【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】高温下におかれたとしても、電気抵抗の増大や周波数特性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力試験における特性の劣化を抑制することができる、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３が複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなり、該積層金属膜が、Ａｌ膜またはＡｌ基合金からなる第１の金属膜３ｂと、第１の金属膜とは異なる金属もしくは合金からなる第２の金属膜３ｅと、第１，第２の金属膜間に配置されているＣｕ膜３ｃ及びＴｉ膜３ｄを有し、Ｃｕ膜３ｃ及びＴｉ膜３ｄの内、Ｃｕ膜３ｃが第１の金属膜３ｂ側に配置されている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】高い良品率で容易に製造し得る弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されている第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第３の媒質１３と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に設けられているＩＤＴ電極１６と、第３の媒質１３と第２の媒質１２との間に設けられている光触媒層１７とを備えている。第３の媒質１３は、第１及び第２の媒質１１，１２よりも遅い音速を有する。光触媒層１７は、光触媒を含む。光触媒は、第２の媒質１２を構成している誘電体と第３の媒質１３を構成している誘電体とのうちの少なくとも一方を改質させる。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を低減する構造を低コストで実現する。
【解決手段】圧電基板１と、圧電基板１上に形成された櫛歯型電極を含む共振器２ａ及び２ｂと、櫛歯型電極に接続された配線部３と、櫛歯型電極を覆うように形成された誘電体層４とを備える弾性波フィルタであって、配線部３は、櫛歯型電極と同層の下層配線部３ｄと、下層配線部３ｄの上部に配された上層配線部３ｅとを備え、上層配線部３ｅは、下層配線部３ｄの電極幅よりも大きな電極幅を有する領域を備えている。 （もっと読む）

【課題】共振周波数よりも低周波数側の周波数側におけるリップルを小さくすることができる、１ポート型弾性波共振子を得る。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３が交叉幅重み付けされており、ＩＤＴ電極３の中心ＯよりもＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向一端である第１の端部３ａ側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域と、中心ＯよりもＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向他端である第２の端部３ｂ側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域とが非対称とされている、一ポート型弾性波共振子１。 （もっと読む）

【課題】入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極をテーパー型に構成した弾性波フィルタにおいて、通過周波数帯域において減衰特性の良好な平坦性を得ること。
【解決手段】複数の電極指１５及び反射電極２６の幅寸法及び間隔寸法がバスバー１４の一方側から他方側に向かうにつれて広がるように形成された入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極１３を備えた弾性波フィルタにおいて、反射電極２６の少なくとも１つとして、順方向に弾性波が反射するように重み付けられた第１の領域２８と、順方向に弾性波が反射しないように重み付けが間引かれた第２の領域２９と、をその長さ方向に配置した補助反射電極３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】通過帯域幅を広く保ちつつ挿入損失劣化を低減し、通過帯域平坦性を向上できる弾性表面波装置と通信装置の提供。
【解決手段】圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に対して直交する方向に電極指を多数本有する複数のＩＤＴ電極２〜７を配設し、隣り合う２つのＩＤＴ電極が各々、相手側の端部から一部分であって、電極指ピッチが残りの部分の電極指ピッチと異なる第１の部分Ｌ２、Ｌ３と、電極指ピッチが一定な第２の部分Ｌ１，Ｌ４とで構成され、第１の部分Ｌ２，Ｌ３の電極指ピッチの平均値が第２の部分Ｌ１，Ｌ４の電極指ピッチより短く形成され、且つ第１の部分Ｌ２，Ｌ３の電極指ピッチが隣り合う２つのＩＤＴ電極の境界に向かって短くなり、第１の部分Ｌ２，Ｌ３において電極指ピッチの極小部を複数備え、隣り合う２つのＩＤＴ電極間の境界における電極指ピッチが、隣り合う２つのＩＤＴ電極の第２の部分の電極指ピッチよりも短くなっている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上にＩＤＴ電極を３つ以上並べると共にこれらのＩＤＴ電極の両側に反射器を配置した縦結合型弾性表面波フィルタにおいて、通過周波数帯域における低域側の立ち上がりの急峻性を改善すること。
【解決手段】ＩＤＴ電極１１において、一方のバスバー１３から互いに隣接して伸びる２本の電極指１４、１４の中心間の距離であるピッチ（配列間隔）の長さ寸法をＰ_ｉ１、第１の反射器１２ａにおいて第１のＩＤＴ電極１１ａに隣接するグレーティング電極１７の中心線と、第１のＩＤＴ電極１１ａにおいて第１の反射器１２ａに隣接する電極指１４の中心線と、の間の寸法をＬとすると、寸法ＬをＬ＜０．５Ｐ_ｉ１の範囲となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波の漏れを改善した弾性表面波共振器の提供。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板の上面に設けられた櫛型電極１０２と、前記櫛型電極１０２を覆う誘電体薄膜とを備えた弾性表面波共振器であって、前記櫛型電極１０２は、バスバー電極領域１０５とダミー電極領域１０６と交差領域１０７とを含む構成であって、前記バスバー電極領域１０５の上部において、前記誘電体薄膜の厚みが前記交差領域上部の前記誘電体薄膜の厚みよりも薄い構成である。この構成で、弾性表面波の横方向の漏れを改善して、特性に優れた弾性表面波共振器を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を設けてエッチング除去することなく、メンブレン構造を構成できる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、パターン形成工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）とイオン注入工程（Ｓ１４）と接合工程（Ｓ１５）と剥離工程（Ｓ１６）とを含む。パターン形成工程は、支持基板３の主面に支持部２をパターン形成する。支持部２は支持基板３の主面から突出する。イオン注入工程（Ｓ１４）は圧電基板１の平坦面にイオンを注入する。接合工程（Ｓ１４）は、圧電基板１の平坦面に支持基板３を支持部２で接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、圧電基板１の平坦面から一定距離の内部でマイクロキャビティを成長させて、支持部２に接合する圧電基板１から圧電薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】周波数を有効かつ十分に可変制御し得るＳＡＷ素子及びＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶からなる圧電基板２の主面に、ＳＡＷを励振するためのＩＤＴ３とヒータ電極５ａ，５ｂとを設け、該ヒータ電極をＩＤＴに対してＳＡＷ伝搬方向と直交する向きの両側に配置した。ＳＡＷ素子の動作温度範囲は、圧電基板の周波数温度特性が２次曲線又は３次曲線で表される場合に、その極値を含まないように設定し、該２次曲線又は３次曲線が温度の上昇に関して常に負方向に変化するようにする。 （もっと読む）

