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弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 応用回路の種別 (1,446) | フィルタ (1,008) | BPF、BEF (120)

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【課題】メアンダ構造のIDT電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いると共に通過域よりも低域側及び高域側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性波フィルタにおいて、減衰域にて良好な減衰特性を持つフィルタを提供する。
【解決手段】入力側IDT電極12及び出力側IDT電極として、入力ポート21や出力ポートと接地ポート23との間に複数のIDTブロック1を互いに直列に接続したメアンダ構造の電極を各々配置すると共に、互いに隣接するIDTブロック1、1間において電極指17を取り除いて、不要な弾性波が励振することを抑える。 (もっと読む)


【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さいワンチップ漏洩表面弾性波分波器を提供する。
【解決手段】直列腕共振器102−7、102−8、102−9と並列腕共振器103−5,103−6から成る梯子型バンドパスフィルタ107−1、および多重モード型共振器104−1、104−2,104−3、104−4から成る多重モード結合型バンドパスフィルタ107−2から構成される分波器101−1において、直列腕共振器102−7、102−8、102−9のメタライゼーションレシオを多重モード型共振器104−1、104−2,104−3、104−4のメタライゼーションレシオまたは並列腕共振器103−5,103−6のメタライゼーションレシオより大きい値に設定する。 (もっと読む)


【課題】通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波フィルタにおいて、前記減衰域において良好な減衰量を得ること。
【解決手段】2つのSAW共振子11、12を入力ポート5と出力ポート6との間に互いに並列に接続する。そして、周波数と減衰量との関係を示す特性図において、これらSAW共振子11、12の各々の減衰域に形成されるサイドローブの位置を互いに位置ずれさせるために、第1のSAW共振子11の本数Nと、第2のSAW共振子12の本数Nと、を互いに異なる本数に設定する。更に、このように本数Nを互いに異なる数量に設定したことに伴うインピーダンスの不整合を解消するために、これらSAW共振子11、12の互いの交差長Wを異なった寸法にする。 (もっと読む)


【課題】減衰域よりも高周波数帯域側に通過帯域を設定したハイパス型のノッチフィルタにおいて、前記通過帯域における挿入損失を抑えること。
【解決手段】入力ポート5と出力ポート6との間に2つのSAW共振子11、12からなる直列回路を直列に配置すると共に、これらSAW共振子11、12間にインダクタ素子15を並列に接続する。そして、SAW共振子11(12)に対して、容量素子21(22)及び補助インダクタ素子31(32)からなる直列回路を並列に接続する。更に、補助インダクタ素子31(32)のインダクタンス値が0.5nH〜1.6nHとなるようにする。 (もっと読む)


【課題】縦モード共振型フィルタを用いてバンドパスフィルタを構成するにあたり、通過帯域内におけるリップルの発生を抑えながら、通過帯域の広域化を図ること。
【解決手段】3つのフィルタ部1〜3を入力ポート21と出力ポート22との間に並列に接続し、第1のフィルタ部1の高域側の共振点f21と、第2のフィルタ部2の低域側の共振点f12とを互いに重ね合わせると共に、第2のフィルタ部2の高域側の共振点f22と、第3のフィルタ部3の低周波数側の共振点f13と、を互いに重ね合わせる。そして、第1のフィルタ部1及び第3のフィルタ部3では出力ポート22から取り出される電気信号の位相が互いに同位相となり、一方第2のフィルタ部2では出力ポート22から取り出される電気信号の位相がこれら第1のフィルタ部1及び第3のフィルタ部3とは逆位相となるようにする。 (もっと読む)


【課題】トランスバーサル型の弾性波フィルタにおいて、当該フィルタと外部との間のインピーダンスの整合を取りやすくすること。
【解決手段】各々のIDT電極12、13について、弾性波の発生するフィルタ本体1と、弾性波が発生しないように電極指15が配置された緩衝領域2と、容量成分C2をなすインピーダンス調整部3と、を対向するIDT電極13、12側からこの順番で配置する。そして、インピーダンス調整部3において弾性波が発生しないように、且つフィルタ本体1における弾性波の発生を阻害しないように、インピーダンス調整部3の上方側と、当該インピーダンス調整部3側における緩衝領域2の端部と、に弾性波を吸収するための吸収体41を配置する。 (もっと読む)


