【課題】小型で且つ広い温度範囲に亘って安定した周波数信号が得られる発振器及びこの発振器用の弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】共通の圧電基板１上に第１の共振子２及び第２の共振子３を配置すると共に、第２の共振子３から出力される信号を温度補償用の信号として用いるために、これら第１の共振子２及び第２の共振子３の夫々の共振周波数ｆ１、ｆ２を互いに異なる値に設定する。具体的には、第１の共振子２におけるＩＤＴ電極１２の周期長λ１と、第２の共振子３におけるＩＤＴ電極１２の周期長λ２とを互いに異なる値に設定すると共に、これらＩＤＴ電極１２の膜厚ｔ１、ｔ２を互いに異なる寸法に設定する。 （もっと読む）

【課題】アンテナ端子側から受信フィルタを経由して受信フィルタの出力側へ漏洩する送信信号を低減できる分波器を提供する。
【解決手段】分波器１は、送信フィルタ５と、入力側から出力側へ直列に接続された複数の直列共振子１５Ａを含む受信フィルタ９と、送信フィルタ５の出力側及び受信フィルタ９の入力側に接続されるアンテナ端子７と、一端が送信フィルタ５の入力側に接続され、他端が受信フィルタ９の複数の直列共振子１５Ａのうち任意の２つの間に接続され、一端から他端へ流れる信号の位相を調整する調整回路１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、高い耐湿性及び放熱性を確保することが可能な弾性波デバイス、及び多層基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた、弾性波を励振するＩＤＴ２２と、金属からなり圧電基板１０上にＩＤＴ２２を囲むように設けられたシールリング１２及び周縁部１５と、ＩＤＴ２２、シールリング１２及び周縁部１５の上に設けられ、ＩＤＴ２２上に空隙２４が形成されるようにＩＤＴ２２を封止する板部１３と、圧電基板１０上であってシールリング１２及び周縁部１５の外側に設けられ、ＩＤＴ２２と電気的に接続された端子１６と、を具備する弾性波デバイス、及び弾性波デバイスを内蔵する多層基板である。 （もっと読む）

【課題】挿入損失が少なく、効率の高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波の逆速度面が凹となる圧電基板１２と、この圧電基板の表面に設けられた一対の櫛形電極１５を有する弾性波共振器１３とを備え、前記一対の櫛形電極は、対向する一対の共通電極１６と、前記それぞれの共通電極から他方の共通電極側に交互に延出された複数の電極指１７とを有し、前記電極指が交差する領域を交差領域とし、前記電極指の先端と対向する櫛形電極との間のギャップ１９を結ぶ領域をギャップ領域としたとき、前記交差領域における圧電基板の表面の高さよりも圧電基板の表面の高さが低くなるように前記ギャップ領域に段差２５を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】簡易に測定でき、かつ、測定の精度を向上できる。
【解決手段】弾性表面波を伝播する圧電素子基板（１０）と、電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極（１１−１ａ、１１−１ｂ、１１−２ａ、及び１１−２ｂ）と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域（１２）と、前記検出領域に接触し、液体が浸潤する多孔性基材（１３）と、前記電極が液体と接触することを防ぐ封止構造（１４−１及び１４−２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディングの位置合わせを容易にし、電気的特性のばらつきを抑え、信頼性を向上させることができる弾性表面波素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 入力櫛形電極１が接続されるバスバー部３１，３２と、出力櫛形電極２が接続されるバスバー部３３，３４の長辺上に、電気的接続位置を示す指定パターン４１を形成した弾性表面波素子であり、また、凸形状又は凹形状の指定パターン４１をバスバー部と同時にパターニングして形成する弾性表面波素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性に優れ、さらに電気機械結合係数が高められた弾性表面波共振子を用いて形成されており、温度特性及び周波数特性を改善し得るチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｐ１〜Ｐ３に可変コンデンサが接続されている回路構成を備え、該弾性表面波共振子が、ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１１と、該圧電基板の上面１１ａの凹部１１ｂに充填された電極材料からなるＩＤＴ電極１２と、該圧電基板を覆うように設けられたＳｉＯ_２膜１５とを有する、チューナブルフィルタ１。 （もっと読む）

