【課題】周波数の温度係数および／または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。
【解決手段】第１の音響波速度ＶＬをもつ導波路層ＷＬと、該導波路層に直接隣接し、第２の音響波速度ＶＭ１を有する第１の外套層Ｍ１とを有しており、導波路で音響波を励起するために電極Ｅ１を備えており、波速度について式ＶＬ＜ＶＭ１が成り立っており、導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、導波路層ＷＬは二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に設けた貫通孔にメッキ膜を形成することにより形成される配線を強固なものにするとともに、貫通孔よりも上部に形成されるメッキ層の厚みを均一にする。
【解決手段】電子部品は、圧電基板１の上面に形成されたＩＤＴ電極２およびパッド電極３と、パッド電極３に達する貫通孔を有する支持層４および第１のカバー層５と、パッド電極３に接続されるビア電極６と、ビア電極６の上部と接続されるように第１のカバー層５上に形成され、ビア電極６の上部内側に位置するように穴部を有する配線下地層７と、ビア電極６と一体に配線下地層７上に形成された配線層８と、配線層８を被覆する第２のカバー層９と、第２のカバー層９を貫通して配線層と接続されたアンダーバンプメタル１０と、アンダーバンプメタル１０上に設けられたバンプ１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極形成に際してマスクとなるレジストパターンを高精度に形成することを可能とする電極構造を有する弾性波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上にバスバー３ａ，３ｂを有するＩＤＴ電極である第１の電極３と、第１の電極３に弾性波伝搬方向において並設された第２の電極６とを有し、第１の電極３のバスバー３ａ，３ｂと、第２の電極６のバスバー６ａ，６ｂとがギャップを介して隣り合っている部分のうち少なくとも一つの部分において、ギャップ内またはギャップよりも弾性波伝搬方向と直交する方向において外側に、相手側のバスバー側に向かって突出する突出部１１が設けられている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】特性を安定させることができる、保護膜を備えた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１１は、（ａ）基板１２にＩＤＴ電極２１が形成された弾性波素子と、（ｂ）弾性波素子を覆うように形成される保護膜１５とを備える。弾性波素子は、ＩＤＴ電極２１を含む基板１２上に形成されたＳｉＯ_２膜１３をさらに備え、保護膜１５がＳｉＯ_２膜１３の上から形成されている。保護膜１５に、ＩＤＴ電極２１により励起される弾性波のエネルギーが分布している。保護膜１５は、珪素と窒素を主成分とする窒化シリコン（ＳｉＮ_Ｘ）膜であり、珪素と窒素との組成比を１：Ｘで表すとき、Ｘが０．２を超え、１．００未満である。 （もっと読む）

【課題】圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる、複合圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電体基板２の表面２ａからイオンを注入して、圧電体基板２内において表面２ａから所定深さの領域に欠陥層４を形成する。圧電体基板２の表面２ａに支持基板１０を接合して基板接合体４０を形成する。基板接合体４０を、圧電体基板２内に形成された欠陥層４で分離して、圧電体基板２の表面２ａと欠陥層４との間の剥離層３が圧電体基板２から剥離されて支持基板１０に接合された複合圧電基板３０を形成し、複合圧電基板３０の剥離層３の表面３ａを平滑化する。イオン注入後に、複合圧電基板３０の剥離層３の分極処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高結合基板上にＳＡＷトランスデューサまたはＳＡＷ共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極を各々テーパー型に配置した弾性波フィルタにおいて、ある帯域の周波数特性を他の帯域から独立して調整すること。
【解決手段】周期単位λが一方側のバスバー１４ａ側から他方側のバスバー１４ｂ側に向かうにつれて広がるように形成されたテーパー型の入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極１３を各々備えたフィルタ部３１、３２（フィルタ部３１：λ１〜λ２（λ１＜λ２）、フィルタ部３２：λ３〜λ４（λ３＜λ４））について、これらフィルタ部３１、３２を弾性波の伝搬方向に対して互いに直交する方向に配置すると共に、第１のフィルタ部３１の周期単位λ２と第２のフィルタ部３２の周期単位λ３とを同じ長さに設定する。 （もっと読む）

【課題】位相器をもつ構造の一方向性弾性表面波変換器に関するものであり、すだれ状電極の周期を変化させることにより、広帯域、シャープカットオフ、フラットな特性のフィルターを得る。
【解決手段】位相器をもつ構造の一方向弾性表面波変換器を周期を変化させた傾斜型すだれ状電極及び分散型すだれ状電極に適用する構造とした構成からなる一方向弾性表面波変換器，及び、位相器の位相を変化させる事により、可変周波数フィルタ、可変帯域フィルタを実現する。 （もっと読む）

