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Fターム[5J081FF18]の内容

Fターム[5J081FF18]に分類される特許

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【課題】発振回路内で構成要素を接続するオプションコンダクタの使用を可能とする技術の提供。
【解決手段】発振回路200は、第1の伝導層内でルーティングコンダクタを介して相互結合されるトランジスタを含む。発振回路はまた、第2の伝導層内に、バラクタ203〜206、コンデンサ221〜226、及びオプションコンダクタ207、208,212〜216も含む。オプションコンダクタは、トランジスタのうちの1つとコンデンサまたはバラクタとの間の接続の少なくとも一部を形成する。上記発振回路は、第1の伝導層内のルーティングコンダクタを介して前記複数の第1のトランジスタのうちの1つに結合されるインダクタと、該インダクタの第1の部分を形成する、前記第2の伝導層内の第2のオプションコンダクタとをさらに備え得る。 (もっと読む)


【課題】低消費電流を実現できる定電圧回路及びそれを用いた水晶発振回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路10に温度特性調整素子を備えることにより、定電圧の温度変化に対して負となる傾きと、水晶発振回路20における発振可能な最低動作電圧の温度変化に対して負となる傾きとの差を極小にできるので、水晶発振回路20の消費電流を小さくでき、さらに定電圧回路10で生成する定電流を小さくすることにより、定電圧回路10の消費電流を小さくでき、発振装置100全体の消費電流を小さくできる。 (もっと読む)


【課題】基準周波数信号を用いることなく、温度変動、電源電圧変動および回路定数のばらつきにかかわらず高精度な発振周波数を得る。
【解決手段】出荷検査時において、発振動作の環境温度と電源電圧を変化させながら発振周波数が目標周波数に一致するのに必要な抵抗5の抵抗値を順次求め、環境温度と電源電圧に対して当該抵抗値を対応付けたデータテーブルをメモリ18に記憶する。CR発振回路の実際の使用状態では、制御回路17は、所定の制御周期ごとに温度検出回路15と電源電圧検出回路16から電圧Va、Vbを入力しA/D変換する。メモリ18に予め記憶されたデータテーブルから電圧Va、Vbに対応した抵抗5の抵抗値を読み出し、抵抗5の抵抗値Rが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ7a〜7cを切り替える。 (もっと読む)


【課題】自励発振回路周辺の状態変化による発振周波数の変化を抑えることができる周波数自動調整機能付自励発振回路およびそれを用いた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】周波数自動調整機能付自励発振回路は、基準信号を生成する基準信号生成回路101bと、基準信号の周波数を調整する発振周波数調整回路101aとを有する自励発振回路101と、互いに特性の異なる1組の抵抗素子を含み、1組の抵抗素子の抵抗値の変化の違いにより自励発振回路101の周辺状態を検出し、検出された周辺状態を示す信号を出力する特性変動検出回路102_1と、特性変動検出回路102_1の出力信号に基づいて発振周波数調整回路101aによる周波数調整を制御する制御部103とを備える。 (もっと読む)


【課題】位相誤差を補償しながら設定可能な位相オフセットで多相信号を生成するための方法等を提供する。
【解決手段】一実施形態において、回路は、第1の周波数及び第1の位相を有する第1の周期信号を生成する第1のLC型電圧制御発振器(LCVCO)と、第2の周波数及び第2の位相を有する第2の周期信号を生成する第2のLCVCOとを有し、第2の位相は、90度オフセットで第1の位相に対してオフセットされる。 (もっと読む)


【課題】温度変化に対して発振周波数が安定である発振装置を提供すること。
【解決手段】所定の周波数で発振する発振装置10において、増幅素子を有し、当該増幅素子の動作点によって発振周波数が変化する発振回路11と、温度に応じて発振回路の動作点を調整することにより、発振回路の温度による発振周波数のずれを調整する調整回路15と、を有することを特徴とする発振装置。 (もっと読む)


【課題】無駄な電力消費やノイズの悪影響等を抑制できる回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】回路装置は発振回路10とバッファー回路20を含む。バッファー回路20は、プリバッファーPBFと第1、第2の出力バッファーQBF1、QBF2を含む。第1のモードでは、第1の出力バッファーQBF1が動作イネーブル状態に設定され、第2の出力バッファーQBF2が動作ディスエーブル状態に設定される。第2のモードでは、第1の出力バッファーQBF1及び第2の出力バッファーQBF2が動作イネーブル状態に設定される。第1のモードでは、プリバッファーPBFの駆動能力が、第2のモードに比べて低い駆動能力に設定される。 (もっと読む)


