本発明は，音響波の横方向放射による損失を低下させた電気音響変換器を提供する。そのために変換器は，中央励起領域（ZAB）と，中央励起領域（ZAB）の両側に隣接する内縁領域（IRB）と，内縁領域（IRB）に隣接する外縁領域（ARB）と，外縁領域（ARB）に隣接するバスバー領域（SB）とを備える。これら領域内における縦方向速度は，ピストンモードによる励起プロファイルが得られるよう設定されている。 （もっと読む）

【課題】導波型音響波共振装置及び該装置の製造方法の提供。
【解決手段】少なく共２つのフィルタ（Ｆ_１、・・・、Ｆ_Ｎ）を含む導波型音響波共振装置で、各フィルタが少なく共２つの音響波共振器（Ｒ_１１−Ｒ_１２、・・・、Ｒ_Ｎ１−Ｒ_Ｎ２）を含み、各フィルタが、中心周波数（ｆ_１、・・・、ｆ_Ｎ）を中心とする有用な周波数帯域（ＢＦ_１、・・・、ＢＦ_Ｎ）によって特徴づけられ、各共振器が、周期（∧_ｉｊ）の周期的構造を有する少なく共一組の相互噛合型上部電極と圧電材料の層とを含み、各共振器が結合係数及び共振周波数によって特徴づけられる、導波型音響波共振装置において、共振器の少なく共１つが差別化層（ＣＤ_ｆｉ）を含んで、相互噛合型電極の周期と併せて前記共振器の結合係数変更を可能とし有用な帯域及び中心周波数が、決定された有用な帯域幅を有する様に構成される共振器の共振周波数及び結合係数によって決定される導波型音響波共振装置。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子の素子基板の切断位置、端面形状によって共振周波数が左右されず、小型化された弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１０上に弾性表面波のＳＨ波が励振される弾性表面波共振子１において、水晶基板１０にＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に略直交して極性の異なる電極指１２ａ，１２ｂが交互に配置されたＩＤＴ１２が形成されたＩＤＴ形成領域１３と、水晶基板１０に、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’におけるＩＤＴ形成領域１３の両側に電極指１２ａ，１２ｂの交差幅以上の幅寸法で、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に長さ寸法を有する付加膜１４が形成された付加膜形成領域１５とを備え、付加膜形成領域１５の全体が有する反射係数が０．８７５以上１．０００以下である。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスおいて、共振周波数より高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧すると共に、圧電基板の裏面を装置で吸引する際のエラーを低減する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に、前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θ（０°＜θ≦９０°）を有する複数の溝を備え、前記溝は、エッチング工程により前記圧電基板の裏面の周縁部を残して形成され弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの共振周波数の高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は前記圧電基板の厚さＨの２９％より深くした弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】縦結合共振子型弾性表面波フィルタの挿入損失と反射特性を改善する。
【解決手段】弾性表面波の伝搬方向に配列した２以上のＩＤＴを有する弾性表面波フィルタで、ＩＤＴのうちの１以上のＩＤＴの電極指ピッチを、当該ＩＤＴが主ピッチ領域を有しないように当該ＩＤＴに含まれる略全部の電極指について異ならせる。隣り合う２つのＩＤＴのうち、少なくとも相対的に電極対数が少ないＩＤＴのピッチを、主ピッチ領域を有しないよう変化させる。更に、相対的に電極対数が少ないＩＤＴの最大ピッチが、相対的に電極対数が多いＩＤＴの最大ピッチよりも小さく、かつ相対的に電極対数が少ないＩＤＴの最小ピッチが、相対的に電極対数が多いＩＤＴの最小ピッチよりも大きくする望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として無線通信機器にて使用される弾性表面波デバイスに関して、弾性表面波デバイスの電気的特性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、圧電体基板１と、この圧電体基板１の表面に設けた櫛型電極２と、前記圧電体基板１の裏面に設けた支持層５を備え、弾性表面波デバイスを構成する圧電体基板１の裏面に設けられる支持層５を多結晶体で形成するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として無線通信機器にて使用される弾性表面波デバイスに関して、弾性表面波デバイスの電気的特性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明の弾性表面波デバイスは、圧電体基板１と、この圧電体基板１の表面に設けた櫛型電極２と、前記圧電体基板１の裏面に設けた支持層５を備え、前記圧電体基板１と前記支持層５との当接面６を湾曲面で構成したものである。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、鏡面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、鏡面化された主面１１ａ上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、粗面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、粗面化された主面１１ａ上に溶射法により形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】通過帯域の近傍における減衰量をさらに改善をする。
【解決手段】弾性表面波素子片は、圧電基板の弾性表面波の伝播方向に沿って複数のすだれ状電極からなるＩＤＴが設けてある。少なくとも１つのＩＤＴ１４は、弾性表面波の反射を生ずるシングル電極セル３０と、弾性表面波の反射を生じないダブル電極セル３２とを混在させて形成してある。また、シングル電極セル３０における共振周波数ｆ１と、反射を生じないダブル電極セルにおける共振周波数ｆ２とが異ならせてある。 （もっと読む）

