【課題】ＬＳＡＷからなる弾性表面波を利用するためにタンタル酸リチウム製の圧電基板上にＩＤＴ電極を配置した弾性表面波素子において、この弾性表面波素子の周波数帯域が２ＧＨｚ以上もの高周波数帯域であっても伝搬損失を小さく抑える。
【解決手段】４５〜４６°回転Ｙ−Ｘ板からなるタンタル酸リチウムを圧電基板１０として用いると共に、ＩＤＴ電極２の膜厚ｈを７．５％λ〜８％λに設定すると共に、ＩＤＴ電極２における電極指６群について、電極指の幅寸法及び互いに隣接する電極指間の離間寸法に於いて、幅寸法と離間寸法との和で幅寸法を除した値で表されるライン占有率を０．５５〜０．６５に設定する。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さいワンチップ漏洩表面弾性波分波器を提供する。
【解決手段】直列腕共振器１０２−７、１０２−８、１０２−９と並列腕共振器１０３−５，１０３−６から成る梯子型バンドパスフィルタ１０７−１、および多重モード型共振器１０４−１、１０４−２，１０４−３、１０４−４から成る多重モード結合型バンドパスフィルタ１０７−２から構成される分波器１０１−１において、直列腕共振器１０２−７、１０２−８、１０２−９のメタライゼーションレシオを多重モード型共振器１０４−１、１０４−２，１０４−３、１０４−４のメタライゼーションレシオまたは並列腕共振器１０３−５，１０３−６のメタライゼーションレシオより大きい値に設定する。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性に優れ、さらに電気機械結合係数が高められた弾性表面波共振子を用いて形成されており、温度特性及び周波数特性を改善し得るチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｐ１〜Ｐ３に可変コンデンサが接続されている回路構成を備え、該弾性表面波共振子が、ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１１と、該圧電基板の上面１１ａの凹部１１ｂに充填された電極材料からなるＩＤＴ電極１２と、該圧電基板を覆うように設けられたＳｉＯ_２膜１５とを有する、チューナブルフィルタ１。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の多層膜技術の観点は耐電力性向上にあり、その特性、特に損失特性からの着眼は無く、むしろ多少の特性劣化が見込まれる場合も多かった。本願の目的は、従来とは異なり、多層膜化により積極的な特性向上、特に低損失化に好適な多層膜構造を提供する。
【解決手段】 弾性表面波基板上にすだれ状電極が形成され、そのすだれ状電極は、ALまたはCuを主材料とする主電極から形成され、さらに主電極の上に主材料とは異なる上部薄膜を配置し、上記主電極の膜厚を弾性表面波波長の7.7〜9.7%とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波を利用するために圧電基板上にＩＤＴ電極を配置した弾性表面波デバイスにおいて、このデバイスの周波数帯域が２ＧＨｚ以上もの高周波数帯域であっても挿入損失を小さく抑えること。
【解決手段】２ＧＨｚ以上もの周波数で縦波型リーキー波が圧電基板１０上を伝搬するようにＩＤＴ電極２を構成したＳＡＷ共振子１において、電極指６の各々について、アルミニウム膜２２と、当該アルミニウム膜２２の下層側に設けられ、このアルミニウム膜２２よりも弾性定数が大きいモリブデン膜２１と、からなる積層膜２３により構成すると共に、モリブデン膜２１の膜厚ｈ１を前記積層膜２３の全体の膜厚の２／７に設定する。 （もっと読む）

