【課題】発振回路内で構成要素を接続するオプションコンダクタの使用を可能とする技術の提供。
【解決手段】発振回路２００は、第１の伝導層内でルーティングコンダクタを介して相互結合されるトランジスタを含む。発振回路はまた、第２の伝導層内に、バラクタ２０３〜２０６、コンデンサ２２１〜２２６、及びオプションコンダクタ２０７、２０８，２１２〜２１６も含む。オプションコンダクタは、トランジスタのうちの１つとコンデンサまたはバラクタとの間の接続の少なくとも一部を形成する。上記発振回路は、第１の伝導層内のルーティングコンダクタを介して前記複数の第１のトランジスタのうちの１つに結合されるインダクタと、該インダクタの第１の部分を形成する、前記第２の伝導層内の第２のオプションコンダクタとをさらに備え得る。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、特性の劣化を抑制し発振周波数を調整することが可能な発振回路を提供すること。
【解決手段】一対の負性抵抗回路と、前記一対の負性抵抗回路にそれぞれ接続された一対の伝送線路１４ａ、１４ｂと、前記一対の伝送線路にそれぞれ対称に設けられ、前記一対の伝送線路の間をボンディングワイヤによって互いに接続可能な一対のパッド４０ａ、４０ｂと、前記一対の負性抵抗回路の出力信号を合成する合成回路と、を有する発振回路。 （もっと読む）

【課題】コルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、帰還部の２つのコンデンサ間とトランジスタのエミッタとを接続する導電線路におけるインダクタンス成分の影響による出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えることのできる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】コルピッツ回路を用いたＶＣＯにおいて、帰還部２のコンデンサ２２、２３について、トランジスタ２１のベースから伸びる端子部８（Ｔ１）及び前記トランジスタ２１のエミッタから伸びる端子部８（Ｔ２）が夫々装着されるベース基板５上のベース用端子（接続部７）とエミッタ用端子とを直結するように第１の帰還容量素子（コンデンサ）２２を配置すると共に、上記エミッタ用端子とアース用端子（接地電極５１）とを直結するように第２の帰還容量素子（コンデンサ）２３を配置する。 （もっと読む）

【課題】共振回路における発振周波数の公差を低減し、ＰＬＬ回路に用いられる論理回路の低電圧化傾向の下でも、発振周波数の高周波化を図る。
【解決手段】発振周波数を可変制御するＬＣ同調型の電圧制御発振器において、発振用トランジスタ１のエミッタ側で、接地電位となる一対のスルーホールＨ1 ，Ｈ2 の間に、同一線路長のマイクロストリップ線路からなる２つのショートスタブＰ1 ,Ｐ2 を形成し、これらショートスタブＰ1 とＰ2 との間に上記トランジスタ１のエミッタを接続する。即ち、ショートスタブＰ1 とＰ2 は、エミッタ接続点を中心に対称となる位置で並列に接続される。また、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 でＤＣカットされたバラクタＣｖのカソードに、０〜５Ｖの制御用電圧Ｖｔを印加すると共に、アノードに、基準電圧源６から例えば−５Ｖの基準電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】制御電圧に対する可変容量の容量値の変化の線形性を向上して位相ノイズを低減した電圧制御発振回路の実現。
【解決手段】制御電圧に応じて発振周波数が変化する発振信号OUT,OUTXを出力する電圧制御発振回路において、印加電圧に応じて容量値が変化する複数の可変容量VAC1-VAC4と、制御電圧を分圧して複数の可変容量に印加する分圧電圧VT,VT1-VT3を生成する分圧電圧生成部R1-R4と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＲ発振回路を構成するコンデンサの充放電切換りタイミングと、論理回路を構成するＣＭＯＳインバータに貫通電流が流れるタイミングとをずらすことで、周波数が安定した発振信号を発生する集積回路を提供する。
【解決手段】複数のＣＭＯＳ素子によって構成された論理回路と、論理回路に、容量素子と抵抗素子の時定数に依存する周波数の発振信号を出力するＣＲ発振回路と、論理回路に入力される発振信号を遅延する遅延回路と、を備え、ＣＲ発振回路と電源とを接続する電源配線が、論理回路と電源とを接続する電源配線と接続されている。 （もっと読む）

