【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、ねじり振動する可動電極３０と、可動電極３０と間隙を介して形成された第１固定電極４０および第２固定電極５０と、を含み、可動電極３０は、第１面３２と、第１面３２に接続され互いに反対を向く第２面３４および第３面３６と、を有し、第１固定電極４０は、第１面３２と対向する第４面４２と、第２面３４と対向する第５面４４と、を有し、第２固定電極５０は、第１面３２と対向する第６面５２と、第３面３６と対向する第７面５４と、を有し、第２面３４と第５面４４との間隔Ｄ２は、第１面３２と第４面４２との間隔Ｄ１よりも大きく、第３面３６と第７面５４との間隔Ｄ４は、第１面３２と第６面５２との間隔Ｄ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡易に半導体基板上に形成でき、差動型で動作する半導体装置ならびにこれを用いた発振器、アンテナシステムおよび送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、複数の音響波伝播層と、分離層と、音響波反射層と、第１のコンタクトと、第２のコンタクトとを備える。前記複数の音響波伝播層は、前記半導体基板に、互いに離間して形成される。前記分離層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層を互いに電気的に分離するが、音響波は通過させる。前記音響波反射層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層内に前記音響波を閉じ込めるように形成される。前記第１のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の１つに形成され、第１の差動信号が入力または出力される。前記第２のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の他の１つに形成され、前記第１の差動信号とは位相が異なる第２の差動信号が入力または出力される。 （もっと読む）

【課題】低周波数化および小型化を図ることができる振動片を用いた振動デバイス、およびその振動デバイスを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】振動デバイスとしての圧電発振器５に用いられている振動片２は、基部２７と、基部２７からＹ軸方向に延出する振動腕２８と、基部２７から振動腕２８とは反対側にＹ軸方向に延出する振動腕２９とを有し、振動腕２８および振動腕２９は、一方の振動腕の基端部と他方の振動腕の途中部とがＹ軸方向に直交するＸ軸方向に並んで設けられている。また、振動腕２８の先端部には、振動腕２８の基端部よりもＸ軸方向での幅の大きい質量部２８１が設けられ、振動腕２９の先端部には、振動腕２９の基端部よりもＸ軸方向での幅の大きい質量部２９１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３と、その両側に配置した一対の反射器１４と、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７と、反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８とを有し、ＳＡＷの波長λと電極指間溝の深さＧとが０．０１λ≦Ｇを満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが所定の関係式を満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとがη＜ηrの関係にある。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲に極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、製造ばらつきにより個体間に生じ得る周波数温度特性のばらつき及び劣化を抑制する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λであり、電極指膜厚ＨとＩＤＴライン占有率ηとが所定の関係を満足することにより、周波数温度特性が常に動作温度範囲内で極大値と極小値との間に変曲点を有し、かつＩＤＴライン占有率ηの製造ばらつきによる変曲点温度の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子を備えた小型で耐圧性の高い電子デバイス及びこれを備えた膜濾過装置を提供する。
【解決手段】水晶振動子１の中空部材２の少なくとも一部をセラミックスで形成するとともに、水晶振動子１及び回路基板６を樹脂により包埋する。中空部材２内に水晶チップ３が配置されることにより形成された水晶振動子１は、内部に空間が形成されているため特に耐圧性が低いが、水晶振動子１の中空部材２の少なくとも一部をセラミックスで形成するとともに、水晶振動子１及び回路基板６を樹脂８により包埋するといった構成により、小型で耐圧性の高い電子デバイス１００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】発振回路や温度補償回路を構成する電子部品を搭載する配線基板の上部
に、柱部材を用いてパッケージ化された圧電振動子を固定した構成を備えた圧電
発振器において、柱部材の寸法のバラツキやリフロー時における柱部材の戴置ミ
スなどを除き、信頼性が高く作業効率の優れた圧電発振器を提供することを目的
とする。
【解決手段】上面のランド１４上に発振回路及び温度補償回路を構成する複数の
電子部品１５を搭載すると共に外部電極１６を備えた配線基板１７と、該配線基
板１７の上面に固定した柱部材１８を介して所定のギャップを隔てて固定された
水晶振動子１９とを備えた水晶発振器である。又、柱部材１８の底部電極２０を
配線基板１７の上面に形成した柱部材固定用パターン２１に電気的機械的に固定
し、柱部材１８の上部電極２２を水晶振動子１９の底面電極２３と電気的機械的
に固定している。 （もっと読む）