【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に形成された複数箇所のレジスト１９を測定する測定室１０２と、基板１８を１枚ずつ成膜して基板１８上に電極２１を形成する枚葉式成膜室１０４と、を有する成膜システム１００であって、基板１８上にて隣接するレジスト１９のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段１１６を測定室１０２に有し、測定手段１１６によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板１８から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段１１４を有し、枚葉式成膜室１０４は、基板１８の電極膜厚が制御手段１１４で算出された最適な電極膜厚となるように、基板１８に電極を形成する成膜手段１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット１２ａ〜１２ｃを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を抑制すること。
【解決手段】タンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面に配置され、下面が前記支持基板１０の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成された櫛型電極とを具備し、前記素子基板の弾性波における伝搬方向はＸ軸であり、前記支持基板の上面の法線方向はＸ軸であり、前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のＺ軸と平行ではない弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく、導電補助層を積層した電極部分を設けて、電気的抵抗を低めることができ、しかも電極を覆う誘電体層表面の段差や誘電体層の膜厚のばらつきを小さくすることができる、弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１上にＩＤＴ電極３及び誘電体層１０が形成されており、ＩＤＴ電極３が、電極指６，７と、電極指６，７にそれぞれ連ねられているバスバー４，５とを有し、バスバー４，５の少なくとも一部に積層されるように導電補助層２が設けられており、該導電補助層２が、圧電基板１の上面１ａに形成された溝１ｃ，１ｄ内に埋め込まれている、弾性波素子１１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、入力された電気信号を弾性表面波に変換し、この弾性表面波の圧電基板上における伝搬特性に基づく処理が施された後に電気信号に再び変換する弾性表面波デバイスと、その動作を支援する弾性表面波デバイス支援装置とに関し、コストが大幅に増加することなく、性能が向上し、特性のバラツキが安定かつ確実に回避されることを目的とする。
【解決手段】圧電基板上に形成され、かつ電気信号を弾性波に変換する送波電極と、前記圧電基板を介して到来した弾性波を電気信号に変換する受波電極とを有する弾性表面波デバイスであって、前記送波電極と前記受波電極とで挟まれた前記圧電基板上の領域に塗設あるいは形成され、前記受波電極に到来する弾性波の内、弾性表面波とバルク波との主要な成分が分布する期間の時間軸上における重なりが回避され、あるいは許容される程度に前記弾性表面波の伝搬速度が低い伝搬速度調整体を備える。 （もっと読む）

【課題】たとえば、球状基材を加熱しながらその熱を周囲に放出する程度を計測することによってガスの状態の計測を行なう用途において、熱の放出量を増やしたり、球形基材の大きな熱容量による応答速度の低下、あるいは、加熱部分と温度計測を行なう弾性表面波の周回領域の位置的なずれによる計測精度の低下をもたらさない加熱配線付の球状弾性表面波素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】球形基材１１を、弾性表面波の周回経路１２によって分けられる２つの領域を周回経路以外の領域について削除したリング形状とすることで、球形基材１１の熱容量を相対的に小さくするとともに、上記削除によって生じた凹面１１ａ，１１ｂに、加熱用の配線パターン１５ａ，１５ｂを形成することで、加熱領域と弾性表面波の伝搬領域（周回経路１２）と３次元的に接近した加熱配線付の球状弾性表面波素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】目標とする周波数特性を有する弾性境界波装置を確実に提供することを可能とする弾性境界波装置の製造方法および弾性境界波装置を得る。
【解決手段】第１の媒質１と、第１の媒質上に積層されている第２の媒質と、第１，第２の媒質との界面に配置されたＩＤＴ電極２とを備える積層体を用意し、第２の媒質の外側からイオンを注入し、周波数を調整する各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶球状体の表面に形成するすだれ状電極及び素子電極の処理工数を少なくし、球状弾性表面波素子を効率良く製造することにある。
【解決手段】結晶球状体１１の表面上の素子電極２１ａ，２１ｂ及びすだれ状電極２２を形成しようとする北極部分１３ａ、南極部分１３ｂ及び両極部分を接続する接続部分１３ｃに、無電解析出反応に利用して金属膜１５を一括して成膜する成膜工程と、北極部分１３ａ、南極部分１３ｂに成膜された金属膜１５ａ，１５ｂをそのまま素子電極２１ａ，２１ｂとして利用し、接続部分１３ｃに成膜された金属膜１５ｃ上に対をなすすだれ状電極２２ａ，２２ｂを形成する電極形成工程とを含む球状弾性表面波素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度で弾性境界波装置を製造し得る弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。犠牲層１５が形成された状態でＩＤＴ電極１４によって励振される弾性境界波の周波数特性を測定する。測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とを比較する。比較工程において、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とに差がある場合は、犠牲層１５を除去した後に、当該差に応じて、第２の媒質１２の厚みを調整する。一方、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とが一致している場合は、第２の媒質１２の厚み調整を行わない。 （もっと読む）

【課題】酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜することができる酸窒化シリコン膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。 （もっと読む）

【課題】結晶球の周回経路の結晶方位に対応した膜厚の膜を正確に真空成膜する。
【解決手段】真空容器２１内で蒸着材料２２を加熱気化させる蒸着材料放射ステップ（２２，３１）と、弾性表面波４を周回させる圧電性結晶球２の周回経路５が前記気化された蒸着材料２２の放射ビームの照射方向と対面するように、圧電性結晶球２を回転可能に支持する支持ステップ（３２，３５）と、周回経路の結晶方位に従って前記回転支持ステップによる圧電性結晶球２の回転速度を変更し、周回経路上に結晶方位に依存した膜厚分布で真空成膜する成膜制御ステップ（１，５，３２，３４，３５）とを有する球状弾性表面波素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大きな電気機械結合係数、安定な温度特性、大きな表面弾性波伝播速度を有する圧電体積層体と、当該圧電体積層体を含む表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第１圧電体層３と、を含み、第１圧電体層は、組成式（Ｋ_aＮａ_1-a）_xＮｂＯ₃で表され、該組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２である。 （もっと読む）