説明

Fターム[5J079HA06]の内容

電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 実装、構造 (6,548) | 部品実装 (2,912) | 基板、ベースへの実装 (2,036) | 振動子と回路部が同一平面 (325)

Fターム[5J079HA06]に分類される特許

1 - 20 / 325


【課題】CMOS回路の横に配置されたMEMS振動子の温度を上記CMOS回路内で容易に検出する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置(1)は、MEMS振動子(11)と、CMOS回路(12)とを含む。上記CMOS回路は、温度検出のための温度センサ(16)と、上記CMOS回路で消費する電流を検出可能な電流センサ(19)と、上記電流センサでの検出結果に基づいて上記CMOS回路の温度上昇分を求め、それに基づいて、上記温度センサで得られた温度情報を補正する温度情報補正回路(17)と、上記温度情報補正回路で補正された温度情報に基づいて、上記クロック信号の周波数を補正するための回路(15)とを含む。CMOS回路の横にMEMS振動子が配置されることで、MEMS振動子とCMOS回路との間に温度差を生じている場合でも、上記温度情報補正回路での補正によって、MEMS振動子の温度情報を容易に得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、ねじり振動する可動電極30と、可動電極30と間隙を介して形成された第1固定電極40および第2固定電極50と、を含み、可動電極30は、第1面32と、第1面32に接続され互いに反対を向く第2面34および第3面36と、を有し、第1固定電極40は、第1面32と対向する第4面42と、第2面34と対向する第5面44と、を有し、第2固定電極50は、第1面32と対向する第6面52と、第3面36と対向する第7面54と、を有し、第2面34と第5面44との間隔D2は、第1面32と第4面42との間隔D1よりも大きく、第3面36と第7面54との間隔D4は、第1面32と第6面52との間隔D3よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスを小型化、低背化し、且つコストを低減する手段を得る。
【解決手段】電子デバイスは、第1の電子素子20と、第1の電子素子20を搭載する絶縁基板11と、を備えた電子デバイスであって、絶縁基板11は一方の主面に第1の電子素子20を搭載する電極パッド12を有すると共に、他方の主面に実装端子13を備え、第1の電子素子20に設けた端子と電極パッド12とは、接続用導電部材15を介して導通接続されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜の成膜時における温度上昇を抑制でき、電極の金属拡散を抑制できる圧電振動片の製造方法と、この方法で製造された圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッシベーション膜成膜工程は、ターゲット77と、回転可能な回転ドラム71と、を備えたスパッタリング装置70を用いて行い、パッシベーション膜成膜工程は、回転ドラム71の外周面71aにウエハWを取り付けるウエハ取付工程と、ウエハWがターゲット77に対向する位置を通過するように回転ドラム71を回転させてパッシベーション膜を成膜する回転成膜工程と、を備え、回転成膜工程は、ウエハWがターゲット77に対向する位置を複数回通過するように回転ドラム71を回転させることによりパッシベーション膜を成膜することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】小型化を図るとともに、十分な剛性を維持した上で、振動漏れを効果的に抑制すること。
【解決手段】一対の振動腕部10,11と、一対の振動腕部10,11の基端側を一体的に固定する基部12と、を備え、基部12は、振動腕部10,11の基端側が固定された接続部21と、基部12をマウントするためのマウント部22と、を有し、基部12のうち、接続部21とマウント部22との間には、基部12のX方向に直交するY方向両側から内側に向けてそれぞれ切り欠かれた一対の切欠き部24により、基部12のY方向に沿う長さが接続部21及びマウント部22よりも狭い幅狭部23が形成され、幅狭部23には、基部12のY方向外側に向けて突出して、切欠き部24内に臨むリブ25が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】位置ずれが抑制され、所望の位置にマウントされた圧電振動片を具備し、良好な振動特性を発揮させること。
【解決手段】一対の振動腕部31,32、および一対の振動腕部の基端部側を一体的に固定する基部33を備えた圧電振動片30と、圧電振動片がマウントされるベース基板11と、ベース基板に接合され、該ベース基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片を収容するリッド基板12と、を備え、ベース基板には、第一係合部50が形成され、圧電振動片の基部には、第一係合部に係合し、ベース基板の予め決められたマウント位置に該圧電振動片を案内して位置決めさせる第二係合部40が形成されている圧電振動子1を提供する。 (もっと読む)


