【課題】高い表面弾性波伝播速度を有し、高い周波数で効果的に動作する、窒化物系半導体を用いた表面弾性波フィルターおよびその高能率、高歩留まり、低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】サファイア基板１上に（ＡｌＮ)_ｘ(Ａｌ_２Ｏ_３)_１−ｘ層２と、ＡｌＮ層３とをこの順序で順次形成し、さらに、ＡｌＮ層３上にＧａＮ層４を形成してなる薄膜構造を有し、かつ、該薄膜構造上に櫛型電極５を有する表面弾性波フィルターであって、（ＡｌＮ)_ｘ(Ａｌ_２Ｏ_３)_１−ｘ層２の組成式におけるｘの値が基板１側からＡｌＮ層３側に向かって増加していることを特徴とする表面弾性波フィルターを構成する。 （もっと読む）

【課題】 擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置において、スプリアスを効果的に抑制することによりＣＩ値やＱ値を改善し、高周波化を容易にする弾性表面波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λを１≦ｔ／λ≦２２とし、基板の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向をオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内とする。 （もっと読む）

より一層の小型化を図ることができ、かつ帯域外減衰量の拡大を図ることができ、良好なフィルタ特性を得ることを可能とするバランス型の弾性波フィルタを提供する。
弾性波基板２上において、不平衡端子３と、第１，第２の平衡端子４，５との間に、第１，第２のフィルタ素子７，８が接続されており、フィルタ素子７，８は、少なくとも３個のＩＤＴ７ａ〜７ｃ，８ａ〜８ｃをそれぞれ有する縦結合型の表面波フィルタであって、ＩＤＴ７ａ，７ｃ，８ａ，８ｃの一端同士が共通接続されて、不平衡端子３に接続されており、ＩＤＴ７ａ，７ｃ，８ａ，８ｃの他端同士が第２の接続配線１２により接続されて不平衡側接地部を構成しており、ＩＤＴ７ｂ，８ｂの接地側端部同士が第１の接続配線１１により接続されて共通中点接地部を構成しており、該共通中点接地部と上記不平衡側接地部とが電気的に分離されている、弾性波フィルタ１。
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【課題】付加インピーダンスを用いて減衰極を形成し、ＳＡＷフィルタの周波数特性を高性能化し得る有極型ＳＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】二端子対回路のＳＡＷ共振器を用いた共振器形ＳＡＷフィルタと二端子対回路のインピーダンスの直列接続により構成される有極型ＳＡＷフィルタであって、前記二端子対回路のインピーダンスにより減衰極を形成し、急峻な周波数特性を有するとともに、前記二端子対回路のインピーダンスＺ_4AP にインダクタＬ₄₀とキャパシタＣ₄₀を用いるようにしたものである。 （もっと読む）

高い周波数における共振子のＱ値を向上し、このような共振子を用いたフィルタの挿入損失、及びフィルタの急峻度を向上する。 圧電基板の上に、インターディジタルトランスデューサとその両側に反射電極とを設けた弾性表面波共振子を複数個並列接続し、並列接続された弾性表面波共振器の共振周波数を、並列接続されたもの同士すべて同じにするものであり、このようにすることにより、共振のＱ値が向上でき、またこの弾性表面波共振子を用いて弾性表面波フィルタを構成することにより、挿入損失、急峻度の改善を図る。 （もっと読む）

本発明は、縦方向に結合されており、非対称的な電気的なポートおよび対照的な電気的ポートを有する入力変換器および出力変換器を備えた表面波共振器フィルタに関する。入力変換器は相互に並列に接続されており、また非対称的な電気的なポートの信号端子と接続されている。入力変換器はそれぞれ２つの出力変換器の間に配置されており、これらの２つの出力変換器は相互に並列に接続されており、また対称的な電気的なポートの端子に接続されている。中央に配置されている２つの出力変換器は一緒にいわゆるＶスプリット変換器を形成し、２つの出力変換器に共通する電流レールは、音響的なトラックの中心とは反対側において反射性に作用するフィンガを用いて、隣接する入力変換器の前述の電流レールとは反対側にあるアースレールに接続されている。本発明によるフィルタは良好な対称性および整合において挿入損失が少ないという利点を有する。
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圧電基板が焦電性を復活しないようにした弾性表面波装置及び該装置の製造方法を提供する。 パッケージ２２内に収納される弾性表面波素子１０の圧電基板１２は、抵抗率が１．０×１０^７Ω・ｃｍ以上１．０×１０^１３Ω・ｃｍ以下である。パッド１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１６ａ，１６ｂ，１６ｃと外部電極との間の電気的接続部分に用いるはんだ材２６とパッケージ２２とキャップ２３との間を封止する封止材２８との少なくとも一方の融点が３００℃以下である。 （もっと読む）

樹脂封止部分におけるボイドの発生及び経時的な特性劣化が生じ難く、低コスト化され得る電子部品の製造方法を提供する。
実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２と樹脂フィルム１２とを、ガスバリア性を備えた袋１３の中に入れ、密封する減圧パック工程を設ける。減圧パックされた実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２間に樹脂フィルム１２を袋１３の内外の圧力差に基づき浸入させることにより、ＳＡＷ素子２を樹脂フィルム１２由来の封止樹脂部４によって封止する封止工程を設ける。 （もっと読む）

電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡略な構造により簡単な工法で製造され得るストンリー波を利用した弾性境界波装置を提供する。
圧電体２の一面に誘電体３が積層されており、圧電体２と誘電体３との間の境界に電極としてＩＤＴ４及び反射器５，６が配置されており、誘電体３を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体２を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

