【課題】複雑なバイアス回路を使用せず，抵抗の温度依存性を補償可能なMCU搭載に適したCR発振回路またはLC発振回路を提供する。
【解決手段】マイクロコントローラは，ＣＰＵと，ＣＰＵに供給するクロックを生成しクロックの周波数が周波数調整信号に応じて可変制御される発振回路と，温度を検知する温度センサと，温度センサにより検知される温度が所定温度変動したことに応答してＣＰＵにより実行される周波数調整プログラムと，周波数調整信号と発振回路の発振周波数との関係を示す調整信号対周波数関係データと，温度と前記発振回路の発振周波数との関係を示す温度対周波数関係データとを格納するメモリとを有する。そして，周波数調整プログラムがＣＰＵにより実行されることで，ＣＰＵが，温度対周波数関係データと調整信号対周波数関係データとに基づいて，温度センサにより検知される現在温度に応じて，発振回路の発振周波数を目標の周波数に制御する周波数調整信号を演算し，演算した周波数調整信号が発振回路に設定される。 （もっと読む）

【課題】 ＲＣ発振器によりクロック信号を生成するシステムにおいて、クロック信号の周波数を大きく変動させずに補正して規定の範囲に保つことのできる電子機器およびクロック補正方法を提供することにある。
【解決手段】 ＲＣ発振器の抵抗または容量の設定を切り替えてクロック信号の周波数を複数段階に変更可能な周波数変更手段と、この複数段階の変更量を表わしたトリミングテーブルを記憶する記憶手段と、周波数変更手段の設定を切り替えてクロック信号の周波数を補正するクロック補正制御手段とを備えた電子機器およびそのクロック補正方法である。そして、クロック補正制御手段は、トリミングテーブルのデータに基づき、クロック信号の周波数を補正前の周波数から規定の周波数へ次第に近づいていくように周波数変更手段の設定を切り替えて（Ｓ７，Ｓ８）、クロック信号の周波数を補正する。 （もっと読む）

【課題】入力電圧に対する出力電流の動作範囲の拡大できる電圧電流変換回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＩＮがトランジスターＭ４の閾値電圧以下の場合には、トランジスターＭ４はオフである。一方、トランジスターＭ９によって入力電圧ＩＮがレベルシフトされる。そのレベルシフト後の印加電圧ＶＡによってトランジスターＭ１０がオンし、Ｍ１０に流れるＩ１０が、トランジスターＭ１に流れるＩ１となる。また、入力電圧ＩＮがＭ４の閾値電圧を超える場合には、Ｍ４がオンし、Ｍ４に流れるＩ４と、Ｍ１０に流れるＩ１０との和が、Ｍ１に流れるＩ１となる。そして、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３によって形成されるカレントミラー回路によって、Ｍ１に流れるＩ１に応じた電流が、負荷回路１０，１２に供給される。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や外部電源電圧の変化による高速ＯＣＯに与える参照電圧および参照電流の変動を防止し、電源モジュールの回路面積が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】高速ＯＣＯ１０は、参照電流および参照電圧で定まる大きさの高速クロックを出力する。温度センサ５は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度を検出し、電圧センサ４は、高速ＯＣＯ１０の動作電圧を検出する。電源モジュール１２は、ＢＧＲを含み、ＢＧＲが出力する基準電圧に基づいて、参照電圧、参照電流、高速ＯＣＯの動作電圧を生成する。フラッシュメモリ８は、高速ＯＣＯ１０の周囲温度および動作電圧に対応する、参照電圧および参照電流のトリミングコードを定めたテーブルを記憶する。ロジック部１３は、検出された周囲温度および動作電圧に対応する参照電圧および参照電流のトリミングコードに基づいて、参照電流および参照電圧の値を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の周波数逓倍器による悪い高調波抑圧比を改善し、又、周波数逓倍器からの発振周波数は、他の高調波に妨害されにくいため、周波数逓倍器装置及びその操作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の周波数逓倍器装置は、高調波発生器、高調波抑制器及び特定高調波応用装置を含んでいる。前記高調波発生器は、基本周波数を有する入力信号を受信して、第一高調波信号成分及び第二高調波信号成分を含む高調波信号を発生させる。前記高調波抑制器は、前記高調波信号を受信して、前記第一高調波信号成分を抑制し、前記第二高調波信号成分を高める。前記周波数逓倍器装置は、高められた前記第二高調波信号成分を受信する。 （もっと読む）

本発明の形態は、消費電力を低減し位相ノイズ性能を向上させるために、電流再使用技術を用いた低位相ノイズ発振器回路を含み、発振器回路は、第２のＶＣＯに結合されている第１のＶＣＯを備え、第１及び第２のＶＣＯの出力は、コンデンサ等の受動素子に結合されている。第１及び第２のＶＣＯ両方の全体の消費電力は、単一のＶＣＯの消費電力と略同じである。また、位相ノイズは、約３ｄＢほど低減される。このため、発振器回路の消費電力を増加させることなしに、位相ノイズ性能が向上される。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳトランジスタ（以下、トランジスタを省略して、単にＭＯＳと表記）のスレッシュホールド電圧が変動しても、正確な発振周波数のＣＲ発振回路を提供する。
【解決手段】 電源端子Ｖccとアース間に抵抗１とキャパシタ２とが接続され、その接続点にゲートが並列接続されたＰＭＯＳ３、４と、ＮＭＯＳ６、７のドレインおよびソースが電源端子Ｖccとアース間に直列に接続され、さらに、ＰＭＯＳ５のソースが、ＰＭＯＳ３、４のドレイン・ソースの接続点に、ゲートがＰＭＯＳ４とＮＭＯＳ６のドレインの接続点に、ドレインがＮＭＯＳ８のゲートにそれぞれ接続され、ＮＭＯＳ８のドレインは電源端子Ｖccに、ソースはＮＭＯＳ６、７のソース・ドレインの接続点にそれぞれ接続されている。その出力がインバータ１０を介して、キャパシタ２の両端にドレイン・ソースが接続されたＮＭＯＳ９のゲートに接続されている。 （もっと読む）

