【課題】本発明は弾性波基板における不要応答発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は圧電基板１上面に設けられた第１の誘電体層２と、第１の誘電体層２上面に設けられた第２の誘電体層４の膜厚を適切に与えることにより主要波として用いるＳＨ波のエネルギーを圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に閉じ込めつつ、不要波として検出されるストンリー波と同様の変位分布を有するＳＶ波の変位を第２の誘電体層４の上面に分布させることにより、第２の誘電体層４の上面に設けられた吸音層５を用いて不要波を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板からなる圧電基板上にＩＤＴを形成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて周波数温度特性を向上させる。
【解決手段】カット面及びＳＡＷ伝搬方向がオイラー角（φ，θ，ψ）表示でφ＝（２７．１５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）又はφ＝（６２．８５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）、θ＝９０±７．５°、及びψ＝９０±１２°であるＬi₂Ｂ₄Ｏ₇からなる圧電基板２上に、レイリーＳＡＷを励振する一方向性の入力用及び出力用ＩＤＴ３，４をＳＡＷ伝搬方向に沿って配置する。 （もっと読む）

【課題】 外形の占有面積の大きさが内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、かつ、信頼性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供すること、及びインピーダンス調整機能やより多機能な電気回路を複合することができる弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】
圧電基板１と、圧電基板上に配置される励振電極２と、前記圧電基板上に配置され、励振電極２に接続される配線電極３と、励振電極２の振動空間９を構成するとともに、外周縁が圧電基板１の直上領域内に位置するようにして前記圧電基板上に配置されるカバー体４と、カバー体４を覆う樹脂からなる絶縁性保護体６と、前記絶縁性保護体上に配置される外部電極７と、前記絶縁性保護体内に設けられ、配線電極３に接続されるインダクタ成分と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】部品点数を少なくして製造コストを低減でき、低消費電力でジッタの影響を受け難い高性能のＳＡＷセンサを提供する。
【解決手段】ＳＡＷセンサ１１はＳＡＷセンサ素子１２とそれからの信号を処理するための集積回路１３とを有する。ＳＡＷセンサ素子１２は、片持ちに支持される圧電基板１４が固定端側の厚板部１６ａと自由端側の厚板部１６ｂとそれらの間の薄板部１６ｃとを有する。薄板部には検出用ＳＡＷ共振子１７が、固定端側の厚板部には基準用ＳＡＷ共振子１８が、自由端側の厚板部１６ｂには第１及び第２クロック用ＳＡＷ共振子１９，２０が形成される。集積回路は、検出用及び基準用ＳＡＷ共振子にそれぞれ接続した検出用及び検出用発振回路２１，２２と、第１及び第２クロック用ＳＡＷ共振子１９，２０にそれぞれ接続した第１及び第２クロック用発振回路２３，２４と、それらに接続した周波数混合器２９，３２及び周波数検波部３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板にＬＢＯを用いたＳＡＷデバイスの通過域高域側に生じるスプリアスを抑圧すると共に、熱衝撃試験、落下試験に耐えるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】表面上にＩＤＴ電極が形成され、裏面に深さｄの溝３が形成されたＬＢＯ基板２を紫外線硬化型接着剤によりパッケージに実装したＳＡＷデバイスであって、ＬＢＯ基板２の裏面に溝３を形成する。このとき、ＬＢＯ基板２の厚さをｔ（μｍ）、ＩＤＴ電極により励振される弾性表面波の波長をλ（μｍ）、溝３の深さをｄ（μｍ）としたときに、溝３の深さｄが、８λ≦ｄ≦（ｔ−１５０）の範囲内とした。 （もっと読む）

【課題】複数のＳＡＷフィルタを含むＳＡＷ装置を小型化した場合でもフィルタ間の干渉を防ぎアイソレーションを確保する。
【解決手段】同一圧電基板上に備えられた低域側ＳＡＷフィルタ及び高域側ＳＡＷフィルタを含むＳＡＷ素子と、表面に導電体を有し前記ＳＡＷ素子がＦＣＢ実装されたベース基板とを備えるＳＡＷ装置である。ベース基板の表面の導電体を、そのいずれもが低域側ＳＡＷフィルタ形成領域に対向するベース基板表面の領域である第一対向領域と、高域側ＳＡＷフィルタ形成領域に対向するベース基板表面の領域である第二対向領域とに跨ることがないように配置する。 （もっと読む）