【課題】部品点数の増加や製造効率の低下を抑制した上で、衝撃を効果的に吸収して、振動腕部の破損等を抑制できる圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供する。
【解決手段】幅方向に並んで配置された一対の振動腕部24,25と、一対の振動腕部24,25における延在方向の基端側が接続された基部26と、を備えた圧電振動片5において、振動腕部24,25のうち延在方向における一部には、他の部位に比べて剛性が低く、振動腕部24,25への厚さ方向の衝撃を吸収可能な緩衝部31,32が振動腕部24,25に一体的に形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】接合材の腐食を抑制して、気密性に優れたパッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板2の表面2bに形成されたAlを含有する接合材23を介して、リッド基板3の額縁領域3cとベース基板2とが陽極接合され、パッケージ10の外面には、ベース基板2とリッド基板3との間から露出する接合材23を覆うように、Alの不動態によって構成される第1の保護膜11aが形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】一対の振動腕部間に位置する股部へのエッチング残りを小さくすることができ、安定した振動特性を有すると共に、外部衝撃による振動腕部の破損が生じ難い高品質な圧電振動片を得ること。
【解決手段】一対の振動腕部と、これら振動腕部の基端部を一体的に支持する基部と、を備えた音叉型の圧電振動片の製造方法であって、圧電ウエハ20をエッチング加工して圧電振動片の外形形状を形成する外形形成工程を備え、外形形成工程は、圧電ウエハの両主面上にエッチング保護膜を形成した後、該保護膜から圧電振動片の外形形状に対応したマスクパターン22を形成する工程と、マスクパターンをマスクとして圧電ウエハをウェットエッチング加工する工程と、を備え、マスクパターンのうち、股部を形成するための股部対応部分22aに、振動腕部の長さ方向に沿って基部側に向けて延びるスリット状の切欠き部23を形成する製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】振動腕部の厚み方向の振動を抑制し、CI値の上昇や振動漏れを抑制できる圧電振動片と、この圧電振動片を用いた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】並んで配置された一対の振動腕部10,11と、振動腕部10,11の両主面上に形成され、振動腕部10,11のY方向(長手方向)に沿って伸びる溝部51と、一対の振動腕部10,11が接続された基部12と、を備えた圧電振動片4であって、溝部51内には、−Y側(基端側)の壁面から+Y側(先端側)に向かって伸びるリブ53が形成されていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】貫通電極と接続される電極との間の電気抵抗値の増大を防止しつつ、良好な導通性能を確保できる電子部品の端子接続構造、この電子部品の端子接続構造を有する基板を備えたパッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する
【解決手段】ベース基板2(基板)を貫通する貫通電極32と、貫通電極32に電気的に接続される外部電極38と、を有する電子部品の端子接続構造において、貫通電極32の外側端面32a(端面)に、この外側端面32aを覆う導電性酸化物の被覆膜70(膜)を形成し、貫通電極32と外部電極38とを、導電性酸化物の被覆膜70を介して電気的に接続したことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】剛性低下を抑制しながら小型化を図ることができると共に、出力信号の品質の低下を防ぐこと。
【解決手段】互いに平行に配置された一対の振動腕部10,11と、一対の振動腕部の長さ方向における基端部10a,11a側を一体的に固定する基部12と、を備え、一対の振動腕部の主面には、振動腕部の基端部側に位置する第一の溝部18と、第一の溝部に対して振動腕部の先端部側に位置する第二の溝部19と、が形成され、第一の溝部は、振動腕部の主面上において、振動腕部の長さ方向に直交する幅方向に沿う幅が第二の溝部よりも狭く形成され、第二の溝部には、該第二の溝部の底面から突出する補強リブ20が形成されている圧電振動片1を提供する。 (もっと読む)