【課題】支持部材の上面における省スペース化を図ることが可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、ベース基板５と、ベース基板５上に実装され、下面（機能面１９ａ）に機能部７ａを有する圧電素子７と、ベース基板５及び圧電素子７間に、機能部７ａを囲むように位置してベース基板５及び圧電素子７を接続する複数のバンプ９と、複数のバンプ９の少なくとも一部（本実施形態では全部）についてバンプ９同士を結びつつ機能部７ａを囲むようにベース基板５の上面１１ａと圧電素子７の下面との間に設けられる壁部１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い抑圧度を持つフィルタを実現する。
【解決手段】分波器（１０）は、共通端子（Ａｎｔ）と、送信端子（Ｔｘ）と、受信端子（Ｒｘ）とを有し、共通端子（Ａｎｔ）と送信端子（Ｔｘ）との間に接続される送信フィルタ（１）と、共通端子（Ａｎｔ）と受信端子（Ｒｘ）との間に接続される受信フィルタ（２）と、共通端子（Ａｎｔ）と受信端子（Ｒｘ）との間に受信フィルタ（２）と直列に接続される移相回路（３）とを備え、移相回路（３）より共通端子（Ａｎｔ）または送信端子（Ｒｘ）に至る線路の一部と、移相回路（３）より受信端子（Ｒｘ）に至る線路の一部とがリアクタンスを介して結合されている。これにより、送信フィルタからの送信信号が受信回路に到達することを根本的に減滅させ、アイソレーションを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】エージング特性、接合強度および平行度の各要素をそれぞれ高いレベルで実現することのできるＳＡＷデバイス、ＳＡＷ発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、圧電基板２１にＩＤＴ２２を形成したＳＡＷチップ２と、ＳＡＷチップ２を支持するベース基板３１１と、ＳＡＷチップ２をベース基板３１１に固定する固定部材４と、を有する。ＳＡＷチップ２は、その平面視にて、ＩＤＴ２２と重ならない位置で固定部材４を介してベース基板３１１に片持ち支持されている。ｙ軸方向におけるＳＡＷチップ２の長さをＷとし、ｙ軸方向における固定部材４の長さをＤとしたとき、１＜Ｄ／Ｗ≦１．６なる関係を満足する。また、固定部材４は、ＳＡＷチップ２の固定端２８の下面２８１および側面２８２ａ、２８２ｂとベース基板３１１とを接合するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】加熱時に、装置内部における接続に破損が発生することを抑制できる回路モジュール及び複合回路モジュールを提供することである。
【解決手段】ＳＡＷフィルタ３２ｂは、圧電基板１７と、圧電基板１７の主面上に設けられている縦結合部と、縦結合部上に空隙Ｓｐを形成した状態で圧電基板１７の主面を覆う支持層１８及びカバー層２０，２２と、カバー層２２上に設けられ、かつ、縦結合部と電気的に接続されているバンプ２４ａ〜２４ｆと、を含んでいる。実装基板は、マザー基板上に実装され、バンプ２４ａ〜２４ｆを介してＳＡＷフィルタ３２ｂが実装される。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有する弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板１０と、ＩＤＴ電極２０と、パッド部２６ａ、２６ｂと、接続部２７ａ、２７ｂとを備えている。ＩＤＴ電極２０は、圧電基板１０の上に配されている。ＩＤＴ電極２０は、複数の電極指２２ａ、２２ｂ及びバスバー２３ａ、２３ｂを有し、互いに間挿し合う一対のくし歯状電極２１ａ、２１ｂからなる。接続部２７ａ、２７ｂは、ＩＤＴ電極２０とパッド部２６ａ、２６ｂとを接続している。パッド部２６ａ、２６ｂの少なくとも表層はＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕからなる。接続部の表層は、ＰｕｒｅＡｌまたはＰｕｒｅＡｕ以外の構成材料により構成されている。 （もっと読む）