【課題】入力電圧に対する出力精度の高い電圧電流変換回路、及び電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】電圧電流変換回路は、入力端子１に入力された入力電圧を電流に変換して、出力する電圧電流変換回路であって、入力端子１に接続されたゲートを有するＮＭＯＳ４を含み、ＮＭＯＳ４に流れる電流に応じた出力電流を発生する第一電流発生回路１１と、ソース、及びドレインと異なる電位となるゲートを有するＮＭＯＳ８を含み、ＮＭＯＳ８に流れる電流に応じた重畳電流を発生して、ＮＭＯＳ４に供給する第二電流発生回路と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】静磁波素子発振装置において、発振回路基板１２から発生される不要電磁波が、コイル８、９の引き出し線１４、１５に影響し、発振周波数が不安定となるのを防止した静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】発振周波数を調整する電磁コイルの引き出し線を、強磁性体で形成された筐体に設けた空洞１７を通して筐体外部へ引き出す構造とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成で正弦波信号と矩形波信号を出力可能な２出力型水晶発振器を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳインバータＩＣ１により構成されるインバータ回路１０と、ＣＭＯＳインバータＩＣ１の入出力間に対して並列に接続される自己バイアス用の第１の帰還抵抗Ｒ１と、インバータ回路１０の入出力間に対して並列に接続され、少なくとも水晶振動素子２０と第２の帰還抵抗Ｒ２とを直列接続した直列回路からなる正帰還回路１１と、を有し、インバータ回路１０の入力側から正弦波信号を出力し、インバータ回路１０の出力側から矩形波信号を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来の共振器では、共振周波数の微調整が困難であるという問題点があり、製造工程を煩雑にすることなく、共振器１とカップリングコンデンサ２との間の伝送路Ｌの長さを可変として共振器のＱ値及び発振周波数を微調節することができる共振器の結合回路を提供する。
【解決手段】 共振器１とカップリングコンデンサ２とを接続する伝送線路の伝達方向に沿った長さを可変とした結合回路であり、例えば、共振器１と発振器とを接続する伝送線路３を、複数の隙間によって離散的に形成された複数の伝送路パターン３１ａ〜３１ｄで形成し、当該複数の隙間の内、所望の周波数特性及びＱ値となる位置に対応する隙間にカップリングコンデンサ２が搭載され、他の隙間には伝送路パターンを電気的に接続する導通素子４が搭載される共振器の結合回路としている。 （もっと読む）

電圧制御発振器は、それぞれＩ直交成分およびＱ直交成分を生成するための第１の電圧制御発振器コアおよび第２の電圧制御発振器コアを有する。前記電圧制御発振器コアのそれぞれはインダクタを有する。前記インダクタのそれぞれに接続部材が電気的に接続されており、これにより、ＶＣＯのＩおよびＱコアにおいて同じコモンモードレベルに設定される。本発明は、クロスカップリングされたＶＣＯのＩコアとＱコアで、同じコモンモードレベルが確実に使用されるようにする簡便な方法を提供するという利点を有し、特に高い動作周波数において有利である。また、本発明は、スタートアップの潜在的な問題を解決する利点を有し、デバイスを微細化した結果、不整合が大きくなることが多いため、１３０ｎｍＣＭＯＳなどの小さな形状のプロセスで設計する場合により顕著となるデバイスの不整合効果に対する感受性を低減させる。
【代表図】図３
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【課題】カップリングキャパシタを備える４位相電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】４位相電圧制御発振器は、位相の互いに異なる第１、第２位相信号を出力する第１遅延セル６１０、及びそれぞれ前記第１及び第２位相信号に直交し、互いに異なる位相を有する第３、第４位相信号を出力する第２遅延セル６３０を備える。第１、第２遅延セルは、第１、第２差動電圧制御発振器６１５、６３５と、これにそれぞれ接続された第１及び第２カップリングトランジスタと前記第１、第２及び第３、第４カップリングトランジスタにそれぞれ並列に接続されて接地された第１、第２カップリングキャパシタが備えられて、前記出力される位相信号をカップリングさせる第１、第２カップリング部６２０、６４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】１つのＩＣで効率良く、搭載されるセットの仕様や周波数に対応できる水晶発振器を提供する。
【解決手段】発振器１の出力側を、出力側が第１の抵抗７に接続されたインバータ２の入力側と第２の抵抗８の一端とに接続し、第１の抵抗７の他端を第１の容量９の一端と第１のトランジスタ３の入力側とに接続し、第１の容量９の他端を第１のスイッチ１１の一端に接続し、第１のスイッチ１１の他端を接地し、前記第２の抵抗８の他端を第２の容量１０の一端と第２のトランジスタ４の入力側とに接続し、第２の容量１０の他端を第２のスイッチ１２の一端に接続し、第２のスイッチ１２の他端を接地し、第１のトランジスタ３の出力側と第２のトランジスタ４の出力側とを発振出力端子５に接続し、第１のスイッチ１１と第２のスイッチ１２とを記憶装置１３にて制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の誘電体層と電極層の僅かな焼成縮率の差により基板焼成後、基板に反りが発生する。この反りが大きくなると、印刷性が悪くなり、かつ印刷するパターンかすれや、にじみが発生し、場合によっては印刷時にスクリーンが破れたりする。
【解決手段】少なくとも、ストリップライン導体７と、複数のＧＮＤ電極と、複数のコンデンサを内蔵すると共に、前記ストリップライン導体７に対し、積層方向の両側に、ＧＮＤ電極３、４を配置してトリプレート型ストリップライン導体共振器を構成した高周波モジュールにおいて、前記トリプレート型ストリップライン導体共振器に対し、積層方向の上側（部品搭載面側）と下側（底面側）の双方に、それぞれＧＮＤ電極３、４からなるコンデンサを配置した。 （もっと読む）

