【課題】周波数可変感度が高い１チップタイプの圧電発振器を提供する。
【解決手段】水晶発振器２０は、水晶振動片１０と、その水晶振動片１０を発振させるための発振回路を含む半導体回路素子としてのＩＣチップ５０と、水晶振動片１０とＩＣチップ５０との間に配置され、少なくとも一方の主面にインダクタ回路パターン５ａが形成された中間基板２と、中間基板２に水晶振動片１０が積層された積層体１およびＩＣチップ５０が収容されるパッケージ３０と、を含む。パッケージ３０内に、積層体１およびＩＣチップが封止された水晶発振器２０において、中間基板２のインダクタ回路パターンは、水晶振動片１０に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、圧電発振器の上面に検査電極を形成することによりキャビティの広さを確保することができる圧電発振器の製造方法及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器の製造方法は、圧電片と外枠とを有する複数の圧電振動素子が形成された圧電ウエハを用意する工程（Ｓ１０１）と、検査電極を有する複数の第１容器体が形成され隣り合う第１容器体の共通する辺に複数の貫通孔と貫通孔に接続電極とが形成される第１ウエハを用意する工程（Ｓ１０３）と、外部電極を有する複数の第２容器体が形成された第２ウエハを用意する工程（Ｓ１０４）と、複数の集積回路を用意する工程（Ｓ１０２）と、第１容器体又は第２容器体に集積回路を載置し圧電ウエハ、第１ウエハ及び第２ウエハを接合する接合工程（Ｓ１０５）と、検査電極を介して圧電片のＣＩ値又は振動周波数の少なくとも一方を測定する測定工程（Ｓ１０７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、外部電極を介して圧電振動片の振動特性が測定される圧電発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電発振器の製造方法は、圧電振動片１０を用意する工程と、圧電端子２１及び回路端子２２を有し圧電振動片を発振させる電子回路素子２０を用意する工程と、電子回路素子が載置される第１載置部及び第２載置部と圧電発振器が実装される側の底面と、キャビティ３１と外部電極３４と第１電極３６ａと第２電極３６ｂと、第１電極と第２電極とを電気的に接続する第３電極３６ｃとを有するパッケージを用意する工程と、電子回路素子をキャビティ内に載置し圧電振動片をキャビティ内に載置する載置工程と、外部電極から第１電極、第３電極及び第２電極を経由して圧電振動片の振動特性を測定する測定工程と、測定工程の後に第３電極にレーザー光を照射して第３電極の一部を切断する切断工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】実装時の振動部への応力を緩和させた圧電振動片、およびこれを用いた圧電振動子、電子デバイスを提供する。
【解決手段】振動部２２を有する薄肉部２１と、前記薄肉部２１の周縁に設けられた厚肉部１７とを備えた圧電振動片１０であって、前記厚肉部１７には、緩衝部１４とマウント部１２が順に連結され、前記緩衝部１４は、前記マウント部１２と前記厚肉部１７との間にスリット１６を有し、前記マウント部１２は、前記マウント部１２と前記緩衝部１４と前記厚肉部１７との並ぶ方向に対して直交方向の両端部に、切欠き１２ａを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電振動素子の接合されていない箇所の角が、素子搭載部材の凹部空間内底面に接触する事を低減して、発振周波数変動を低減出来る圧電デバイスの提供。
【解決手段】四角形の圧電素板１２１に励振用電極１２２を被着形成し、その励振用電極から四角形の圧電素板に対して対角に位置するように引き出し電極１２３が形成されている圧電振動素子１２０と、圧電振動素子の引き出し電極に対向する位置に２個一対の搭載部１１３が設けられ、２個一対の搭載部にそれぞれ２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１１が設けられている素子搭載部材１１０と、圧電振動素子を気密封止する蓋部材１３０と、圧電振動素子搭載パッドの主面上で、圧電素板の長辺方向と平行になるように設けられている２個一対のバンプ１１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】音叉型屈曲水晶振動素子の発振周波数が変動しない圧電デバイスを提供する。
【解決手段】基板部と、この基板部の一方の主面に枠部が設けられて、凹部空間Ｋ１が形成された素子搭載部材２１０と、凹部空間内に露出しつつ基板部の一方の主面に設けられた２個一対の圧電振動素子搭載パッド２１１に搭載され、基部１１１と、基部１１１の側面より同一の方向に延出する２本の振動腕部１１２ａ、１１２ｂと、２本の振動腕部１１２ａ、１１２ｂの間に位置する基部１１１の側面より同一の方向に延出するバランス用腕部１１３と、を備えた音叉型屈曲水晶振動素子１００と、凹部空間Ｋ１を気密封止する蓋体２３０と、圧電振動素子搭載パッド２１１に設けられた第一のバンプＢＰ１と、素子搭載部材２１０に設けられた第二のバンプＢＰ２と、を備え、第二のバンプＢＰ２が、バランス用腕部１１３と対向する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＡＴカット振動素子と音叉振動素子の発振周波数の基準周波数からのずれを小さくすることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス１００は、２個一対のＡＴカット用搭載パッド１１７と２個一対の音叉用搭載パッド１１４が対角に設けられ、２個一対のＡＴカット用搭載パッド１１７の一つがＡＴカット用配線パターンと第一のビアホール導体を介して所定のＡＴカット用集積回路素子搭載パッド１１８に接続され、残りのＡＴカット用搭載パッド１１７が第二のビアホール導体１６３を介して所定のＡＴカット用集積回路素子搭載パッド１１８に接続され、２個一対の音叉用搭載パッド１１４の一つが音叉用配線パターンと第三のビアホール導体を介して所定の音叉用集積回路素子搭載パッド１１５に接続され、残りの音叉用搭載パッド１１４が第四のビアホール導体１６４を介して所定の音叉用集積回路素子搭載パッド１１５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｈ型構造の水晶発振器において、外部の温度変化の影響を抑え、安定した出力周波数を得ることができる水晶発振器を提供する。
【解決手段】 セラミックパッケージ１の両面に設けられた一方の凹部に水晶片２を格納し、他方の凹部にＩＣチップ３を格納し、両凹部に形成され、水晶片２とＩＣチップ３とを接続する金属配線５がビアホール６によって接続され、ビアホール６を、水晶片２によって覆われる凹部の中央部の領域に設けて、金属配線５をセラミックパッケージの周辺部ではなく中央付近に形成した水晶発振器としている。 （もっと読む）

【課題】 金属リードを基板に半田付けした場合に、当該半田にクラックが生じても、信頼性を低下させることがない恒温槽付水晶発振器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属リード３を貫通させるスルーホールが形成された基板１の表面と裏面における開口部の周辺に予備半田２を形成し、表面に半田層（予備半田）４が形成された金属リード３を基板１のスルーホールに挿入した状態で、基板１の表面及び裏面における開口部と当該開口部から延びる金属リード３とを半田付けして本半田５を形成する恒温槽付水晶発振器及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 固定電位が変動しても、振動子の端子間電位の変動を抑えることで安定した発振周波数を得られる圧電発振回路、恒温型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 コルピッツ型発振回路３０と、発振周波数を調整するための可変容量のコンデンサーを含む回路からなる第１の回路部２０と、抵抗を含む回路からなる第２の回路部５０と、前記第１の回路部および前記第２の回路部に接続される第１の端子４１と前記コルピッツ型発振回路に接続される第２の端子４２とを有する圧電振動子４０と、を含み、コルピッツ型発振回路３０は、分割抵抗を介して第２の端子４２を固定電位に接続し、第２の回路部５０は、前記抵抗を介して第１の端子４１を前記固定電位に接続する。 （もっと読む）

【課題】周波数可変感度が高い１チップタイプの圧電発振器を提供する。
【解決手段】水晶発振器２０は、水晶振動片１０と、その水晶振動片１０を発振させるた
めの発振回路を含む半導体回路素子としてのＩＣチップ５０と、水晶振動片１０とＩＣチ
ップ５０との間に配置され、少なくとも一方の主面にシールド用パターン５ａが形成され
た台座基板２と、台座基板２に水晶振動片１０が積層された積層体１およびＩＣチップ５
０が収容される凹部を有し、その凹部に接地用電極３７が設けられたパッケージ３０と、
を含む。パッケージ３０内に、積層体１およびＩＣチップが封止された水晶発振器２０に
おいて、台座基板２のシールド用パターン５ａは、パッケージ３０内の接地用電極３７に
電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】周波数可変量を容易に調整可能な電圧制御型圧電発振器の提供。
【解決手段】電圧制御型水晶発振器１０は、水晶振動子Ｘ₁と、この水晶振動子Ｘ₁を発振させる発振回路などを含む半導体回路素子としてのＩＣチップ４０と、水晶振動子Ｘ₁に直列に接続されたインダクタンスＬ₁、を有している。インダクタンスＬ₁は、水晶振動子Ｘ₁及びＩＣチップ４０を収容する積層回路基板としてのパッケージの層間に設けられたインダクタ回路パターン、及び、そのインダクタ回路パターンの始端から終端の間に設けられた複数の第１引出端子から層内配線などによりパッケージの表面に引き出されたボンディングパッドａ〜ｄを用いている。ボンディングパッドｂ，ｃ，ｄのいずれかと、ＩＣチップ４０の電極パッド４５とがボンディングワイヤー３７により接続され、インダクタンスＬ₁の終端ａが水晶振動子Ｘ₁に接続される。 （もっと読む）

【課題】セラミックパッケージを不要にするとともに、出来合いの集積回路部を用いて極めて安価に、小型化・低背化した圧電発振器を得る。