【課題】耐電力性（マイグレーション耐性）のさらなる向上を図るとともに温度変化による周波数変動を抑えた信頼性の高い弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする圧電体層４を有する基板２と、前記基板２上に形成された少なくとも一対の櫛歯型電極５ａ，５ｂからなるＩＤＴ６と、を有し、前記櫛歯型電極５ａ，５ｂは、Ａｌ−Ｔｉ合金からなる第１電極層１６Ａと、Ａｌ−Ｎｄ合金からなる第２電極層１６Ｂとが前記圧電体層４上にこの順で積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波が伝搬する境界面と媒質層の表面との間で閉じ込められる弾性波に起因するスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とする弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】相対的に音速が速い第１の媒質層２としてのＬｉＮｂＯ₃基板と、相対的に音速が遅い第２の媒質層３としてのＳｉＯ₂膜との境界に、電気音響変換器としてのＩＤＴ４と、反射器５，６とが配置されており、ＳｉＯ₂膜の上面に、複数本の溝３ｂが形成されて凹部及び／または凸部が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品の耐湿信頼性の改善ならびに、その製造方法の簡略化及び製造コストの低減である。
【解決手段】 本発明は、圧電基板２と、該圧電基板２の主面に形成された櫛歯電極３と、該櫛歯電極３に隣接して配設された素子配線を有する配線電極９と、該配線電極９の外周を囲む開口部４ａを有し、かつ前記圧電基板２の主面に形成された封止用電極４と、を有する圧電素子と、該封止用電極４の上面に積層され、かつ、前記開口部４ａと同じ大きさの開口部５ａを有する金属箔層５と、該金属箔層５の上面を覆い、かつ、前記櫛歯電極３の上面との間に所定の空隙Ｓを有するように圧着された金属蓋体６と、前記圧電基板２の表裏を貫通して配設され、かつ、前記配線電極９と前記圧電基板２の裏面に配設された端子電極７とを電気的に接続する貫通電極８と、からなる圧電部品ならびにその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れる球状弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様に係る球状弾性表面波素子１００は、球状の基体１１１と、基体１１１の表面を周回する弾性表面波を励起するとともに周回した当該弾性表面波を受信する一対の櫛形電極１１２と、基体１１１の中心を通る光学軸の両極点近傍に形成され、一対の櫛形電極１１２の各々に接続された第１及び第２の入出力用電極１１４と、第１の入出力電極１１４上に形成された外部端子１１５と、第２の入出力電極１１４に対向して非接触で形成された外部電極１１６とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の片側全面にＲｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板により構成された正電極板２が接触するように取り付け、かつ単結晶の他方側全面に負電極板３を取り付けると共に、これ等電極板間に電圧を印加した状態で、７００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で、１時間以上２０時間以下熱処理する。熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子における挿入損失及び耐電力を向上させ、フィルタ特性に優れた高性能かつ高品質の弾性表面波素子、電子デバイス及び電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、圧電材料及び対をなす櫛歯型電極１０ａ，１０ｂ及び櫛歯型電極１１ａ，１１ｂからなるＩＤＴ１０，１１を有する単位フィルタ１−Ａ，１−Ｂを、同一の圧電基板２６上に形成して、複数並列接続した弾性表面波素子１であって、櫛歯型電極１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂの電極指２ａ，２ｂの長さは全て等しく、単位フィルタ１−Ａ，１−Ｂの弾性表面波の波長をλ（但し、λ＝Ｖ／ｆ Ｖ：弾性表面波速度（ｍ/ｓ）、ｆ：動作周波数（ＧＨｚ））としたとき、ＩＤＴ１０，１１の電極膜厚が１０〜４００ｎｍの範囲内、かつ電極指２ａ，２ｂの交差長が５〜５０λの範囲内で構成されている。 （もっと読む）