【課題】小型化、低背化を図りつつ、周波数をより大きな可変幅で効率良く可変制御し得るＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、圧電基板４の主面にＳＡＷを励振するためのＩＤＴ５を有するＳＡＷ素子３と、ＳＡＷ素子を圧電基板のＳＡＷ伝搬方向の一方の端部４ａで片持ちに支持固定するベース２と、印加電圧に応じて自由端部９ａを長さ方向に変位させるアクチュエータ９とを備える。アクチュエータの自由端部は、圧電基板のＳＡＷ伝搬方向にＩＤＴよりも他方の端部４ｂ側においてその裏面４ｃに、該アクチュエータの長さ方向に関して４５°より小さい角度で当接し、圧電基板をその他方の端部を押し上げて撓ませる。アクチュエータの自由端部が、圧電基板裏面に摺接しつつ印加電圧により長さ方向に変位して圧電基板の撓み量を変化させ、ＳＡＷデバイスの周波数を線形に変化させる。 （もっと読む）

【課題】部品点数の低減及び小型化を図り得るだけでなく、設計の自由度を高め得る弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に弾性表面波共振子からなる直列腕共振子４と、弾性境界波共振子からなる並列腕共振子７とを有し、直列腕共振子４及び並列腕共振子７がフィルタ回路を構成するように接続されている弾性波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】少ない工程で簡単に弾性波デバイスの周波数特性を調整する。
【解決手段】圧電基板２上に、くし型電極３を形成する電極形成工程と、くし型電極３を覆おうようにバリア膜４を形成する工程と、バリア膜４の上に媒質５を形成する工程と、くし型電極３により励起される弾性波の周波数特性を測定する測定工程と、バリア層４をパターニングするかまたは、調整膜をさらに設けることで、励起領域において厚みが他の部分とは異なる調整領域を形成する調整工程とを含み、調整工程では、調整領域の面積Ｔが、測定された周波数特性に応じて調整される。 （もっと読む）

【課題】完成品に近い状態で電気機械結合係数ｋ²や周波数特性などを調整可能とし、デバイスの製造歩留まりを向上させることができ、より低コストの弾性波デバイスを実現することができる。
【解決手段】圧電基板１と、圧電基板１上に配された櫛形電極２と、櫛形電極２間に配された第１の誘電体膜４と、櫛形電極２と第１の誘電体膜４を覆う第２の誘電体膜５とを備える弾性波デバイスであって、第１の誘電体膜４上に調整膜６を備え、調整膜６は第１の誘電体膜４及び第２の誘電体膜５に対して比重が大きい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたことにより、発振動作点における各々の寄生インピーダンスが大きく異なることにより生じ各々の周波数可変特性の差異を抑制する。
【解決手段】出力端３の長さＬ１と、出力端４の長さＬ２とを異ならせることで、ＳＡＷ素子１，２に接続されるインダクタンス値を調整できるので、ＳＡＷ共振子１０の負荷容量と高周波側共振周波数との相関、およびＳＡＷ共振子１０の負荷容量と低周波側共振周波数のとの相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔＣ変更することで、高周波側共振周波数と低周波側共振周波数とを共に周波数ΔＦ調整することができ、周波数精度の良いマルチチャンネルのＳＡＷ共振子１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】高周波帯の適切な周波数位置に減衰極を配置することができるとともに低損失なフィルタを提供する。
【解決手段】信号線に直列接続される複数の直列共振子と、信号線に並列接続される複数の並列共振子とを含むフィルタであって、複数の直列共振子のうち二つの直列共振子間の信号線に少なくとも二つの並列共振子が並列接続され、二つの並列共振子にそれぞれインダクタが直列接続され、インダクタは互いに異なるインダクタンスを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化および高精度化が可能なキャパシタを用い、分波器のアイソレーション特性を向上させること。
【解決手段】共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ１０と、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ２０と、共通端子、送信端子および受信端子のうち２つの端子間に、送信フィルタまたは受信フィルタと並列に接続された容量４０と、絶縁層５１と、各々が絶縁層の一面に形成された共通端子、送信端子および受信端子であるフットパッド５６と、絶縁層の一面とは反対の面に形成された配線６０と、を備えるパッケージと、を具備し、容量は、フットパッドのうち少なくとも一つのフットパッドと、少なくとも一つのフットパッドの相対する２つの辺とそれぞれ重なる２つの配線と、により各々形成され、各々が並列に接続された２つの容量形成部６４を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）