【課題】電圧制御発振器の制御利得を発振周波数に対して比較的一定に維持し、位相ノイズを低減したプログラマブルバラクタ装置を提供する。
【解決手段】プログラマブルバラクタ装置100は、複数のデジタルバラクタビットB0、B1、B2によって制御される複数のバイナリ重み付けバラクタ104,106,108を含み得る。プログラマブルバラクタ装置は、複数のバイナリ重み付けバラクタと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの1つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとする制御とを含み得る。プログラマブルバラクタ装置の実効容量を変化させる方法は、複数のバイナリ重み付けバラクタを設けることと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの1つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとすることとを含み得る。 (もっと読む)


【課題】安定駆動に達するまでの時間を短縮した圧電発振器を提供する。
【解決手段】本発明の水晶発振器(圧電発振器)50は、水晶振動子(圧電振動子)1と、水晶振動子1に接続されて発振ループを形成して発振信号を出力する水晶発振部(圧電発振部)24、及び水晶発振部24の起動時に自励発振する自励発振部25により構成された発振回路と、を備え、自励発振部25の周波数が水晶発振部24の周波数よりも高く設定されている。尚、自励発振部25は、複数のコンデンサー(容量素子)C、インバーター5及び抵抗素子4により構成され、複数のコンデンサーCの合成容量の値を調整するために、調整手段6を備えている。 (もっと読む)


【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Cparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Lと、容量素子Cと、増幅器30と、をそれぞれ第1の端子と第2の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第1の端子と第2の端子とから出力する発振器であって、第1の端子と第2の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Rより抵抗値の大きな第1の抵抗素子Rcが第1の端子と第2の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 (もっと読む)


【課題】水晶発振回路の消費電力の低減を図りつつ後段回路を作動させることができる発振装置を提供する。
【解決手段】第1電源V1が、振幅検出回路3に対して第1電源電圧(3V)を供給する。第2電源V2が、水晶振動回路2に対して第1電源電圧(3V)よりも小さい第2電源電圧(1V)を供給する。振幅検出回路3は、CMOSインバータIV1の出力端子から出力される発振信号と、第2電源電圧(1V)を分圧して得た基準電圧Vrefと、それぞれのベースに接続される一対のトランジスタが設けられたコンパレータ31を備えている。 (もっと読む)


【課題】集積回路上に構成可能で、容量可変比率が大きくかつQ値が高く、VCOを構成した時に直線性の高い制御電圧と発振周波数の関係を実現する電圧可変型容量を提供すること。
【解決手段】下部電極を共通接続した複数のMOS型容量素子(CM1〜CMn)と、該複数のMOS型容量素子の上部電極に一端を接続し、他端を共通接続する同数の非電圧可変型容量(C1〜Cn)と、これらのMOS型容量素子と非電圧可変型容量の接続点に夫々異なる固定バイアス電圧を与える手段(VB1〜VBn及び抵抗)により構成され、前記複数のMOS型容量の共通接続された下部電極に制御電圧を加える。 (もっと読む)


【課題】所望の周波数、特に100GHz以上のテラヘルツ帯において共振特性を良好とする新規なアンテナ及びそれを用いた発振器を提供する。
【解決手段】スロットアンテナは、スロットアンテナ本体2となる空隙と、この空隙に対して十字となるように空隙の長手方向に対して垂直方向に一つ以上設けたスリットリフレクタ部3となる空隙とが、導電性平板5に形成されて成り、所望されるインピーダンス又はアドミタンスの周波数特性が得られるようにスリットリフレクタ部3の配置場所、長さ及び幅が定められている。 (もっと読む)


【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ27と、発振トランジスタ27に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体29、抵抗体31及びトランジスタ(スイッチ)35が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ30及び可変容量ダイオード36が含まれている。 (もっと読む)


