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Fターム[5J097DD04]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 電極の形態サイズ (1,722) | 励振電極 (623) | 電極指の幅(拡幅等) (91)

Fターム[5J097DD04]に分類される特許

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【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAWデバイス10は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板12と、基板12の表面22上の第1及び第2の電極パターン18、20により第1及び第2の共振器14、16が形成され、その上にプラスのTCFを有する誘電保護膜24が形成される。そして、第1及び第2の電極パターン18、20が個々の電極幅a1、a2を有するとともに異なる電極周期p1、p2をもって配置され、異なる電極周期p1、p2のそれぞれが電極周期p1、p2に対する電極幅a1、a2のそれぞれの比率と関連付けられる。 (もっと読む)


【課題】広い温度範囲において温度特性が良好で、しかも、実装が容易で、小型化が可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 所定のオイラー角で切り出された水晶基板2の表面上に、一対の櫛型電極3からなる弾性表面波素子4が配設され、櫛型電極3を構成する平棒状の電極指31の幅と配設ピッチとの比である幅ピッチ比が、電極指31のSAW伝搬と直交方向において、複数異なるように櫛型電極3が形成され、各幅ピッチ比は、当該幅ピッチ比での周波数温度特性曲線において所定の頂点温度が得られるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】周波数温度特性に優れ、さらに電気機械結合係数が高められた弾性表面波共振子を用いて形成されており、温度特性及び周波数特性を改善し得るチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子S1,S2,P1〜P3に可変コンデンサが接続されている回路構成を備え、該弾性表面波共振子が、LiTaOまたはLiNbOからなる圧電基板11と、該圧電基板の上面11aの凹部11bに充填された電極材料からなるIDT電極12と、該圧電基板を覆うように設けられたSiO膜15とを有する、チューナブルフィルタ1。 (もっと読む)


【課題】高結合基板上にSAWトランスデューサまたはSAW共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 (もっと読む)


【課題】急峻なフィルタ特性を有すると共に、通過帯域が広く、かつフィルタ特性の製造ばらつきが小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタ装置1は、ラダー型弾性表面波フィルタ部20を備えている。直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子30の誘電体層33の厚さt1が、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子40の誘電体層43の厚みt2と異なっている。誘電体層の厚さが厚い弾性表面波共振子30のIDT電極32のデューティー比が、誘電体層の厚さが薄い弾性表面波共振子40のIDT電極42のデューティー比よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】小型でありつつ、IMDの発生が抑制された弾性波分波器を提供する。
【解決手段】弾性波分波器1は、アンテナ端子10と送信側信号端子11との間に接続されている送信フィルタ部20と、アンテナ端子10と受信側信号端子12a、12bとの間に接続されている受信フィルタ部13とを備えている。送信フィルタ20は、アンテナ端子10と送信側信号端子11とを接続している直列腕21と、直列腕21において直列に接続されている複数の直列腕共振子S1〜S4と、直列腕21とグラウンド電位とを接続している複数の並列腕22a〜22cと、複数の並列腕22a〜22cのそれぞれに設けられている並列腕共振子P1〜P3とを有する。複数の並列腕共振子P1〜P3のうち、アンテナ端子10に最も近い第1の並列腕共振子P1の共振周波数が、他の並列腕共振子P2,P3の共振周波数よりも高い。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲内(−40℃から+85℃)における周波数変動量を10ppm以内とすることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数が−γでありγ>0である第1の共振子14と、第1の共振子14に接続され、3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数がγでありγ>0である第2の共振子16とを備え、第1の共振子14と第2の共振子16との間における変曲点の差が19℃以下であり、0<|γ|≦|2.4γ|の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】共振特性やフィルタ特性の劣化を招くことなく、サージ耐性を高めることができる弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板2上にIDT電極3が形成されており、IDT電極3が、ホット側電位に接続される複数本の第1の電極指8と、複数本の第1の電極指8の先端とギャップG1を隔てて対向された複数本の第1のダミー電極指10と、第2の電極指9と、第2の電極指9の先端とギャップG2を隔てて対向された第2のダミー電極指11とを有し、ギャップのうち最も狭いギャップにおいて、グラウンド電位に接続される電極指9,11の先端に電極指側縁から弾性波伝搬方向に突出する凸部13が形成されており、ホット側電位に接続される電極指8,10に該凸部が形成されていない、弾性波素子1。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】SAW共振子11〜16と信号路2とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、SAW共振子11〜16により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路2の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるSAW共振子11〜16と、SAW共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路2とを別々の工程により形成する。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いQ値とを同時に実現するSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAWデバイス11は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板12の主面に、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT13、その両側に配置した一対の反射器14、IDTの電極指15a,15b間に凹設した電極指間溝17、及び反射器の導体ストリップ14a間に凹設した導体ストリップ間溝18を有する。電極指及び導体ストリップに直交する第1の方向(X´軸)と水晶基板の電機軸(X軸)とが角度ψをもって交差し、IDT及び反射器の少なくとも一部が、1.0°≦α≦2.75°の角度αをもって第1の方向と交差する第2の方向に配置される。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性を維持しつつ、電気機械結合係数を改善して安定した発振性を発揮するSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAWデバイス1は、オイラー角(φ=0°,θ=123°,ψ)の水晶基板2の主面に、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT3と、IDTの電極指6a,6b間に凹設した電極指間溝8とを有し、電極指間溝の深さG及び電極指の膜厚HとSAWの波長λが、1≦G/λ≦4、及び1≦H/λ≦4の関係を満足する。更に、IDTのライン占有率η及びオイラー角ψを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が0.052%以上かつ周波数温度特性が20ppm以下となるように決定する。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるディスクリート型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための弾性表面波フィルタは、オイラー角(−1°≦φ≦1°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT12と、IDT12を構成する電極指18間に位置する基板を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、
【数35】