【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板１１０を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板１１０上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備える。ＩＤＴ電極を形成する工程は、Ａｌ層１２４Ａを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板１１０上に形成することと、Ａｌ層１２４Ａの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｂの形成を行ない、更にＡｌ層１２４Ｂの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｃの形成を行ないＡｌ層を所定の厚さにすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】通過周波数帯域よりも高域側におけるサイドローブの生成を抑えながら、通過周波数帯域におけるピーク位置から３ｄＢ減衰した領域の帯域幅をＢＷ_３ｄＢ、この帯域幅ＢＷ_３ｄＢにおける中心周波数をｆｎとすると、比帯域幅ＢＷ_３ｄＢ／ｆｎが０．０１〜０．０２もの狭帯域の縦結合共振器型フィルタを提供すること。
【解決手段】圧電基板１１を伝搬する弾性波の波長に対応する電極指１５の周期単位λ及び電極指１５のの膜厚ｈについて、膜厚比ｈ／λが０．０５〜０．０８５となるように設定すると共に、ＩＤＴ電極１２の合計の電極指１５の対数Ｎ_Ｔについて、１００≦Ｎ_Ｔ≦４００に設定する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現するとともに、周波数のバラつきを抑制可能な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を含み、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、を備え、平面視で、前記電極指の間の位置に、前記水晶基板の窪である電極指間溝を配置し、前記電極指間溝の間に配置されている前記水晶基板の凸部のライン占有率をηｇ、前記凸部上に配置されている前記電極指のライン占有率をηｅとし、前記ＩＤＴの実効ライン占有率ηｅｆｆを前記ライン占有率ηｇと前記ライン占有率ηｅとの相加平均とした場合、下記式の関係を満たす。


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【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１１〜１６と信号路２とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、ＳＡＷ共振子１１〜１６により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路２の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるＳＡＷ共振子１１〜１６と、ＳＡＷ共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路２とを別々の工程により形成する。 （もっと読む）

【課題】配線電極、アンダーバンプメタル層またはパッド電極におけるＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極層と、他の金属層との間の金属の拡散を抑制することができ、電極層間の接触抵抗が確実に低められた電極を備える電子部品を得る。
【解決手段】基板２上に電極が形成されており、該電極がＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１の電極層１２Ａと、第１の電極層１２Ａに積層されており、Ｃｕからなる第２の電極層１４Ａと、第２の電極層１４Ａの第１の電極層１２Ａとは反対側の面に積層されており、かつＴｉからなる第３の電極層１５Ａと、第３の電極層１５Ａの第２の電極層１４Ａとは反対側の面に積層されており、Ｔｉ以外の金属からなる第４の電極層１６Ａとを有する、電子部品。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性を維持しつつ、電気機械結合係数を改善して安定した発振性を発揮するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（φ＝０°，θ＝１２３°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧ及び電極指の膜厚ＨとＳＡＷの波長λが、１≦Ｇ／λ≦４、及び１≦Ｈ／λ≦４の関係を満足する。更に、ＩＤＴのライン占有率η及びオイラー角ψを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が０．０５２％以上かつ周波数温度特性が２０ｐｐｍ以下となるように決定する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲に極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、製造ばらつきにより個体間に生じ得る周波数温度特性のばらつき及び劣化を抑制する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λであり、電極指膜厚ＨとＩＤＴライン占有率ηとが所定の関係を満足することにより、周波数温度特性が常に動作温度範囲内で極大値と極小値との間に変曲点を有し、かつＩＤＴライン占有率ηの製造ばらつきによる変曲点温度の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３、その両側に配置した一対の反射器１４、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７、及び反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８を有する。電極指及び導体ストリップに直交する第１の方向（Ｘ´軸）と水晶基板の電機軸（Ｘ軸）とが角度ψをもって交差し、ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、１．０°≦α≦２．７５°の角度αをもって第１の方向と交差する第２の方向に配置される。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３と、その両側に配置した一対の反射器１４と、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７と、反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８とを有し、ＳＡＷの波長λと電極指間溝の深さＧとが０．０１λ≦Ｇを満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが所定の関係式を満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとがη＜ηrの関係にある。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるディスクリート型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための弾性表面波フィルタは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数特性のばらつき、及び水晶基板との熱歪みや経年変化による周波数変動を抑制するとともに、電気機械結合係数を改善した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（φ＝０°、１１０°≦θ≦１５０°、８８°≦ψ≦９２°）とした水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に配置された複数の電極指１８を有し、励振波を弾性表面波としたＩＤＴ１２と、を有した弾性表面波共振子であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝３２が配置され、前記電極指１８が、前記溝３２の間、または前記溝の内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。ＩＤＴ３は、複数の電極指３１ａ、３１ｂを有しており、また、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間には第２の溝２５が形成されている。一方、反射器４、５は、複数の導体ストリップ４１、５１を有しており、また、圧電体基板２の導体ストリップ４１、５１間には第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成されている。このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 （もっと読む）