【解決手段】シリコン半導体基板の上面部２ａに集積回路部４を形成した回路基板２と該回路基板２に接合・積層した圧電素子３とからなる圧電発振器において、前記回路基板２の側面に前記回路基板の上面部２ａと前記回路基板の下面部２ｂとを電気的に接続する電気的導通部２２を設けたことを特徴とする。また、シリコン半導体基板の上面部２ａに集積回路部４を形成した回路基板２と該回路基板２に接合・積層した圧電素子３とからなる圧電発振器の製造方法において、前記回路基板２をシリコンウェハＷ上に複数個形成し、前記回路基板２の上面部２ａと下面部２ｂとを接続する個所にスルーホール加工を施し、該スルーホール２２ａの中心を基点として前記シリコンウェハＷを個々の前記回路基板２に分割して、圧電発振器の個片を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単に形成でき信頼性の高い貫通電極を有するパッケージの製造方法、このパッケージの製造方法により製造された圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板２を厚さ方向に貫通する貫通電極形成工程を備え、貫通電極形成工程は、１個の圧電振動子１（パッケージ）に含まれる全ての貫通電極３２，３３となる複数の芯材部７と、複数の芯材部７を連結する接続部とを備えた導電部材を形成する導電部材形成工程と、ベース基板２に複数の貫通孔３０，３１（凹部）を形成する凹部形成工程と、複数の芯材部７をそれぞれ複数の貫通孔３０，３１に挿入する芯材部挿入工程と、貫通孔３０，３１の内面と芯材部７の外面との間隙を封止する封止工程と、ベース基板２の第１面Ｕ側および第２面Ｌ側を研磨して第１面Ｕ側および第２面Ｌ側から芯材部７を露出させる研磨工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内の良好な真空度を確保できるパッケージの製造方法、このパッケージの製造方法により製造された圧電振動子、この圧電振動子を有する発振器、電子機器、および電波時計を提供する。
【解決手段】リッド基板用ウエハ５０（第１基板）の内面に形成された接合膜３５（接合材）と、ベース基板用ウエハ４０（第２基板）の内面とを陽極接合して圧電振動子（パッケージ）を製造する圧電振動子の製造方法であって、リッド基板用ウエハ５０の外面に第１ヒータ７１を当接させ、ベース基板用ウエハ４０の外面に第２ヒータ７２を当接させて加熱する予備加熱工程Ｓ６０と、接合膜３５を陽極とし、ベース基板用ウエハ４０を陰極として陽極接合する陽極接合工程Ｓ７０と、を有し、予備加熱工程Ｓ６０は、スペーサ７５を配置し、スペーサ７５を介してリッド基板用ウエハ５０およびベース基板用ウエハ４０を重ねた状態で行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部の実装基板の発熱による外部接続用電極端子から圧電振動素子と集積回路素子への熱到達時間の差を小さくし圧電振動素子の温度特性の温度補償を集積回路素子で正確に行うことができる圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電発振器は、基板部１１１の他方の主面に設けられた集積回路素子搭載パッド１１８に接続されている配線パターンのうち、ビアホール導体１１９を介して外部接続用電極端子と接続されている配線パターン１１４の幅が、他の配線パターンの幅に比べて大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】所定の共振周波数を確保しつつ、小型化を図ること。
【解決手段】長手方向Ｙに延在するとともに幅方向Ｘに並んで配置された第１振動腕部４および第２振動腕部５と、これらの両振動腕部４、５の基端側を連結する基部６と、を備え、第１振動腕部４の先端部４ｃには、幅方向Ｘの内側に張り出す第１内張出部１１、および外側に張り出す第１外張出部１２が形成され、第２振動腕部５の先端部５ｃには、幅方向Ｘの内側に張り出す第２内張出部１３、および外側に張り出す第２外張出部１４が形成され、第１振動腕部４において第２内張出部１３と幅方向Ｘに対向する部分には、第１内張出部１１の張出端縁１１ｂよりも幅方向Ｘの外側に窪んだ第１逃げ部１５が設けられ、第２振動腕部５において第１内張出部１１と幅方向Ｘに対向する部分には、第２内張出部１３の張出端縁１３ｂよりも幅方向Ｘの外側に窪んだ第２逃げ部１６が設けられた圧電振動片２を提供する。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動片の小形化を実現しながら耐衝撃性能と電気的特性の優れた表面実装型圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】 圧電振動片２とベース４と蓋５とを有してなる表面実装型圧電振動デバイスであって、前記ベースの収納部には前記圧電振動片の一端辺２１が搭載される電極パッド５１を有する保持台４２と当該圧電振動片の他端辺２２が配置される補助保持台４３とを具備し、前記電極パッドの上面には前記圧電振動片の一端辺の外周近傍に設けられた堤部５１１と、前記圧電振動片の保持台側の主面と接触する凸部５１２とを具備してなり、高さが補助保持台＞堤部＞凸部として構成され、前記圧電振動片の保持台側の導電性樹脂接着剤Ｄのみにより前記圧電振動片と保持台の電極パッドとが接合され、当該電極パッドから補助保持台にかけて圧電振動片の他端辺がベース開口部に次第に近接した状態で保持した。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）