【課題】従来の可変容量素子は、容量値の精度が低い問題があった。
【解決手段】本発明の可変容量素子は、第1の電源端子と出力端子CTOPとの間に接続される第1の容量素子C1と、容量切替信号CSELに応じて導通状態が切り替えられる容量選択スイッチN1と、第1の容量素子C1と並列に接続され、かつ、容量選択スイッチN1と直列に接続される第2の容量素子C2と、容量選択スイッチN1が遮断状態とされる状態において、出力端子CTOPをリセット電圧にリセットする電荷リセット信号INITBに応じて、第2の容量素子C2と容量選択スイッチN1とを接続する容量切替ノードNDaの電圧と出力端子CTOPの電圧とを実質的に同じ電圧に設定する誤差補正回路10と、を有する。 (もっと読む)


【課題】入力電圧に対する出力電流の動作範囲の拡大できる電圧電流変換回路を提供する。
【解決手段】入力電圧INがトランジスターM4の閾値電圧以下の場合には、トランジスターM4はオフである。一方、トランジスターM9によって入力電圧INがレベルシフトされる。そのレベルシフト後の印加電圧VAによってトランジスターM10がオンし、M10に流れるI10が、トランジスターM1に流れるI1となる。また、入力電圧INがM4の閾値電圧を超える場合には、M4がオンし、M4に流れるI4と、M10に流れるI10との和が、M1に流れるI1となる。そして、M1,M2,M3によって形成されるカレントミラー回路によって、M1に流れるI1に応じた電流が、負荷回路10,12に供給される。 (もっと読む)


【課題】水晶発振器の出力振幅の調整機能を簡易な構成で実現する。
【解決手段】水晶発振器は、電源に接続される電源端子(VCC)と、接地電位に維持される接地端子(GND)と、電源端子と接地端子とに接続され、電源端子と接地端子との間に印加された電源電圧に基づく振幅レベルの発振信号(V0)を出力する水晶発振回路(6)と、イネーブル信号(VEN1、VEN2)が入力されるイネーブル端子(EN1、EN2)と、イネーブル端子と接地端子とに接続され、水晶発振回路から入力される発振信号を波形整形してイネーブル端子と接地端子との間のイネーブル信号の電圧に応じた振幅レベルの基準クロック信号(CLK1、CLK2)を出力するバッファ回路(2a、2b)と、バッファ回路から出力される基準クロック信号が出力される出力端子(OUT1、OUT2)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】VCOに含まれるスパイラルインダクタとMOSバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および/または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】LCタンクVCOは、第1および第2のスパイラルインダクタL1,L2と、第1および第2のMOSバラクタC1,C2とを備える。第1および第2のMOSバラクタC1,C2は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第1のスパイラルインダクタL1と第2のスパイラルインダクタL2の間の領域に配置される。 (もっと読む)


【課題】低供給電圧の性能でのマイクロ波帯域における電圧制御発振器の効率を向上させるための二重正帰還電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】2つのコルピッツ回路20、21は第1正帰還ループを提供し、第1負抵抗と等価である。NMOS交差結合ペア回路30は、第2正帰還ループを提供し第2負抵抗と等価である。2つのコルピッツ回路20、21及びNMOS交差結合ペア回路30によって生成される2つの各負抵抗は、LCタンクの寄生抵抗に対して並列に接続されている。この為2つの各負抵抗は、LCタンクの寄生抵抗をオフセットする。2つの各負抵抗が生成されるので、低電圧の稼動時において、及び、直流電流の共有において、高い負抵抗が二重正帰還電圧制御発振器10によって生成される。この為、二重正帰還電圧制御発振器10は、より低い電力下で発振可能である。 (もっと読む)


【課題】従来の発振回路では、出力信号のジッタを抑制できない問題があった。
【解決手段】本発明の発振回路は、発振周波数設定電流に基づき蓄積された電荷量に応じて発振周波数制御電圧Vcpを生成するフィルタコンデンサCpumpと、発振周波数制御電圧Vcpに応じて出力する発振信号Foutの周波数を変動させる発振器30と、発振信号Foutの周期に基づき論理レベルが切り替えられるタイミング制御信号を生成する制御回路40と、タイミング制御信号に基づき発振信号Foutの周期の長さに応じて連続的に電圧レベルが変化する周波数検出電圧Vcapを生成する周波数検出回路10と、周波数検出電圧Vcapと基準電圧Vresとの電圧差に応じて発振周波数設定電流を連続的に可変してフィルタコンデンサCpumpに出力する差動増幅器20と、を有する。 (もっと読む)


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