圧電基板（１１）と、圧電基板（１１）の表面に設けた複数個の電極指（１２）で構成されるＩＤＴ（１３）と、このＩＤＴ（１３）の両端部に近接して設けた反射器（１４）とを備え、上記ＩＤＴ（１３）は両端部の複数の電極指（１２）の電極指ピッチを、このＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチと異ならせたグラデーション領域を有し、このグラデーション領域の電極指ピッチはグラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指からグラデーション領域のもう一方の端部の電極指にかけて電極指ピッチを順次変化させるとともに、グラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指の電極指ピッチを上記ＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチの１〜５％小さくした構成からなる。 （もっと読む）

反射端面を高精度かつ容易に形成することができ、製造に際しての基板のチッピングが生じ難く、小型化及び低背化を進めることができる端面反射型弾性表面波装置を提供する。
基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、圧電薄膜３上に形成されたインターデジタル電極４〜７とを備え、インターデジタル電極４〜７の最外側の電極指の近傍に反射部１０，１１，１４，１５が設けられており、該反射部１０，１１，１４，１５が圧電薄膜３に凹部を形成することにより設けられている、端面反射型弾性表面波装置１。 （もっと読む）

圧電基板（２０１）上に、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とを形成することにより構成され、第１のＩＤＴ（２０２）は入出力端子の一方
の端子（２０４）と入出力端子の他方の端子（２０５）との間、すなわち信号経路に直列に配置され、第２のＩＤＴ（２０３）は入出力端子の一方の端子（２０４）と第１のＩＤＴ（２０２）との間から信号経路に対して並列に配置される。さらに、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とはそれぞれの共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上で近接して配置される。 （もっと読む）

良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．５４＜ｄ＜０．８９とされている、弾性境界波装置。
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【課題】 ＳＡＷフィルターの減衰特性が低下してしまうことを防止する。
【解決手段】 ランガサイトを圧電体として備えるＳＡＷフィルターの実装領域１１に、ＳＡＷフィルターの入力端子および出力端子に接続される入力側端子電極１２ａおよび出力側端子電極１３ｅを備えた。各端子電極１２ａ，１３ｅには、ＳＡＷフィルターの実装領域１１から所定距離＃ＬまではＳＡＷフィルターにおける表面弾性波の伝搬方向Ｐに対して直交する方向に伸び、実装領域１１から所定距離＃Ｌだけ離間した屈曲位置において、ＳＡＷフィルターにおける表面弾性波の伝搬方向Ｐに対して平行な方向に伸びるマイクロストリップライン１４，１４を接続した。プリント基板１０における実装領域１１内および実装領域１１以外の領域に、プリント基板１０の表面と接地された裏面とを導通する複数のスルーホール１６，…，１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷフィルターの減衰特性が低下してしまうことを防止する。
【解決手段】 ランガサイトを圧電体として備えるＳＡＷフィルターの実装領域１１に、ＳＡＷフィルターの入力端子および出力端子に接続される入力側端子電極１２ａおよび出力側端子電極１３ｅを備えた。各端子電極１２ａ，１３ｅには、ＳＡＷフィルターの実装領域１１から所定距離＃ＬまではＳＡＷフィルターにおける表面弾性波の伝搬方向Ｐに対して直交する方向に伸び、実装領域１１から所定距離＃Ｌだけ離間した屈曲位置において、ＳＡＷフィルターにおける表面弾性波の伝搬方向Ｐに対して平行な方向に伸びるマイクロストリップライン１４，１４を接続した。実装領域１１から屈曲位置までの所定距離＃Ｌを、１０ｍｍ以内の値に設定した。 （もっと読む）

【課題】 トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域内特性を平坦化する手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に２つのＩＤＴ電極を所定の間隔をおいて配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタであって、ＩＤＴ電極の一方を反射機能を有する電極周期λＲの基本区間と、反射機能を有しない電極周期λＳの基本区間とを用いて形成すると共に電極周期λＲ及びλＳを互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】 導体中に含まれる添加成分が少なくても、基板と導体の焼結挙動差、熱膨張差を小さくし、導体損失を損なわないストリップ線路を有する高周波部品を提供する。
【解決手段】 本発明は、誘電体セラミック材料からなる複数の誘電体層が積層された積層基板１の内部に、少なくとも１層の誘電体層１ｂの厚み以上の厚みを有するストリップ線路２〜４を配置して成る高周波部品において、前記前記ストリップ線路２〜４は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａの少なくとも１種類の有機金属を重量比率０．１〜２重量部となるようにコーティングした銀粉末と、該銀粉末１００重量部に対して７〜９重量部のβ石英とを有する導電性ペーストを用いて、積層体基板と一体焼結して形成した高周波部品である。 （もっと読む）

【課題】 通過帯域外の減衰量を大きくしたＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電基板１上に三電極縦モード型ＳＡＷフィルタ素子４と、ラダー型フィルタ素子６を形成し、パッケージ９内に収納し、この三電極縦モード型ＳＡＷフィルタ素子４とラダー型ＳＡＷフィルタ素子６は縦続接続されており、三電極縦モード型ＳＡＷフィルタ素子４とラダー型ＳＡＷフィルタ素子６のアース端子１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄをパッケージ９のアース端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄとそれぞれ電気的に接続するとともに、アース端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄをパッケージ９内の一ヵ所において電気的に接続した構成である。 （もっと読む）

【課題】 トランスバーサルＳＡＷフィルタの帯域幅を拡大すると共に減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 トランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極の少なくとも１つを電極間引き法を用いてメインローブ、第１サイドローブ及び第２サイドローブで形成し、メインローブの基本区間数をＬ、メインローブを置換する逆方向ＳＰＵＤＴの区間数をＮ１とするとき、０．０８Ｌ＜Ｎ１＜０．６Ｌの範囲内に選ぶ。 （もっと読む）