【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板110を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板110上にIDT電極を形成する工程とを備える。IDT電極を形成する工程は、Al層124Aを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板110上に形成することと、Al層124Aの形成を中断した後に再びAl層124Bの形成を行ない、更にAl層124Bの形成を中断した後に再びAl層124Cの形成を行ないAl層を所定の厚さにすることとを含む。 (もっと読む)


【課題】テーパー型の弾性波フィルタにおいて、圧電基板の寸法を小さく抑えつつ、入力側IDT電極及び出力側IDT電極を各々一つずつ配置した従来のフィルタよりもインピーダンスを高める。
【解決手段】入力側IDT電極12同士及び出力側IDT電極13同士が各々同じ構成のフィルタ部31、32を配置すると共に、一方のフィルタ部31のIDT電極12、13間に他方のフィルタ部32の入力側IDT電極12を配置する。この時、フィルタ部31、32において、一方のフィルタ部31を他方のフィルタ部32に対して2つの長辺4、4のうちいずれかの長辺4側に配置している。そして、入力側IDT電極12、12同士及び出力側IDT電極13、13同士が信号ポート20と接地ポート23との間に各々直列に接続されるように、高周波数側のバスバー14、14同士を導電路41(42)により互いに接続する。 (もっと読む)


【課題】位相反転用のインダクタからなる直列腕と減衰域に対応する周波数で直列共振を起こす素子部からなる並列腕とを備えたノッチフィルタにおいて、これら直列腕及び並列腕を基板上に実装した場合であっても、減衰域における特性の劣化を抑えること。
【解決手段】内部領域に導電路34の形成されたパッケージ基板5上にインダクタ11及びSAW共振子12(圧電基板4)を配置して、この導電路34を介してSAW共振子12を接地する。そして、前記SAW共振子12と前記接地ポート3との間に、前記減衰域に対応する周波数において前記導電路34のインダクタ成分と直列共振が起こるように容量値の設定された容量成分37を接続して直列共振回路21を構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、小型化、製造コストの低減が可能なアンテナモジュール、電子チューナモジュール、携帯通信機器を提供する。
【解決手段】本発明に係るアンテナモジュール1は、信号を受信するためのアンテナ素子11と、該アンテナ素子11で受信する信号を共振させる共振発生部12と、該共振発生部12に接続され、アンテナ素子11で受信した信号から所定の周波数帯域の信号を除去するフィルタ部13とを備えている。フィルタ部13は、共振発生部12とフィルタ部13とのインピーダンスを整合するコイル13cを有し、フィルタ部13のコイル13cを用いて、アンテナ素子11の電気長を延長する。 (もっと読む)


【課題】複数のSAW共振子が直列腕及び並列腕としてラダー型に接続されると共にこれら直列腕のうち中央の直列腕を容量素子として配置したバンドパスフィルタにおいて、通過ロスを小さく保ったまま、当該中央の直列腕によって形成される極を減衰させること。
【解決手段】容量素子8をなすSAW共振子である直列腕10によって2つのラダー型フィルタ50、50を互いに直列に接続して圧電基板1上に配置すると共に、当該直列腕10を覆うようにモールド材51を設けて、この直列腕10における弾性表面波の発生を抑えて電気機械結合係数を小さくする。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】二端子対SAW共振子は、オイラー角(−1°≦φ≦1°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT12A,12Bと、IDT12A,12Bを構成する電極指18間に位置する基板を窪ませた溝32を有する二端子対SAW共振子10Aであって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、


を満たし、かつ、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】通過帯域内に阻止帯域を有する帯域阻止型の弾性波フィルタ装置であって、通過帯域における挿入損失が小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置1は、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2との間において、互いに並列に電気的に接続されている第1及び第2の直列腕弾性波共振子S1,S2と、第1のインダクタL1と第1及び第2の直列腕弾性波共振子S1,S2との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第1の並列腕弾性波共振子P1が設けられている第1の並列腕13aと、第2のインダクタL2と第1及び第2の直列腕弾性波共振子S1,S2との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第2の並列腕弾性波共振子P2が設けられている第2の並列腕13bとを備えている。 (もっと読む)


