【課題】周波数の温度係数および／または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。
【解決手段】第１の音響波速度ＶＬをもつ導波路層ＷＬと、該導波路層に直接隣接し、第２の音響波速度ＶＭ１を有する第１の外套層Ｍ１とを有しており、導波路で音響波を励起するために電極Ｅ１を備えており、波速度について式ＶＬ＜ＶＭ１が成り立っており、導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、導波路層ＷＬは二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有している。 （もっと読む）

【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】支持基板および素子基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合に生じるスプリアスを抑制することが可能な弾性波デバイスおよびモジュールを提供すること。
【解決手段】多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極１８と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】縦型漏洩弾性表面波の伝搬減衰が小さな圧電基板、この圧電基板を利用した弾性表面波素子及び電子部品、前記圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】縦型漏洩弾性表面波を励振するための圧電基板１０は、圧電結晶中の一価陽イオンをプロトンと交換するプロトン交換処理が可能な圧電材料からなり、前記圧電材料をプロトン交換処理することにより形成されたプロトン交換層１１と、このプロトン交換層内のプロトンを前記一価陽イオンと交換する逆プロトン交換処理することにより、前記プロトン交換層の上層側に、圧電基板の表面に露出するように形成された逆プロトン交換層１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不要な寄生容量を減少し、圧電基板や支持基板へのダメージが抑制され、かつ、圧電基板材料の選択の自由度が高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、圧電基板２００Ａに所定の幅および所定の深さを有する溝２１０Ａを形成する工程と、溝２１０Ａの開口が支持基板１００と対向するように、圧電基板２００Ａを支持基板１００に貼り合わせる工程と、支持基板１００に貼り合わせられた圧電基板２００Ａの厚みを減じる方向に圧電基板２００Ａを研磨し、溝２１０Ａが形成された部分において支持基板１００を露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる、複合圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電体基板２の表面２ａからイオンを注入して、圧電体基板２内において表面２ａから所定深さの領域に欠陥層４を形成する。圧電体基板２の表面２ａに支持基板１０を接合して基板接合体４０を形成する。基板接合体４０を、圧電体基板２内に形成された欠陥層４で分離して、圧電体基板２の表面２ａと欠陥層４との間の剥離層３が圧電体基板２から剥離されて支持基板１０に接合された複合圧電基板３０を形成し、複合圧電基板３０の剥離層３の表面３ａを平滑化する。イオン注入後に、複合圧電基板３０の剥離層３の分極処理を行う。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の分離面の欠陥層を選択的にエッチングして平坦化し、均一な膜厚の圧電薄膜を得る圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、圧電単結晶基板１の表面１２側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板１にイオン注入部分１００を形成する。次に、支持基板５０を圧電単結晶基板１に接合する。そして、圧電単結晶基板１と支持基板５０との接合体を加熱し、イオン注入部分１００を分離面とした分離を行う。ここで、支持基板５０に形成された圧電薄膜１０をアニールする。そして、圧電薄膜１０の分離面における欠陥層１３を選択的にエッチングして結晶層１１を露出させることで、圧電薄膜１０の分離面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】設計変更が容易な弾性波分波器を提供する。
【解決手段】弾性波分波器１は、チップ部品２０と、プリント配線基板４０とを備えている。チップ部品２０は、弾性波フィルタチップ２１と、セラミック基板２２とを有する。弾性波フィルタチップ２１には、送信フィルタ部１３及び受信フィルタ部１４の少なくとも一部が設けられている。チップ部品２０には、アンテナ端子１０と、送信側信号端子１１と、受信側信号端子１２とが設けられている。プリント配線基板４０は、第１及び第２の主面４１ａ、４１ｂを有する一つの樹脂層４１と、第１の主面４１ａの上に設けられた第１の電極層４２と、第２の主面４１ｂの上に設けられた第２の電極層４３と、第１の電極層４２と第２の電極層４３とを接続する接続電極とからなる。 （もっと読む）

【課題】 同一チップ上において異なる２つ以上の電気機械結合係数を有する弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された誘電体層１２と、誘電体層上に形成された第１櫛形電極２２ａ及び第２櫛形電極２２ｂと、を備え、第１櫛形電極２２ａと圧電基板１０との間における誘電体層１２ａの厚みは、第２櫛形電極２２ｂと圧電基板１０との間における誘電体層１２ｂの厚みと異なることを特徴とする弾性波デバイス及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１支持基板１２の上面に圧電基板１０を接合する工程と、圧電基板１０を接合する工程の後に圧電基板１０を薄層化させて圧電層１４を形成する工程と、圧電層１４の上面に第１電極１６を形成する工程と、第１支持基板１２に第１電極１６の下方に位置する孔部２２を形成する工程と、孔部２２を形成する工程の後に第１支持基板１２の下面に第２支持基板２４を接合する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】外周部に盛り上がり部分が存在する接着層を介して接着された支持基板と圧電基板との接着状態を良好に保つ。
【解決手段】複合基板１０は、圧電基板１４の裏面１４ｂと支持基板１２の表面１２ａとが接着層１６を介して接着されたものであって、接着層１６は、外周部に盛り上がり部分１６ａが存在し、圧電基板１４は、盛り上がり部分１６ａを避けて支持基板１２に接着されている。このため、接着層１６の盛り上がり部分１６ａと圧電基板１４との間に気泡が入り込みにくい。これにより、こうした気泡に起因する剥がれの発生を防止できる。したがって、外周部に盛り上がり部分が存在する接着層を介して接着された支持基板と圧電基板との接着状態を良好に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】温度特性の改善効果が高く、比較的低コストで製造可能であり、圧電基板と支持基板との組み合わせも１組に限定されない複合基板を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、圧電基板１２と支持基板１４とを接着層１６を介して接着されている。接着層１６は、アルコキシシリルを含む置換基を有する１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールのアルカリ金属塩（例えば６−トリエトキシシリルプロピルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールのモノナトリウム塩）を主成分とする分子接着剤を硬化したものである。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を抑制すること。
【解決手段】タンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面に配置され、下面が前記支持基板１０の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成された櫛型電極とを具備し、前記素子基板の弾性波における伝搬方向はＸ軸であり、前記支持基板の上面の法線方向はＸ軸であり、前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のＺ軸と平行ではない弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、入力された電気信号を弾性表面波に変換し、この弾性表面波の圧電基板上における伝搬特性に基づく処理が施された後に電気信号に再び変換する弾性表面波デバイスに関し、コストが大幅に増加することなく、性能が向上し、特性のバラツキが安定かつ確実に回避されることを目的とする。
【解決手段】圧電基板上に形成され、かつ電気信号を弾性波に変換する送波電極と、前記圧電基板を介して到来した弾性波を電気信号に変換する受波電極とを有する弾性表面波デバイスであって、前記送波電極と前記受波電極とで挟まれた前記圧電基板上の領域に塗設あるいは形成され、前記弾性波の内、弾性表面波の伝搬速度をバルク波の伝搬速度に揃え、または前記弾性表面波と前記バルク波との伝搬速度の差を緩和する伝搬速度調整体を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、内部に気泡が生じるのを防止する。
【解決手段】（ａ）裏面１１ａに微小な凹凸が形成された圧電基板２１と、圧電基板２１に比べて熱膨張係数が小さい支持基板１２とを用意し、（ｂ）微小な凹凸を埋めるように裏面１１ａに充填剤を塗布して充填層２３を形成し、（ｃ）算術平均粗さＲａが（ａ）における裏面１１ａの算術平均粗さＲａよりも小さくなるように充填層２３の表面を鏡面研磨し、（ｄ）充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着層１４を介して貼り合わせて複合基板２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】目標とする周波数特性を有する弾性境界波装置を確実に提供することを可能とする弾性境界波装置の製造方法および弾性境界波装置を得る。
【解決手段】第１の媒質１と、第１の媒質上に積層されている第２の媒質と、第１，第２の媒質との界面に配置されたＩＤＴ電極２とを備える積層体を用意し、第２の媒質の外側からイオンを注入し、周波数を調整する各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度で弾性境界波装置を製造し得る弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。犠牲層１５が形成された状態でＩＤＴ電極１４によって励振される弾性境界波の周波数特性を測定する。測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とを比較する。比較工程において、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とに差がある場合は、犠牲層１５を除去した後に、当該差に応じて、第２の媒質１２の厚みを調整する。一方、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とが一致している場合は、第２の媒質１２の厚み調整を行わない。 （もっと読む）

【課題】酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜することができる酸窒化シリコン膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の裏面を粗くすることなく、バルク波による周波数特性の劣化を抑制することができる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイス１０は、（ａ）一方の主面１２ａにＩＤＴ１４，１６が形成され、ＩＤＴ１４により励振された弾性波が伝搬する圧電基板１２と、（ｂ）圧電基板１２の他方の主面１２ｂに接合された付加部材２０とを備える。付加部材２０は、ＩＤＴ１４により励振されたバルク波のうち、圧電基板１２内を圧電基板１２の他方の主面１２ｂに向かって伝搬し、他方の主面１２ｂから付加部材２０に入射する入射成分が、付加部材１２内において乱反射するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを樹脂製の接着層で接合した複合基板において、一度高温となった後に反りが残るのを防止する。
【解決手段】圧電基板１１の裏面と支持基板１２とを接合する絶縁樹脂製の接着層１３に、圧電基板１１の電荷を除去する導電性の除電粒子を含有させている。これにより、この複合基板１０及びそれを用いて形成された弾性表面波デバイスが一度高温となった後に反りが残るのを防止することができる。 （もっと読む）