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Fターム[5J097AA01]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 目的又は効果 (3,383) | 損失低減(利得向上等) (481)

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【課題】通過周波数帯域内における損失を抑えながら、通過周波数帯域よりも低域側及び高域側の減衰量を大きくすること。
【解決手段】2つの縦結合共振子型のフィルタ部1、2を互いに直列に圧電基板20上に設けて、これらフィルタ部1、2の間に1ポート共振子30を直列及び並列に接続したラダー型フィルタ部3を介設すると共に、フィルタ部1、2に入力ポート15及び出力ポート16を夫々接続して、ラダー型フィルタ部3の直列共振子4の容量値をCs、並列共振子5の容量値をCpとすると、Cs/Cpを小さくして通過周波数帯域よりも高域側の減衰量を大きくする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、通過帯域の異なる複数の高周波フィルタが共通の信号端子に接続された弾性波装置において、エネルギーロスが少なく、挿入損失が少ない弾性波装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性波装置は、第1の高周波フィルタ(高域側フィルタ22)と、前記第1の高周波フィルタと共通の信号端子(入力端子24)に接続され、かつ通過帯域が前記第1の高周波フィルタと異なる第2の高周波フィルタ(低域側フィルタ23)とを備え、前記第1の高周波フィルタは、圧電基板21の上において一対の反射器30の間にIDT29を備えた弾性波共振器を有し、前記反射器30は、前記第1の高周波フィルタの通過帯域内に反射帯域を有する第1の構造(第1の領域31)と、前記第2の高周波フィルタの通過帯域内に反射帯域を有する第2の構造(第2の領域32)とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】所定の通過域の周波数帯が広く、通過域での挿入損失量が少ないバンドパスフィルタ装置の提供。
【解決手段】ハイパス用弾性表面波共振子111とハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続の第一のハイパス用インダクタ素子112とからなるハイパスフィルタ回路部110と、一端がハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続された第一の弾性表面波共振子121と一端が第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子122と第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子124と一端が第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子123と第三の弾性表面波共振子に並列に接続された第二のローパス用インダクタ素子125とからなるローパスフィルタ回路部120とを備え、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とが接続された構成。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスにおける横モードによる不要振動を低減する
【解決手段】弾性波デバイス1は、基板2と、基板2上に形成された誘電体膜4と、基板2と誘電体膜4との間に設けられるIDT電極3a、3bとを備える。基板2および誘電体膜4の少なくとも一方が圧電体であり、IDT電極3a、3bは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指3a−2、3b−2を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するIDT電極までの間のギャップ部において、誘電体膜4の膜厚が変化している。 (もっと読む)


【課題】改善された挿入損失と品質の値を有するSAWデバイスの製造方法及びその製造方法により製造されたSAWデバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板12の表面に金属電極16を有するSAWデバイス10は、表面に堆積した誘電体層18を含む。誘電体層18を堆積すると、基体の表面上に拡張する金属電極16から上方に拡張する縫い目20、22が得られる。誘電体層18内の隣接する金属電極16aから拡張する第二の縫い目20と結合する金属電極16bから拡張する第一の縫い目22からは別の縫い目が得られ、この縫い目は一般に金属電極16の高さより高く形成される。誘電体層18は、所望の金属電極16上に誘電体層18の厚さを提供するために、更に平坦化してよい。 (もっと読む)


【課題】フィルタの低損失化及び広帯域化を行う。
【解決手段】入力側の並列共振器P11に対して並列にインダクタL11が接続され、出力側の直列共振器S12に対して並列にインダクタL12が接続されている。インダクタL11及びL12は、それぞれ異なる経路上(直列共振器と並列共振器との間の経路上)に接続されている。このような構成とすることにより、入出力間においてインピーダンス整合を行うことができるので、低損失かつ広帯域のラダー型フィルタを実現することができる。 (もっと読む)