【課題】所定の通過域の周波数帯が広く、通過域での挿入損失量が少ないバンドパスフィルタ装置の提供。
【解決手段】ハイパス用弾性表面波共振子111とハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続の第一のハイパス用インダクタ素子112とからなるハイパスフィルタ回路部110と、一端がハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続された第一の弾性表面波共振子121と一端が第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子122と第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子124と一端が第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子123と第三の弾性表面波共振子に並列に接続された第二のローパス用インダクタ素子125とからなるローパスフィルタ回路部120とを備え、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とが接続された構成。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波装置の耐電力性の向上を図ること。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電性単結晶基板10と、上記圧電性単結晶基板上に形成された導電性材料からなる下地電極層21と、この下地電極層上にエピタキシャル成長により形成されたアルミニウムを含有する主電極層22と、により構成された交差指状の電極20と、を備える。そして、上記電極20は、上記主電極層22上に形成された、当該主電極層及び上記下地電極層とは異なりアルミニウムよりも比重の大きい導電性材料からなる上部層23を有する。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスにおける横モードによる不要振動を低減する
【解決手段】弾性波デバイス1は、基板2と、基板2上に形成された誘電体膜4と、基板2と誘電体膜4との間に設けられるIDT電極3a、3bとを備える。基板2および誘電体膜4の少なくとも一方が圧電体であり、IDT電極3a、3bは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指3a−2、3b−2を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するIDT電極までの間のギャップ部において、誘電体膜4の膜厚が変化している。 (もっと読む)


【課題】ラダー型弾性波フィルタのQ値劣化を抑制する。
【解決手段】本発明のラダー型弾性波フィルタは、直列共振器と並列共振器とを梯子状に接続したラダー型弾性波フィルタであって、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記ラダー型弾性波フィルタの通過帯域の2倍以上3倍以下の周波数に減衰極を形成する第1並列共振器及びこれに直列接続されたインダクタと、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記第1並列共振器より容量の小さい第2並列共振器19とを備え、前記第2並列共振器19は互いに音響結合される複数の入出力IDT電極対25、26、27を有すると共に、前記複数の入出力IDT電極対25、26、27は直列接続された構成である。 (もっと読む)


【課題】通過帯域幅を広く保ちつつ挿入損失の劣化を低減し、かつ通過帯域の平坦性を向上できる弾性表面波装置及び通信装置を提供する。
【解決手段】圧電基板上に、伝搬方向に対して直交する方向に長い電極指を多数本有する複数のIDT電極2〜7を配設すると共に、複数のIDT電極のうち隣り合う2つのIDT電極が各々、相手側の端部から一部分であって電極指ピッチが残りの部分の電極指ピッチと異なる第1の部分L2,L3と残りの部分であって電極指ピッチが一定な第2の部分L1,L4とで構成し、第1の部分の電極指ピッチの平均値が第2の部分の電極指ピッチより短く形成すると共に第1の部分の電極指ピッチが隣り合う2つのIDT電極の境界に向かって短くなっており、2つの第1の部分における電極指ピッチの最小部が境界から外れた片方側にあり、隣り合う2つのIDT電極間の境界における電極指ピッチが最小部の電極指ピッチよりも長くなっている。 (もっと読む)


【課題】導波型音響波共振装置及び該装置の製造方法の提供。
【解決手段】少なく共2つのフィルタ(F、・・・、F)を含む導波型音響波共振装置で、各フィルタが少なく共2つの音響波共振器(R11−R12、・・・、RN1−RN2)を含み、各フィルタが、中心周波数(f、・・・、f)を中心とする有用な周波数帯域(BF、・・・、BF)によって特徴づけられ、各共振器が、周期(∧ij)の周期的構造を有する少なく共一組の相互噛合型上部電極と圧電材料の層とを含み、各共振器が結合係数及び共振周波数によって特徴づけられる、導波型音響波共振装置において、共振器の少なく共1つが差別化層(CDfi)を含んで、相互噛合型電極の周期と併せて前記共振器の結合係数変更を可能とし有用な帯域及び中心周波数が、決定された有用な帯域幅を有する様に構成される共振器の共振周波数及び結合係数によって決定される導波型音響波共振装置。 (もっと読む)


【課題】同一圧電基板上に、複数の弾性波フィルタを精度よく形成し、かつ特性の改善が可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板2上に第1金属膜4を形成する工程と、第1金属膜4をドライエッチングすることにより、圧電基板2上に第1金属膜4から第1IDT8を形成する工程と、第1IDT8上にレジスト10を形成する工程と、レジスト10上、及び圧電基板2上に、第1金属膜4とは膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる第2金属膜12を形成する工程と、第2金属膜12をドライエッチングすることにより、圧電基板2上に、第2金属膜12から第2IDT16を形成する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法。 (もっと読む)


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