を満たし、かつ、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGと前記ライン占有率ηとが
【数36】


の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】オイラー角(φ,θ,ψ)で、φを−60°〜+60°の範囲で変化させた際の二次温度係数が良好となる範囲のθ,ψとした水晶基板30の主面に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励振する複数の電極指18の基端部をバスバー16で接続した櫛歯状電極14a,14bからなるIDT12及び前記IDTを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝32を有する。また、前記電極指間溝の深さをG、波長をλとした場合に、0.02λ≦G≦0.04λとしたことを、前記IDTの電極指の幅と電極指間の幅の割合であるライン占有率ηを0.49≦η≦0.70とする。 (もっと読む)


【課題】通過帯域内に阻止帯域を有する帯域阻止型の弾性波フィルタ装置であって、通過帯域における挿入損失が小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置1は、第1のインダクタL1と第2のインダクタL2との間において、互いに並列に電気的に接続されている第1及び第2の直列腕弾性波共振子S1,S2と、第1のインダクタL1と第1及び第2の直列腕弾性波共振子S1,S2との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第1の並列腕弾性波共振子P1が設けられている第1の並列腕13aと、第2のインダクタL2と第1及び第2の直列腕弾性波共振子S1,S2との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第2の並列腕弾性波共振子P2が設けられている第2の並列腕13bとを備えている。 (もっと読む)


【課題】設計段階で所望の微小な差周波を得られるようにすることと、2つの弾性表面波素子の共振周波数を同程度に近づけることとの両立を図る。
【解決手段】第1、第2SAW共振子2、4の両者における櫛歯電極12、13および反射器14、15を構成する各電極のピッチp1、p2を同一としつつ、両者における各電極の交差指幅L1、L2を異ならせる。第1、第2SAW共振子2、4をこのような構造とすることで、第1SAW共振子2を有する第1発振回路の発振周波数と、第2SAW共振子4を有する第2発振回路の発振周波数とを異ならせることができ、両方の発振周波数の差である差周波を微小な周波数に設定することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】入力側IDT電極、出力側IDT電極及びこれら電極間に介設されたグレーティング型の電極を備えた弾性波フィルタにおいて、波長が基本波の波長の半分である2倍波の出力側IDT電極への伝搬を抑えること。
【解決手段】長さ方向における互いの中心線同士の離間距離がλ/4となり、且つ各々の幅寸法の等しい2本のグレーティング電極指17が隙間領域を介して配置されたダブル電極構造31を弾性波の伝搬方向に沿って設けると共に、このダブル電極構造31がλ/2の配列間隔で配置された主反射領域32と、ダブル電極構造31が3/4λの配列間隔で配置された補助反射領域33と、を連続して設ける。 (もっと読む)


【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるIDT電極と、前記IDT電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さtが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、0<t/λ≦3であらわされる範囲にあり、前記IDT電極の前記電極指の幅をWとしたときの、W/(λ/2)=ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η0と、前記IDT電極の電極膜厚Hを前記波長λにより規格化したH/λの関係が以下を満たす。
η0=−70.0000(H/λ)2+4.6000(H/λ)+0.3254 (もっと読む)


本発明は,音響波の横方向放射による損失を低下させた電気音響変換器を提供する。そのために変換器は,中央励起領域(ZAB)と,中央励起領域(ZAB)の両側に隣接する内縁領域(IRB)と,内縁領域(IRB)に隣接する外縁領域(ARB)と,外縁領域(ARB)に隣接するバスバー領域(SB)とを備える。これら領域内における縦方向速度は,ピストンモードによる励起プロファイルが得られるよう設定されている。 (もっと読む)


【課題】ラダー型弾性波フィルタのQ値劣化を抑制する。
【解決手段】本発明のラダー型弾性波フィルタは、直列共振器と並列共振器とを梯子状に接続したラダー型弾性波フィルタであって、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記ラダー型弾性波フィルタの通過帯域の2倍以上3倍以下の周波数に減衰極を形成する第1並列共振器及びこれに直列接続されたインダクタと、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記第1並列共振器より容量の小さい第2並列共振器19とを備え、前記第2並列共振器19は互いに音響結合される複数の入出力IDT電極対25、26、27を有すると共に、前記複数の入出力IDT電極対25、26、27は直列接続された構成である。 (もっと読む)


【課題】ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法を提供する。
【解決手段】すだれ状電極26は、ギャップ34、36によってトンネル効果を抑制又は排除するために十分に拡張されたエッジギャップ長を、電極の端部と対向するバスバー16,18との間に含む。結果として、長手方向に延びるエッジ領域54,56内での音響波の波速度がトランスデューサ中央領域46での波速度より遅く、対向するギャップ領域38,40での波速度がトランスデューサ中央領域での速度より速くなり、トランスデューサ26の開口部では本質的に均一な伝搬モードが生じる。高結合基板上のSAWトランスデューサ又はSAW共振器では、アポディゼーションを必要とせずにトランスデューサ領域でエネルギーを誘導する。等価結合係数が大きくなり損失が減少する。 (もっと読む)


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