【課題】基体上にニオブ酸カリウムナトリウム層が形成された圧電体積層体を提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成されたテンプレート層３ａと、前記テンプレート層３ａの上方に形成されたニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層３ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】励振電極に保護膜が被覆された際に、ＳＡＷ装置の周波数温度特性が良好となるＳＡＷ装置を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するためのＳＡＷ装置は、カット角がオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の範囲内にある事を基本とする面内回転ＳＴカット水晶基板（圧電基板）を用いたＳＡＷ装置である。そして、設定された共振周波数において所望する周波数温度特性を得るために必要とされる前記圧電基板のカット角に、圧電基板の主面に構成する励振電極本体に対する保護膜付与の影響による周波数温度特性の変化量に基づいて予め求めた面内回転角ψの補正量Δψを加えたカット角によって構成した圧電基板１２と、圧電基板１２の主面に形成された励振電極本体１８と、補正量Δψによる周波数温度特性の変化量に対応した膜厚に設定されて励振電極本体１８に付与される保護膜２０とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】寄生容量や寄生インダクタンスを低減しながら初期周波数調整を行なうことを可能とし、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、回路定数の異なる複数の発振回路１４〜１６を有する半導体回路領域１３と、ＩＤＴ電極４を有する弾性表面波素子領域１２とを有している。そして、ＩＤＴ電極４のＩＤＴ接続パッド５ａ，５ｂと、複数の発振回路１４〜１６のうち選択された一つの発振回路１５の回路接続パッド１５ａ，１５ｂのそれぞれとが、液滴吐出用導電材料からなる回路接続配線９により接続され、ＳＡＷ発振器１０の一つの回路が形成されている。回路接続配線９は液滴吐出用導電材料からなり、液滴吐出法により形成されているので、マスクが不要で工程の簡略化も可能となり、寄生容量や寄生インダクタンスを低減できる。 （もっと読む）

【課題】二次実装時において、配線基板上にフリップチップ実装され封止樹脂で被覆された弾性表面波素子と配線基板との間の気密破壊を抑制した高周波モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の高周波モジュールは、圧電基板２１の一方主面上外周に沿って環状封止電極２４が設けられ、環状封止電極２４の内側領域にＩＤＴ電極２２とこのＩＤＴ電極２２に接続する入出力電極２３とが設けられた弾性表面波素子２が、複数の誘電体層１１および複数の導体層１２からなる積層構造を有する配線基板１の表面にフリップチップ実装されるとともに、その他の表面実装部品が配線基板１の表面に実装され、弾性表面波素子２およびその他の表面実装部品を封止するように配線基板１の表面が封止樹脂層４で被覆された高周波モジュールにおいて、封止樹脂層４には、配線基板１における積層方向から見て封止樹脂層４を分割するように弾性表面波素子２に沿って溝状空隙部４１が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】構造的強度を高め、安定した特性を実現するラム波型高周波デバイスと、製造工程内において割れにくく、歩留りを向上できる製造方法を提供する。
【解決手段】ラム波型高周波デバイス１０は、ＩＤＴ電極３０が一方の主面に形成された圧電基板２０と、圧電基板２０の他方の主面に接合される補強基板５０と、からなり、圧電基板２０と補強基板５０との接合面において、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間５４が設けられている。また、このラム波型高周波デバイス１０の製造方法は、補強基板５０に空間５４に相当する凹部５３を形成する工程と、凹部５３内に犠牲層を形成する工程と、圧電基板２０の厚板と補強基板５０とを接合した後、圧電基板２０の厚板を所定の厚さに研磨する工程と、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成する工程と、犠牲層を除去して空間５４を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム基板とニオブ酸カリウム層を有する圧電体積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、タンタル酸リチウム基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１２またはニオブ酸カリウム固溶体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板のレーリーＳＡＷを用い、バルクスプリアスが抑圧されたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを提供することにある。
【解決手段】太い実線で記された波形は、アルミニウム（Ａｌ）膜厚を１．７１％λ₀として試作したフィルタの伝達応答（周波数応答）を示す。同図の細い実線で記された波形は、そのフィルタの計算時（シミュレーション時）の伝達応答を示す。計算と比べて実測ではまだバルクスプリアスによる減衰劣化はみられるが、その劣化分はアルミニウム（Ａｌ）膜厚が１．４２％λ₀の試作品と比べて大幅に良化している。 （もっと読む）

【課題】シングル型ＩＤＴ電極を備え、発振周波数としてストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置において、周波数温度特性が優れ、また高周波化が容易な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板表面にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるためのシングル型ＩＤＴ電極を少なくとも備え、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置であって、水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）とするとき、φ＝０°、１１０°≦θ≦１４０°、３８°≦｜ψ｜≦４４°に設定し、かつ、ＩＤＴ電極の厚みをＨ、ＩＤＴ電極における電極指の幅をｄ、ＩＤＴ電極における電極指間のピッチをＰ、弾性表面波の波長をλ、η＝ｄ／Ｐとしたとき、Ｈ／λ≧０．１７９６η³−０．４３０３η²＋０．２０７１η＋０．０６８２とする。 （もっと読む）

