圧電基板（１１）と、圧電基板（１１）の表面に設けた複数個の電極指（１２）で構成されるＩＤＴ（１３）と、このＩＤＴ（１３）の両端部に近接して設けた反射器（１４）とを備え、上記ＩＤＴ（１３）は両端部の複数の電極指（１２）の電極指ピッチを、このＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチと異ならせたグラデーション領域を有し、このグラデーション領域の電極指ピッチはグラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指からグラデーション領域のもう一方の端部の電極指にかけて電極指ピッチを順次変化させるとともに、グラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指の電極指ピッチを上記ＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチの１〜５％小さくした構成からなる。 （もっと読む）

圧電基板（２０１）上に、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とを形成することにより構成され、第１のＩＤＴ（２０２）は入出力端子の一方
の端子（２０４）と入出力端子の他方の端子（２０５）との間、すなわち信号経路に直列に配置され、第２のＩＤＴ（２０３）は入出力端子の一方の端子（２０４）と第１のＩＤＴ（２０２）との間から信号経路に対して並列に配置される。さらに、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とはそれぞれの共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上で近接して配置される。 （もっと読む）

本発明は、これまでの公知の表面弾性波（ＳＡＷ）トランスデューサに比べて伝搬特性の高いエッジ急峻度のもとで群遅延時間の周波数応答が格段に改善された表面波で作動するトランスデューサに関する。このトランスデューサは、ＳＰＵＤＴセルをベースに構成されており、この変換器構造においては２つのセルが設けられている。これらのセルは縦方向で異ならせてスケーリングを施される以外は同じようにデザインされている。スケーリングレベルに応じて音響波の局所フェーズは本発明のトランスデューサが用いられるフィルタの通過帯域における群遅延時間の周波数特性における脈動率が最大でも５０ｎｓとなるように作用する。
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弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス用の一方向変換器。一実施形態では、このデバイスは、（１）伝搬のＳＡＷの方向に垂直な開回路反射器が配置される圧電基板上の定められた領域、および定められた領域内に配置され、対向するバス・バーに接続された低反射率変換器電極のペアであって、ＳＡＷ伝搬の方向に垂直で、電極のペアの励起中心が反射器からＳＡＷの中心周波数のレイリー波長の約７／８のところに配置されるように位置決めされた、低反射率変換器電極のペアを含む。

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良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．５４＜ｄ＜０．８９とされている、弾性境界波装置。
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