【課題】高さ寸法を小さくして作業性を良好にし、温度分布を均一にする恒温型発振器を提供する。
【解決手段】水晶片を密閉封入した水晶振動子１と、発振段及び緩衝段を有する発振出力回路と、温度補償回路と、水晶振動子１と発振出力回路及び温度補償回路の回路素子４とを配設する回路基板５を備え、温度補償回路は発熱用のチップ抵抗と、パワートランジスタと、温度感応素子とを有し、回路基板５の一側板面には第１熱伝導性樹脂１５ａを介在させて水晶振動子１の主面が対向して配設されると共に、チップ抵抗は水晶振動子１に隣接して配設され、水晶振動子１と第２熱伝導性樹脂１５ｂによって熱的に結合した恒温型水晶発振器に於いて、水晶振動子１はフランジ１４を回路基板５の溝１６に挿入し、加熱抵抗は水晶振動子１の一対のリード線間を含んでリード線１２を挟み込み、水晶振動子１の外周を取り囲んで回路基板５の一側板面に配設された構成とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハ１枚あたりの生産性を向上することができる水晶振動子用素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ表面１０及びウェハ裏面３０にエッチングにより、断面形状が逆台形となる第１凹部２１の列と第１凹部２１に対して各々交互に配列される第２凹部４１の列とを、表面区画列２０ａ及び裏面区画列４０ａに形成する際に、第１凹部２１と第２凹部４２双方の同一の斜度を有する第１側壁２３、４３、若しくは第２側壁２４、４４同士がウェハＷの厚さ方向で重なるように夫々の凹部を形成している。これにより水晶片５１の形成できない傾斜した第１側壁２３、４２、若しくは第２側壁２４、４４をウェハ表面１０とウェハ裏面３０でオーバーラップさせることができ、第１凹部２１、第２凹部４１の配設数を多くすることができる。 （もっと読む）

【課題】発熱用のチップ抵抗からの伝熱効率を高め、第２に高さ寸法を小さくした水晶振動子の恒温構造及びこれを用いた恒温型発振器を提供する。
【解決手段】水晶片が密封封入されて外部端子を有する水晶振動子を回路基板４に配設し、前記水晶振動子の動作温度を少なくとも加熱用のチップ抵抗３ａを有する温度制御素子によって一定にし、前記チップ抵抗３ａはチップ母体の一主面に抵抗皮膜の形成されてなる水晶振動子の恒温構造において、前記チップ抵抗３ａは前記水晶振動子の下面側となる前記回路基板４に設けた空所１３に配置されるとともに、前記抵抗皮膜の形成された一主面は前記水晶振動子の下面に対面して配置され、前記水晶振動子は前記空所１３を覆って前記回路基板４上に配置された構成とする。 （もっと読む）