第1および第2のコンバータを有するミクロ音響フィルタが提案され、第1および第2のコンバータの間で電磁性および容量性のクロストークが、追加の結合キャパシタンスと追加の電流ループとを設けることによって補償される。このとき追加の結合キャパシタンスと電流ループは、設計により設定される自然な結合に対して正負記号の点で反対向きに作用し、そのようにしてこれを完全に補償できるように配置される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、櫛型電極の本数が多く容量を大きくした場合においても、スプリアスが抑制された広帯域の弾性表面波共振器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、圧電基板10と、圧電基板10上に設けられた櫛型電極11を有する第1の弾性表面波共振器20と、圧電基板10上に設けられた櫛型電極12を有する第2の弾性表面波共振器30とを備え、第1の弾性表面波共振器20および第2の弾性表面波共振器30は、アポダイズが施された構成であって、かつ、並列に接続されており、また、第1の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けと第2の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けとは異なる。 (もっと読む)


【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器11内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器11内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットTをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットTに対向して真空容器11内に配置された基板ホルダ15に取り付けられた基板Sに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ15と真空容器11の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Sの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法を提供する。
【解決手段】すだれ状電極26は、ギャップ34、36によってトンネル効果を抑制又は排除するために十分に拡張されたエッジギャップ長を、電極の端部と対向するバスバー16,18との間に含む。結果として、長手方向に延びるエッジ領域54,56内での音響波の波速度がトランスデューサ中央領域46での波速度より遅く、対向するギャップ領域38,40での波速度がトランスデューサ中央領域での速度より速くなり、トランスデューサ26の開口部では本質的に均一な伝搬モードが生じる。高結合基板上のSAWトランスデューサ又はSAW共振器では、アポディゼーションを必要とせずにトランスデューサ領域でエネルギーを誘導する。等価結合係数が大きくなり損失が減少する。 (もっと読む)


【課題】入力側及び出力側のIDT電極をテーパー型に構成した弾性波フィルタにおいて、弾性波の回折損及び圧電基板の大きさを小さく抑えつつ、広い通過周波数帯域を持つ弾性波フィルタを提供すること。
【解決手段】電極指15及び反射電極16の幅寸法及び間隔寸法が一方側のバスバー14から他方側のバスバー14に向かうにつれて広がるように形成されたテーパー型の入力側IDT電極12及び出力側IDT電極13のフィルタ部30を弾性波の伝搬方向に沿って圧電基板11上に2つ配置して、電極12、13の夫々における他方側のバスバー14、14同士を入力ポート21(出力ポート22)に夫々接続すると共に、第1フィルタ部31の他方側のバスバー14に近接する領域のトラックTr2と、第2フィルタ部32の一方側のバスバー14に近接する領域のトラックTr3と、が等しくなるようにする。 (もっと読む)


【課題】広帯域・低損失・超角型で、位相特性に優れた弾性表面波機能素子を実現する。
【解決手段】圧電性基板1または/或いは圧電性薄膜基板表面上に、弾性表面波を励振または受信するすだれ状電極を有する弾性表面波機能素子において、伝搬方向に向かって徐々に電極幅及び周期が短くなる正負の電極を交互に配置した、ダウン方向に一方向性をもつ分散型すだれ状電極、あるいは伝搬方向に向かって徐々に電極幅及び周期が長くなる正負の電極を交互に配置した、アップ方向に一方向性をもつ分散型すだれ状電極を構成し、これらを相互に組み合わせることにより、その方向性を向かい合わせ、周波数の変化に対して遅延時間が変化しない非分散型遅延線及びフィルター、又は周波数の増加ともに遅延時間が長く/短かくなるアップ/ダウン型分散型遅延線及びフィルターを実現する。 (もっと読む)


【課題】
複数の共振器から構成される弾性波フィルタの小型化に伴い、弾性フィルタ内の配線パターンが隣接し不要な電磁結合が生じ、弾性波フィルタの特性劣化が生じるのを抑制する。
【解決手段】
基板上に配置された弾性波を利用するSAWやFBAR等の複数の共振器の間や、これら複数の共振器とグランド端子との間、共振器と入力端子との間や共振器と出力端子との間に配置された複数の配線パターンに沿って、これら配線パターンと隣接し、対向し、好ましくは配線パターン幅よりも広い幅を有するシールド電極を配置し、弾性波フィルタの小型化に伴う、弾性フィルタ内の配線パターン間の不要な電磁結合を抑制し、弾性波フィルタの特性劣化を防止する。 (もっと読む)