【課題】安価な材料で、又比較的薄い膜厚で微細な電極が形成できる弾性表面波装置、及びそれを用いた通信用フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板上にすだれ状電極１０が形成された弾性表面波装置において、前記すだれ状電極１０を形成する電極材料の主成分が銅であり、且つ圧電基板がＬｉＮｂＯ３基板で、その表面波伝搬モードがラブ波モードである弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子の素子基板の切断位置、端面形状によって共振周波数が左右されず、小型化された弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１０上に弾性表面波のＳＨ波が励振される弾性表面波共振子１において、水晶基板１０にＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に略直交して極性の異なる電極指１２ａ，１２ｂが交互に配置されたＩＤＴ１２が形成されたＩＤＴ形成領域１３と、水晶基板１０に、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’におけるＩＤＴ形成領域１３の両側に電極指１２ａ，１２ｂの交差幅以上の幅寸法で、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に長さ寸法を有する付加膜１４が形成された付加膜形成領域１５とを備え、付加膜形成領域１５の全体が有する反射係数が０．８７５以上１．０００以下である。 （もっと読む）

【課題】機能素子上が中空状態で封止されてなる電子部品のパッケージ構造に関して、小型、薄型で、かつ、樹脂封止のトランスファーモールド法でも作製できるようにすること。
【解決手段】表面に機能領域と電極を有する素子が形成された基板と、前記基板の前記機能領域上に空間を設けて配置された樹脂層と、前記空間を覆う金属層と、前記金属層の前記樹脂層に対応する位置に設けられた絶縁樹脂層とからなる電子部品パッケージであって、前記樹脂層の弾性率が前記絶縁層の弾性率よりも大きいことを特徴とする電子部品パッケージ構造をもちいる。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、鏡面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、鏡面化された主面１１ａ上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高く、生産コストが低い圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶は、点Ａ（Ｌａ_２Ｏ_３が４４重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が４６重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）、点Ｂ（Ｌａ_２Ｏ_３が４５重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５２重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｃ（Ｌａ_２Ｏ_３が３２重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が６５重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｄ（Ｌａ_２Ｏ_３が３７重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５３重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げる。 （もっと読む）

【課題】スプリアス特性を抑制すること。
【解決手段】圧電基板と、圧電基板の表面上に形成され複数の電極指を有するＩＤＴと、を具備し、圧電基板は、圧電基板表面の電極指の長手方向をｙ軸、圧電基板表面のｙ軸に垂直な方向をｘ軸、圧電基板の法線方向をｚ軸としたとき、ｘ軸およびｚ軸方向の変位を成分とする第１表面波モードとｙ軸方向の変位を成分とする第２表面波モードとを有し、電極指の膜厚は、第１表面波モードの反共振点（ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度と第２表面波モードの反共振点（ＳＨ−ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度とが一致する膜厚ｈｃ／λである弾性表面波デバイスおよび弾性波フィルタである。 （もっと読む）

【課題】温度変化による反りが少なく、熱膨張を抑えた、優れた温度安定性を示すタンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結晶薄板を用いた複合基板を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】 本発明の複合基板は、鉄、銅、マンガン、モリブデン、コバルト、ニッケル、亜鉛、炭素、マグネシウム、チタン、タングステン、インジウム、錫、レニウム、スカンジウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、銀、白金、金、イットリウム、ネオジウム、イリジウム、ゲルマニウム、バリウム、セシウム、ストロンチウム、ガリウム、セリウム及びその他の遷移元素から選ばれる少なくとも一種以上の添加元素を０．００２ｗｔ％以上０．１ｗｔ％以下の割合で含有するＬＴ単結晶又はＬＮ単結晶からなる単結晶薄板と、該単結晶薄板の一面に接合された低熱膨張基板と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの共振周波数の高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は前記圧電基板の厚さＨの２９％より深くした弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）