【課題】発振周波数精度が高い発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路１は、基準電流を発生する基準抵抗ＲＥ１と、基準抵抗ＲＥ１と別個に設けられ、基準抵抗ＲＥ１に電流を供給するオペアンプＡＭＰ１と、基準抵抗ＲＥ１に印加する基準電圧ＶＲＥＦを決定する基準電圧発生回路２４と、定電圧ＶＲＥＧを発生する定電圧回路２１とを有し、基準電流と定電圧ＶＲＥＧとに基づいて発振周波数を定める集積回路２と、基準抵抗ＲＥ１の温度依存性と同じ温度依存性となるように、基準電圧発生回路２４の出力する基準電圧ＶＲＥＦの温度依存性を設定する設定レジスタ２５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】静磁波素子が出力する発振信号の発振周波数が高いときでも小型化することのできる静磁波発振装置を提供することを目的とする。
【解決手段】静磁波素子に印加する磁界の強さを変えることで発振信号の周波数を調整する１つ以上の電磁コイルを、永久磁石の外側で且つ筐体の内部に配置することにより、永久磁石の幅寸法を電磁コイルの幅寸法より小さくすると共に、発振周波数が高いことで永久磁石が大きくなることで永久磁石の高さ寸法が大きくなっても、永久磁石が固定される筐体上面部材の凹部の深さ寸法を永久磁石の高さ寸法に合わせて大きくすることにより、静磁波発振装置の小型化を実現する。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、電圧制御発振器の位相雑音を抑制することである。
【解決手段】複数のＭＯＳトランジスタＴＲ１２、ＴＲ１３・・・のドレインは、複数のスイッチＳＷ１、ＳＷ２・・・を介してＭＯＳトランジスタＴＲ１１のドレインと接続されている。発振周波数を設定するための周波数設定用デジタルデータから得られるｇｍ設定用デジタルデータによりスイッチＳＷ１，ＳＷ２・・・をオンまたはオフにすることでＭＯＳトランジスタＴＲ１１に並列に選択的に複数のＭＯＳトランジスタＴＲ１２，ＴＲ１３・・・を接続する。これにより、共振回路１０に供給する電流を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数帯の切替に連動して各周波数帯に最適なバイアス電圧を発振トランジスタに印加する。
【解決手段】 発振トランジスタ１と、互いに異なる発振周波数帯にそれぞれ対応して設けられた共振回路９、１１と、１つの共振回路を選択して発振トランジスタ１のベースとコレクタとの間に結合する切替手段１２とを備え、選択された共振回路に対応したバイアス電圧を切換手段１２によって発振トランジスタ１のベースに印加した。 （もっと読む）

【課題】 発振トランジスタ側の負性抵抗を周波数が離れた２つの周波数帯でも十分に得られるようにして、何れの周波数帯でも安定して発振させる
【解決手段】 発振トランジスタ２０のベース−コレクタ間に介挿される共振回路２６は周波数が異なる２つの周波数帯に対応して共振周波数が切り替えられるように構成され、ベース−エミッタ間に介挿される第１の帰還手段２４又はエミッタ−コレクタ間に介挿される第２の帰還手段２５の少なくとも一方を３個のリアクタンス素子を直並列に接続して２つの周波数帯で共に誘導性又は容量性を呈するように構成すると共に、帰還手段の他方を２つの周波数帯で一方の帰還手段と同じく誘導性又は容量性とし、２つの周波数帯で発振させた。 （もっと読む）

【課題】 小型化かつ位相雑音を低減することができる発振回路を提供することを課題とする。
【解決手段】 差動対を構成する第１及び第２のトランジスタ（１０１，１０２）と、第１及び第２のトランジスタの第１の端子側に接続される出力合成回路（１０３）と、第１及び第２のトランジスタの第２の端子側に接続される電流源（１０６）とを有する発振回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】発振振幅拡大時に、発振トランジスタのＭＯＳＦＥＴが線形領域で動作するのを防ぐことによって、低位相雑音の電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】レベルシフト用トランジスタ１０ａ、１０ｂ、抵抗素子１２ａ、１２ｂ、および定電流源トランジスタ１１ａ、１１ｂからなるソースフォロワ回路を、発振トランジスタのドレイン端子から他方の発振トランジスタのゲート端子への帰還経路の途中に挿入する。このことによって、発振振幅拡大時に、発振トランジスタ１ａ、１ｂが線形領域で動作するのを防ぐことができるので、低位相雑音の電圧制御発振器を実現できる。 （もっと読む）

【目的】本発明は基本波に対して４倍以上の発振周波数を得て、小型化を促進する高周波発振器を提供する。
【構成】伝送線路型共振器の互いに逆相関係にある両側の２つの共振波動点に発振用能動素子を接続して逆相発振させ、前記共振器に出力線を接続して偶数倍となる倍調波の定在波に対応する出力を得た高周波出力を得た高周波発振器であって、前記定在波は前記基本波の偶数倍となる倍調波のうちの前記基本波ｆ0の２ｎ（但し、ｎは２以上の整数）倍となる定在波を対象とし、前記出力線は前記伝送線路型共振器の中点を基準として両側の対称点に接続し、前記対称点は前記倍調波２nｆ0における前記中点での最大変位分布点とは逆相の最大変位分布点であるとともに、前記出力線は共通接続された構成とする。 （もっと読む）