【課題】高減衰、高アイソレーション化と同時に低損失化を可能とする。
【解決手段】任意の周波数帯域の信号を抽出するフィルタ部3と、フィルタ部3に接続され、フィルタ部3の通過帯域より高い反共振周波数を持つ共振器1と、共振器1に並列接続されている位相変換器2とを備え、位相変換器2は、フィルタ部3の通過帯域外の周波数帯において電気的に誘導性となり、かつ入力される信号を共振器1の位相と180度異なる位相に変換する。 (もっと読む)


【課題】増幅度を高めるためにバイアス電圧を高めたとしても半導体において生じた熱を速やかに放散することができ、従って半導体による増幅作用を安定にかつ確実に利用することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板2と、前記圧電基板2の上に形成されている誘電体層14と、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界に形成されているIDT電極3,4と、前記誘電体層14に接するように設けられた半導体層9とを備え、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置であって、前記半導体層9は、前記弾性境界波によって発生する電界と、前記半導体層9中のキャリアとが結合するように設けられており、前記半導体層中のキャリアの移動速度が、前記弾性境界波の伝搬速度よりも高い、弾性境界波装置1。 (もっと読む)


【課題】本発明は、弾性波フィルタ装置及びこれを用いたデュプレクサ及び電子機器の帯域高域部分の挿入損失劣化を低減させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ装置10は、第1の弾性波フィルタ15と第2の弾性波フィルタ16とを備え、第1の弾性波フィルタ15は、第1の縦結合型弾性波フィルタ15aと第2の縦結合型弾性波フィルタ15eとを備え、第1の不平衡信号入力部15b及び第2の不平衡信号入力部15fは入力部12と電気的に接続され、第1の平衡信号出力部15c及び第3の平衡信号出力部15gは入出力部13aと電気的に接続され、第2の平衡信号出力部15d及び第4の平衡信号出力部15hは入出力部13bと電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】入力端子と2つの出力端子間に存在する橋絡容量のアンバランスを解消し、不要な同相成分を除去することで、バランス型フィルタの抑圧度を向上する。
【解決手段】入力端子2cと、入力端子2cに入力された信号をフィルタリングするフィルタ素子21,22と、フィルタ素子21,22から信号を差動出力する第1の出力端子2a及び第2の出力端子2bとを備えたバランス型のフィルタであって、入力端子2cと第1の出力端子2a及び第2の出力端子2bのうちいずれか一方の出力端子との間に、静電容量C3が接続されている。 (もっと読む)


【課題】通過帯域幅を広く保ちつつ挿入損失の劣化を低減し、かつ通過帯域の平坦性を向上できる弾性表面波装置及び通信装置を提供する。
【解決手段】圧電基板上に、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を多数本有する複数のIDT電極2〜7を配設すると共に、複数のIDT電極のうち隣り合う2つのIDT電極が各々、相手側の端部から一部分であって電極指ピッチが残りの部分の電極指ピッチと異なる第1の部分L2,L3と残りの部分であって電極指ピッチが一定な第2の部分L1,L4とで構成し、第1の部分の電極指ピッチの平均値が第2の部分の電極指ピッチより短く形成すると共に第1の部分の電極指ピッチが隣り合う2つのIDT電極の境界に向かって短くなっており、2つの第1の部分における電極指ピッチの最小部が境界から外れた片方側にあり、隣り合う2つのIDT電極間の境界における電極指ピッチが最小部の電極指ピッチよりも長くなっている。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのSAW共振子は、オイラー角(−1°≦φ≦1°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、AlまたはAlを主体とした合金により構成されてストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT12と、IDT12を構成する電極指18間に位置する基板を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、


を満たし、かつ、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い品質係数(Q値が数千以上)を有し、かつ、k2が2〜6%の範囲である境界弾性波装置を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】所定のカット角θを有するθYX−LN単結晶圧電基板1の表面に、境界弾性波の波長λの交差指形変換器(IDT)、酸化珪素膜5、および窒化アルミニウム膜6が形成された境界弾性波共振器において、酸化珪素膜5の膜厚hおよびカット角θ等を最適化する。例えば127.5°≦θ≦129.5°かつ20%≦h/λ≦100%とする。 (もっと読む)


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