【課題】オーバートーン技術を用いず、基本波及び高調波の少なくとも一つの周波数で共振することができ、しかも共振周波数を変更することができかつ従来技術に比較して小さい駆動電圧で励振できる共振器、それを用いた発振回路及びＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１０上に電気的に絶縁されかつ少なくとも一個の固定端で固定された可動主ビーム３と、可動主ビーム３から延在するように形成された少なくとも一本の可動副ビーム４と、可動副ビーム４に近接するように設けられた少なくとも一個の励振電極５とを備えたＭＥＭＳ共振器が提供される。励振電極５を交流信号を用いて励振することにより、可動副ビーム４を静電気力により励振して振動させ、基本共振周波数及びその高調波周波数のうちの少なくとも一つの周波数で共振する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水晶振動子、水晶発振器さらにジャイロセンサ等として利用される小型で安定した振動特性を有する信頼性の高い水晶デバイスを提供し、さらに、加工精度に優れ、生産性に優れた水晶デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンからなり凹部を備える蓋部材と、水晶からなり所定の周波数で振動する振動部とこの振動部を取り囲むようにして形成される枠部を備える水晶部材と、シリコンからなり凹部備え且つ一方の面から対向する他方の面に向かって形成された貫通電極を備える底部部材とを有しており、水晶部材が蓋部材と底部部材との間に接合される積層構造をなしている。さらに、水晶部材の振動部は、蓋部材に形成された凹部と底部部材に形成された凹部とで囲まれた密閉空間内に構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部からの熱の伝達を減少させることを目的とする。
【解決手段】ベース１０は、外部端子１８を有し、外部端子１８が形成された面に凹部１２が形成され、非金属からなる。第１及び第２の電子部品２２，２４は、ベース１０の凹部１２に配置され、凹部１２の底面１４に固定されている。配線２０は、ベース１０に形成され、第１及び第２の電子部品２２，２４の少なくとも一方と外部端子１８を電気的に接続する。第１及び第２の電子部品２２，２４は、それぞれ、温度変化によって特性が変化する第１及び第２の素子２８，３０を内部に有する。第１の電子部品２２の表面から第１の素子２８に至る経路の熱の伝導経路の長さと、第２の電子部品２４の表面から第２の素子３０に至る経路の熱の伝導経路の長さと、が異なる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いデバイス及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板の第１面に設けられ、第１端子を有する第１機能素子と、前記基板のうち前記第１面とは反対側の第２面に設けられ、前記第１端子に電気的に接続される第２端子を有する第２機能素子とを備える。第１機能素子が基板の第１面に設けられており、第２機能素子が基板の第２面に設けられている、すなわち、第１機能素子と第２機能素子との間に基板が配置されているので、当該基板によって第１機能素子と第２機能素子との間に生じる熱応力を緩和することができる。これにより、信頼性の高いデバイスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 特にリードの偏心を防止するとともに、圧電振動片の接続位置についての信頼性を高めた気密端子の製造方法及び気密端子と、小型化を可能にした圧電振動子の製造方法及び圧電振動子、さらには、発振器、電子機器、電波時計を提供する。
【解決手段】 リング内にリードとなる棒状材を挿通し、その状態で焼成してリング内に棒状材を固定した気密端子中間体４ａを形成する組立・焼成工程と、気密端子中間体４ａの、棒状材１３ａにおけるインナーリード部側の端部を潰し加工し、段差部１５ｃを形成する工程と、段差部１５ｃの端部を切断して所定形状に成形する工程と、を備えた気密端子の製造方法である。組立・焼成工程では、棒状材１３ａとしてリードより長い中実丸棒を用い、かつ、棒状材１３ａのインナーリード部となる一端側１５ｂを、完成品としての気密端子におけるインナーリード部より長くなるようにリング１２内に挿通しておく。 （もっと読む）

【課題】 低背化を妨げることなく、より安定した温度特性が得られるより信頼性の高い圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電振動子１と発振回路を構成する発振部と、前記圧電振動子を加熱するヒータ部２と、当該圧電振動子の温度を検知するセンサ部３と、当該センサ部の検知温度に応じて前記ヒータ部の温度を所定温度に保つためにヒータ部への電流を制御してなるトランジスタ４と、これらを搭載してなる基板とを有する圧電発振器であって、前記圧電振動子とセンサ部とがお互いに近接あるいは密接した状態で配置された恒温領域を具備するとともに、前記ヒータ部と前記トランジスタが密接した状態で基板上に配置された加熱集合領域を形成し、前記恒温領域に対して加熱集合領域が近接あるいは密接した状態で配置されてなる。 （もっと読む）