【課題】基体上にニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層が形成された圧電体積層体を提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第１圧電体層３と、を含む。前記第１圧電体層３は、組成式（Ｋ_ａＮａ_１−ａ）_ｘＮｂＯ_３で表され、該組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２であることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、長期信頼性に優れたアンテナ共用器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】セラミックパッケージまたはセラミック基板と、このセラミックパッケージまたはセラミック基板の上面に設けられたバンプ１２と、このバンプ１２の上面に設けられ、かつ前記バンプ１２と電気的に接続された複数の櫛形電極を下面に有する弾性表面波素子１４とを備え、前記複数の櫛形電極は電波の送信側に前記バンプ１２を介して接続された第１の櫛形電極１３ａと、電波の受信側に前記バンプ１２を介して接続された第２の櫛形電極１３ｂからなり、かつ前記セラミックパッケージまたはセラミック基板と前記弾性表面波素子１４との間に前記複数の櫛形電極と電気的に接続されないダミーバンプ１８を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイスにおいて、結晶中の欠陥等が少ないとともに、バラツキの少ない伝搬速度が得られること。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、Ｌａ_２Ｏ_３を、４８．０６から４８．８０重量％とし、Ｇａ_２Ｏ_３を、４５．２５から４６．６０重量％とし、ＳｉＯ_２を、５．２１から６．１９重量％とした組成範囲内で秤量してルツボ１内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の単結晶Ｃを引き上げ育成する。 （もっと読む）

【課題】大量生産に適し常に安定して良好な弾性表面波伝搬性能を発揮可能な弾性表面波素子（ＳＡＷデバイス）、及びそれを用いた環境差異検出装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ（弾性表面波）が伝搬可能な曲面が連続した少なくとも円環状の曲面の一部を含む表面を有する３次元基体１２と；上記表面にＳＡＷを励起し上記表面に沿いＳＡＷを伝搬させるとともに伝搬するＳＡＷを受信可能な電気音響変換素子１４と；を備え、３次元基体がランガサイトタイプ構造結晶（Ａ₃ＢＣ₃Ｄ₂Ｏ₁₄）であり、３次元基体の表面において電気音響変換素子は、これらの結晶の結晶面と前記表面との交線に沿いＳＡＷを伝搬させ、前記交線は前記表面の最大外周線である、ことを特徴とする。環境差異検出装置は、ＳＡＷデバイスの複数の伝搬表面帯の電気音響変換素子の弾性表面波受信信号を比較し夫々が接する空間部分の環境の差異を検出する。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】高温環境下でも、弾性表面波の励振が可能な弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することにある。
【解決手段】サファイア基板１１上に形成される伝搬層１２と、伝搬層１２上に形成される櫛形電極１５および１６を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、圧電性を有し積極的に不純物を含まないＧａＮから伝搬層１２を形成し、ＧａＮと比較して狭いバンドギャップを有し積極的にｎ型不純物を含むＩｎＧａＮから櫛形電極１５および１６を形成した。 （もっと読む）

【課題】水晶基板の切断において、切断屑をほとんど排出しない水晶基板の切断方法を提
供する。
【解決手段】水晶基板１の切断方法は、レーザ加工装置２０にセットされた水晶基板１の
厚みを測定する工程と、フェムト秒レーザであるレーザ光２３の水晶基板１内の集光点４
５を調整する工程と、切断予定位置にそって改質領域５０を形成するために、レーザ光２
３を走査する工程とを有する。レーザ光２３を走査する工程は、水晶基板１の厚み方向に
集光点４５を順に３回移動させて、厚み方向の全面に改質領域５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電特性などに優れた新規な圧電材料を提供すること。
【解決手段】圧電材料は、下記一般式（１）で表される。
x(K_1/2Bi_1/2)TiO₃-(1-x)KNbO₃ ・・・（１）
前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。 （もっと読む）

【課題】リップルを低減しつつ、挿入損失劣化を低減し、通過帯域幅が広く、優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子Ａにおいて、電極群２１の少なくとも一端に位置するＩＤＴ電極３２の電極指ピッチは、当該電極群２１の他のＩＤＴ電極３１及び分離電極６１の平均電極指ピッチより狭い。中間電極４５の電極指ピッチは、当該分離電極６１の両側に隣接する電極群２１，２２の端部に位置するＩＤＴ電極３２，３３の電極指ピッチより広い。弾性表面波素子Ａに縦続接続される弾性表面波素子Ｂも同様の構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 溶融性金属材料に対するバリアメタルとして、充分に機能する電極層を含んだ結合用電極を有しつつ、この電極に生じる膜応力を緩和すること。
【解決手段】 弾性表面波素子は、圧電基板１上に形成された励振電極と、実装基板と接続されるための結合用電極Ｅとを含む。結合用電極Ｅは、圧電基板１に形成された下地電極２と、密着電極層３及びバリアメタル電極層４が積層されている中間層７とを備えている。バリアメタル電極層４は、不純物含有層４Ｂを少なくとも１層含む。結合用電極Ｅは、励振電極の外周を取り囲む位置に形成されている環状電極１１や、励振電極に接続されている配線電極１２である。圧電基板１、下地電極２、密着電極層３、バリアメタル電極層４、のうちの少なくとも１つの表面は、ボンバード処理を施して粗面化している。これにより、各層に生じる膜応力による反りを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ_３で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が低減され、入力コンダクタンスにおけるバックグラウンドが著しく抑制された表面弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】サファイア基板１−０上に、ＧａＮ伝搬層１−１からなるメサ構造１−３が形成され、メサ構造１−３上面に、櫛形電極である、１−５ａと１−５ｂとの組み合わせ、及び、１−６ａと１−６ｂとの組み合わせが、所定の間隔をおいて対向する位置に形成され、櫛形電極１−５ａと１−５ｂ、及び、１−６ａと１−６ｂに導通し、これら櫛形電極に信号を印加するか、あるいは、櫛形電極から信号を取り出すための引き出し電極１−７ａ、１−７ｂ、１−８ａ、１−８ｂが、メサ構造１−３の外部において、基板１−０表面に接するように、形成されている表面弾性波デバイスを構成する。 （もっと読む）