【課題】第１、第２伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第１、第２伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の上面１１ａの一部に形成された結晶配向調整膜１３と、基板１１の上面１１ａにおける結晶配向調整膜１３の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜１２と、圧電薄膜１２の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第１、第２伝搬路とを備え、圧電薄膜１２のうち、結晶配向調整膜１３の形成領域上に位置する第１領域１２ｃと、結晶配向調整膜１３の非形成領域上に位置する第２領域１２ｄとは、結晶配向が異なっており、第１、第２伝搬路は、それぞれを占める第１、第２領域１２ｃ、１２ｄの面積比が異なる構成とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波の伝搬損失を低減できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板３と、圧電基板３の上面に位置した少なくとも１つのＩＤＴ電極５とを有する弾性波素子である。ＩＤＴ電極５は、圧電基板３を伝搬する弾性波の伝搬方向に延びて互いに対向して配置された一対の第１バスバー２１および第２バスバー２２と、第１バスバー２１から第２バスバー２２に向かって延び、第２バスバー２２に対して第１ギャップＧ１を有する位置に先端が位置している複数の第１電極指８と、第１電極指８に隣接して第２バスバー２２から第１バスバー２１に向かって延び、第１バスバー２１に対して第２ギャップＧ２を有する位置に先端が位置している複数の第２電極指８とを有し、第１電極指７は、第１交差領域Ｒ１のみに位置する、伝搬方向に突出した第１凸部３１を有している。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を被覆した弾性表面波素子において、フィルタとしての通過特性の劣化を抑制する。
【解決手段】圧電基板と、当該圧電基板上に形成される少なくとも１組のＩＤＴ電極と、当該圧電基板および当該ＩＤＴ電極の少なくとも一部を被覆する誘電体膜とを備える弾性表面波素子であって、圧電基板は、オイラー角（−１０°〜１０°，１２５°〜１４０°，−１０°〜１０°）の範囲のカット角のリチウムタンタレート基板であり、誘電体膜は、二酸化珪素を主成分とし、少なくともＩＤＴ電極が有する複数の電極指が並ぶ領域を被覆する第１の誘電体膜、および、窒化珪素を主成分とし、当該第１の誘電体膜を被覆する第２の誘電体膜を含み、ＩＤＴ電極の電極指上に伝搬する弾性表面波の音速が４０００ｍ／ｓ〜４１００ｍ／ｓの範囲内である。 （もっと読む）

【課題】この弾性波素子は良好な温度特性と電気機械結合係数とを有する。
【解決手段】弾性波素子は、圧電体と、圧電体の上面上に設けられた第１と第２のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、圧電体の上面上に設けられてかつ第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極とを覆う第１の誘電体層とを備える。第１のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第１の部分の上面の圧電体の上面からの高さより、第２のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第２の部分の上面の圧電体の上面からの高さが高い。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板１１の一方の面に接合され、圧電性基板１１との間に気密封止されたキャビティＣを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板１１の一方の面に形成され、圧電性基板１１と前記封止基板１２との接合部及びキャビティＣ内に配設されたＩＤＴ１６と、封止基板１２又は圧電性基板１１を厚み方向に貫通すると共にＩＤＴ１６に導通する貫通電極３３と、圧電性基板１１及び封止基板１２のうちの少なくとも一方に形成され、貫通電極３３に導通する外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板１１は、パッケージ外部から作用する力学量に応じて変位する変位部２１を有し、圧電性基板１１には、変位部２１を圧電性基板１１の他方の面側に露出させる開放部Ｅが設けられているセンサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板１１の一方の面に接合され、圧電性基板１１との間に気密封止されたキャビティを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板１１の一方の面に形成され、キャビティ内に配設されたＩＤＴ１６と、封止基板１２の圧電性基板１１と接合する面と反対の面に形成され、パッケージ１３外部に露出すると共に引出し電極を介してＩＤＴ１６に導通された外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板１１は、パッケージ１３外部から作用する力学量に応じて変位する変位部を有し、圧電性基板１１には、変位部２１を圧電性基板１１の他方の面側に露出させる開放部Ｅが設けられ、パッケージ１３は、封止基板１２の外部接続電極１８を形成した面を回路基板上に表面実装するセンサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板の一方の面１１ａに接合され、圧電性基板との間に気密封止されたキャビティを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板の一方の面に形成され、キャビティ内に配設されたＩＤＴ１６と、両基板のうちの少なくとも一方に形成され、パッケージ外部に露出すると共に引出し電極を介してＩＤＴに導通された外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板が、パッケージ外部から作用する力学量に応じて変位する変位部２１を有し、圧電性基板には変位部を圧電性基板の他方の面側に露出させる開放部Ｅが設けられているセンサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】高結合基板上にＳＡＷトランスデューサまたはＳＡＷ共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 （もっと読む）