【課題】製造効率の向上を図った上で、両基板を高精度に位置合わせでき、パッケージ内の真空度を確保できるパッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板用ウエハ40において、パッケージ形成領域の外側の非形成領域N2にバンプスペーサ42を形成するバンプ形成工程と、バンプスペーサ42を介してベース基板用ウエハ40及びリッド基板用ウエハ50を重ね合わせた状態で、各ウエハ40,50を加熱する予備加熱工程と、導電性を有する接合材23を介して両ウエハ40,50を陽極接合する接合工程と、を有し、接合工程では、両ウエハ40,50を加圧してバンプスペーサ42を押し潰した状態で陽極接合を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高温高湿の環境下でも安定して動作し、更に温度補償精度を向上させることができる温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】 第1のパッケージ内に水晶片が封入された水晶振動子2と、発振部42と、温度センサ部44と、温度補償部45とを備えたICチップ35が第2のパッケージ(パッケージ30)内に樹脂封入された樹脂封止IC3とが、第3のパッケージ(パッケージ1)の同一のキャビティ内に近接して搭載され、リッド4によって気密に封止され、ICチップ35が第2のパッケージに設けられた外部端子の内側の導通面に密着して接続され、更に第2のパッケージの当該外部端子の外側の導通面がパッケージ1の裏面に設けられた外部端子に接続された温度補償型水晶発振器としている。 (もっと読む)


【課題】パッケージ内に温度センサーまたは温度センサーを内蔵する電子部品と圧電振動素子を収納した圧電デバイスにおいて、実装基板からのセンサー部品への熱の影響を抑制し、温度センサーの測定値に基づく温度補償において、温度センサーの温度情報が圧電素子の温度と乖離せず正確な温度を得ることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】ケース体2と蓋体4からなるキャビティS1を有するパッケージ1があり、前記キャビティ内には凹部S2が形成されており、前記凹部内に温度センサー20または温度センサーを内蔵した電子部品を搭載し、前記凹部の上部となる同一キャビティ内に圧電素子10を搭載する圧電デバイスであって、前記温度センサーまたは前記温度センサーを内蔵した電子部品を搭載するケース体の凹部の裏面に熱遮断部100を形成した。 (もっと読む)


【課題】金属バンプで圧電振動片を保持してもベース基板から伝わる応力、歪を低減させた圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の圧電振動デバイスは、圧電振動片が表裏に形成された励振電極を有した、ATモードで発振する圧電振動片であり、且つ、励振電極の一方は、圧電振動片の短辺の中心線上で、且つ、圧電振動片の一方の短辺に近接する位置に金属バンプを介してベース基板と接続する構成であり、励振電極のもう一方は、前記短辺と同じ側で、且つ、圧電振動片の一方の前記短辺と圧電振動片の一方の長辺が交わる部分に近接する位置に金属バンプを介してベース基板と接続する構成である。 (もっと読む)


【課題】CI値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子1は、矩形の振動領域12、及び支持部13を有する圧電基板10と、励振電極25a、25bと、リード電極27a、27bと、を備えている。支持部13は、第1の支持部14、第2の支持部15、第3の支持部16を備えている。第2の支持部15は少なくとも一つのスリット20が設けられている。励振電極25a、25bと、リード電極27a、27bとの電極材料及び膜厚を異ならせて構成する。 (もっと読む)


【課題】CI値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子1は、矩形の振動領域12、及び支持部13を有する圧電基板10と、励振電極25a、25bと、リード電極27a、27bと、を備えている。支持部13は、第1の支持部14、第2の支持部15、第3の支持部16及び第4の支持部と、を備えている。第2の支持部15は、第2の傾斜部15bと、第2の支持部本体15aと、を備えており、第2の支持部15には、少なくとも一つのスリット20が設けられている。 (もっと読む)


【課題】CI値が小さく、近傍のスプリアスが抑圧され、耐衝撃性に強い小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子1は、矩形の振動領域12、及振動領域12と一体化された厚肉の支持部13を有する圧電基板10と、励振電極25a、25bと、リード電極27a、27bと、を備えている。支持部13は、第1の支持部14と、第1の支持部14の一端に連設する第2の支持部15と、第1の支持部14の他端に連設する第3の支持部16と、を備えている。第1の支持部14は、厚みが変化する第1の傾斜部14bと、四角柱状の第1の支持部本体14aと、を備え、第1の支持部14には少なくとも一つのスリット20が設けられている。 (もっと読む)


【課題】CI値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子1は、矩形の振動領域12、及振動領域12と一体化された厚肉の支持部13を有する圧電基板10と、励振電極25a、25bと、リード電極27a、27bと、を備えている。支持部13は、第1の支持部14と、第1の支持部14との一端に連設する第2の支持部15、を備えている。第1の支持部14は、厚みが変化する第1の傾斜部14bと、四角柱状の第1の支持部本体14aと、を備え、第1の支持部14には少なくとも一つのスリット20が設けられている。 (もっと読む)


1 - 20 / 325