【課題】複数のＳＡＷ装置部を備えたＳＡＷ装置において各ＳＡＷ装置部間の干渉を低減し特性を向上させると共に、設計を複雑化することなく小型低背化・高機能化を図る。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板表面の第一の領域に１以上のＳＡＷ素子とこのＳＡＷ素子の電気的特性を補完する補完回路素子とを実装した第一ＳＡＷ装置部と、ベース基板表面の第二の領域に１以上のＳＡＷ素子とこのＳＡＷ素子の電気的特性を補完する補完回路素子とを実装した第二ＳＡＷ装置部とを備え、ＳＡＷ素子はベース基板にフリップチップ実装され、補完回路素子はベース基板に表面実装されたチップ部品である。第一ＳＡＷ装置部と第二ＳＡＷ装置部との境界部にチップインダクタや導体線路を備える場合には、インダクタの磁束の方向や導体線路の延在方向が互いに交差（略直交）するように配置する。 （もっと読む）

【課題】平衡型端子を有するアンテナ共用器において、平衡型端子における同相信号成分の漏洩が大きいという問題があった。
【解決手段】平衡型高周波フィルタ１０１は、平衡型高周波素子１０２と移相回路１０３とにより構成される。移相回路１０３は伝送線路１０４により構成され、出力端子間に配置される。伝送線路１０４は、長さが略λ_Ｔ／２（λ_Ｔは送信周波数帯の周波数における波長）に設定された、同相信号成分に対して所定の周波数で共振する直列共振回路である。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴによってＳＨタイプの表面波を利用して駆動する圧電共振子において、Ｐ／Ｖ値を大きく維持したまま小型・低背化が達成され、スプリアスの少ない圧電共振子を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト構造のＰｂＴｉＯ_３又はＮａＮｂＯ_３を主成分とする圧電基板１ａの主面の一部に櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデユーサ（ＩＤＴ）３を形成し、ＳＨタイプの表面波を利用して駆動することを特徴とし、特に前記ＰｂＴｉＯ_３のＰｂの一部を、Ｌａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｓｒ、Ｃａ及びＢａのうち少なくとも１種で置換するとともに、Ｔｉの少なくとも一部を、Ｍｎにより置換したＡＢＯ_３型ペロブスカイト型複合酸化物であって、Ｂサイト構成元素１モルに対するＰｂのモル数をａ、Ａサイト構成元素のうちＰｂ以外の元素の総モル数をｂとしたとき、ａ／（１−ｂ）で表される値（ｐ）が０．９０〜１．００からなることが好ましい。 （もっと読む）