電気音響部品は、誘導音響波により動作し、第１基板（Ｓ１）と、第２基板（Ｓ２）と、金属層（ＭＳ）と、中間層（ＺＳ）とを含む。第１基板（Ｓ１）は、ＬｉＴａＯ_３単結晶から成る。金属層（ＭＳ）は、第１基板（Ｓ１）と中間層（ＺＳ）との間に配置される。中間層（ＺＳ）は、金属層（ＭＳ）と第２基板（Ｓ２）との間に配置される。ＬｉＴａＯ_３単結晶の結晶部は、第２オイラー角μ：−１００°≦μ≦−４０°または−１６０°≦μ≦−１３０°であるように選択される。第１オイラー角λとしてλ＝０°が好ましく、第３オイラー角θとして−１０°≦θ＜０°またはθ＝０°または０°＜θ≦１０°が好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は弾性表面波デバイスの製造方法に関するものであり、弾性表面波デバイスにおけるデバイス特性の向上を目的とする。
【解決手段】圧電体基板１と、この圧電体基板１の表面に設けられた櫛形トランスデューサ２とからなる弾性表面波デバイスにおいて、弾性表面波デバイスの裏面に設けられる不用波対策用の複数の溝５に対して、隣り合う溝の間隔を一端側７から他端側８に向けて狭くなるように設定したのである。この構成により、溝の延伸方向と弾性表面波の伝搬方向との交差角がそれぞれの溝によって変わることとなり、各溝に対する不要波の反射条件を不均一化できるので、弾性表面波デバイスの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２５°〜５５°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板１２上に、Ａｌと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板１２上に周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ_２膜１５が形成されている、弾性表面波装置１１。 （もっと読む）

【課題】マルチブレードを持ち、生産性の向上と品質維持とを達成できるダイシング装置およびダイシング方法を提供する。
【解決手段】スピンドル１に複数枚のブレード３〜５を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付ける。各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きい。スピンドル１を回転させながら厚みが厚くかつ径が小さいブレード３で被加工物Ｗをハーフカットし、次に被加工物Ｗをスピンドルの軸方向にブレードのピッチＳ分だけ相対移動させ、厚みが薄くかつ径が大きいブレード４，５で既にハーフカットされた被加工物Ｗを更にハーフカットあるいはフルカットする。 （もっと読む）

モノリシック電子デバイスは、基板と、基板上に形成された半絶縁圧電ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、エピタキシャル層上に表面弾性波デバイスを形成する一対の入力および出力インターディジタル変換器と、基板上に形成された少なくとも１つの電子デバイス（ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、フォトダイオード、ＬＥＤなど）とを含む。電子デバイスをＳＡＷデバイスから、反対にＳＡＷデバイスを電子デバイスから電気的かつ音響的に分離するための分離手段が開示される。いくつかの実施形態ではＳＡＷデバイスと電子デバイスとの間にトレンチが形成される。さらに、その上にＳＡＷデバイスを製造することができる半絶縁ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成するためのイオン注入が開示される。インターディジタル変換器に隣接した吸収および／または反射部品が、ＳＡＷデバイスの動作を妨害する可能性がある不要な反射を低減させる。
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【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電性基板としてのＬｉＴａＯ₃基板上に、第１絶縁物層２を全面に形成し、ＩＤＴ電極を形成するためのレジストパターン３を用いて、ＩＤＴ電極が形成される部分の絶縁物層を除去し、第１絶縁物層が除去されている領域にＡｌよりも大きい密度の金属または該金属を主成分とする合金からなる電極膜を形成してＩＤＴ電極４Ａを形成し、第１絶縁物層上に残留しているレジストを除去し、第１絶縁物層２及びＩＤＴ電極４Ａを被覆するように第２絶縁物層６を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フィルタのリターンロスを削減し、高性能であり、広帯域化可能であり、かつ小型化可能な電子回路装置を提供することである。
【解決手段】 本発明は、フィルタ（１５４，１５６）と、該フィルタに接続された９０°ハイブリッド（１５０，１５２）と、を備えた電子回路装置である。本発明によれば、フィルタ（１５４、１５６）に９０°ハイブリッド（１５０、１５２）を接続することにより、９０°ハイブリッドの１端子に入力された信号が９０°ハイブリッドを通過し、フィルタで反射され、元の端子に出力されることがない。すなわち、リターンロスを削減することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板にＩＣ領域と弾性表面波素子領域とを備え一つのチップに構成した
弾性表面波装置において、弾性表面波素子を形成する部分の平坦度を確保し、良好な特性
の得られる弾性表面波装置および弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板にＩＣ領域と弾性表面波素子領域とを備え、一つのチップに構
成された弾性表面波装置１であって、弾性表面波素子領域における半導体基板３０上及び
素子絶縁膜３３上でかつ弾性表面波素子２４が形成された領域の下方に、ＩＤＴ電極２２
の電極指２１に略平行で同じピッチＰである線状の層厚み調整膜３２，３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子の製造過程において、被塗布物である球状基材の表面にレジスト、感応膜等の被膜を伝搬路又は電極パターンを形成すること等を目的としたフォトリソグラフィープロセスの適用される領域に均一な被膜を形成するための被膜形成方法及び被膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の球状基材への被膜形成装置は、回転支持体３１を回転する回転手段３０と、球状基材１０を回転支持体３１の回転軸から離間した箇所に固定して搭載する手段とを有しており、回転支持体３１の中心の回転軸から離れた位置に設置された基材支持台４１に球状基材１０を固定し、回転軸中心について球状基材を回転させることによって、伝搬路領域（円環領域）に亘って均一な厚さの被膜を形成する。 （もっと読む）