【課題】通信用半導体集積回路装置および無線通信システムにおけるノイズ耐性を向上させる。
【解決手段】例えば、変調／復調等を行う半導体チップ上に、交差結合型のトランジスタ対を含む差動型発振回路部ＤＦ＿ＶＣＯと、トランジスタ対の共通ノード側に接続される内部パッドＰ１，Ｐ４と、トランジスタ対の差動出力ノード側に接続される内部パッドＰ２，Ｐ３とを設ける。Ｐ１〜Ｐ４は、それぞれボンディングワイヤＢＷを介して外部リード端子ＬＤ１〜ＬＤ４に接続する。ＬＤ２，ＬＤ３には、それぞれチップ外付け部品となる外部負荷素子ＬＯＡＤ１，ＬＯＡＤ２を接続し、ＬＤ１，ＬＤ４には、固定電圧を印加する。このような構成において、外部リード端子では、ＬＤ２とＬＤ３を隣接して配置し、ＬＤ２とＬＤ３を挟むようにＬＤ１とＬＤ４を配置する。 （もっと読む）

【課題】制御電圧の狭い変化範囲で安定に動作する電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御可能な可変容量回路１２と、インダクタを有するインダクタ回路１１と、負性抵抗回路１３と、補正電圧を出力する容量制御回路１４と、を備える。可変容量回路１２とインダクタ回路１１と負性抵抗回路１３とを並列接続して発振回路を構成する。容量制御回路１４は、発振回路における温度変動および／または電源電圧変動に対応して出力される補正電圧によって可変容量回路１２におけるキャパシタンスを補正するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 広帯域発振周波数を得る。
【解決手段】 バイポーラトランジスタＱ１のベースをバイポーラトランジスタＱ２のコレクタに接続する。バイポーラトランジスタＱ２のベースをバイポーラトランジスタＱ１のコレクタに接続する。Ｑ１と電源間に抵抗Ｒ１、Ｑ２と電源間に抵抗Ｒ２を接続する。バイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ間にキャパシタＣ１、Ｃ２，インダクタＬ１を直列に接続する。Ｃ１，Ｃ２のキャパシタ値を変えることで広帯域発振周波数範囲を得る。発振周波数範囲は抵抗Ｒ１，Ｒ２を調節することで、変えることができる。Ｃｖ１，Ｃｖ２は可変キャパシタで、ＶＣＰ電圧によりキャパシタ値を変える。 （もっと読む）

【課題】 信号出力部のトランジスタのコレクタ−ベース間のアイソレーションを確保して、出力レベルおよび周波数負荷安定度を高めた発振回路モジュールを構成する。
【解決手段】 第１の電圧制御発振回路ＶＣＯ１のバッファ用トランジスタＱ１２のベースに接続したベースバイアス回路（Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３）がスイッチＳＷ１を介して接続される外部電源端子ＶＢ２と、トランジスタＱ１２のコレクタが接続される外部電源端子ＶＢ１とを異ならせる。 （もっと読む）