、XINノードとXOUTノード間の寄生容量の低減や、当該ノードのノイズ耐性の向上等が可能になる。 (もっと読む)


【課題】安定駆動に達するまでの時間を短縮した圧電発振器を提供する。
【解決手段】本発明の水晶発振器(圧電発振器)50は、水晶振動子(圧電振動子)1と、水晶振動子1に接続されて発振ループを形成して発振信号を出力する水晶発振部(圧電発振部)24、及び水晶発振部24の起動時に自励発振する自励発振部25により構成された発振回路と、を備え、自励発振部25の周波数が水晶発振部24の周波数よりも高く設定されている。尚、自励発振部25は、複数のコンデンサー(容量素子)C、インバーター5及び抵抗素子4により構成され、複数のコンデンサーCの合成容量の値を調整するために、調整手段6を備えている。 (もっと読む)


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