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Fターム[5J097FF03]の内容

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【課題】高結合基板上にSAWトランスデューサまたはSAW共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 (もっと読む)


【課題】特性劣化がなく、ウェハ工程にて一括に形成することができ、小型で低背な弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電基板1と、前記圧電基板1の一方主面の上に形成され、櫛歯状電極を少なくとも1つ備えるIDT2と、前記一方主面の上において前記IDT2を覆うことによって前記一方主面とともに中空の収容空間7を形成する保護カバー6と、を備え、前記保護カバー6は、貫通穴15を有し、少なくとも一部がフッ素を含む酸発生材を含有する光硬化性材料からなる。貫通孔穴15は、保護カバー6の蓋部のうちIDT2と対向する位置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】弾性波フィルタ部品の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波フィルタ部品1は、第1の圧電基板3の厚みが第2の圧電基板5の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品1内において、第1の圧電基板3の上面を含む平面と第2の圧電基板5の上面を含む平面との距離は、第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。これにより、第1の柱状配線電極7の高さと第2の柱状配線電極9の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品1の製造工程を簡易化することができる。 (もっと読む)


【課題】LiNbO基板の上に、IDT電極を覆うように厚み0.25λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性表面波装置1は、LiNbOからなる圧電基板10と、圧電基板10の上に形成されたIDT電極11と、IDT電極11を覆うように圧電基板10の上に形成された誘電体層12とを備えている。IDT電極11の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに誘電体層12の厚みは、0.2λ以上である。 (もっと読む)


【課題】 弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上。
【解決手段】 圧電基板10と、圧電基板10上に形成された櫛形電極12と、櫛形電極12の表面にALD法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜16と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。圧電基板10上に櫛形電極12を形成する工程と、櫛形電極12の表面に、ALD法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜16を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。絶縁膜16をALD法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板11と、弾性波を励振する振動部22を有し、振動部22が絶縁性基板11と対向し、かつ振動部22が空隙51に露出するように、絶縁性基板11の上面に実装された弾性波デバイスチップ20と、振動部22を囲むように設けられ、絶縁性基板11と弾性波デバイスチップ20とを接合する接合部と、を具備し、接合部は、半田32と、半田32より高い融点を有しかつ絶縁性基板11の上面のコプラナリティより大きな厚さを有する金属層42と、を積層して形成されている弾性波デバイスである。 (もっと読む)


【課題】電気的抵抗損失が少なく、電極膜厚を厚くしても大きな電気機械結合係数kを得ることを可能とするSH波を利用した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板2と、前記溝内に充填されている金属層3aを有し、該金属層3aがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるIDT電極4とを備え、SH波を利用している弾性表面波装置1。 (もっと読む)


【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さい縦波型漏洩弾性表面波(LLSAW)装置を提供する。
【解決手段】LLSAW装置のIDトランスデューサ14は、圧電基板1の上面に形成された複数の電極指3とそれらを連結するバスバー2とからなる一対の櫛形電極6A、6Bで構成され、電極指3が交互に間挿された櫛形電極6A、6Bの間に高周波信号が加えられている。電極指3の上面および互いに隣接する電極指3、3の間に位置する圧電基板1の上面には、誘電体膜5が形成されている。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】SAW共振子11〜16と信号路2とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、SAW共振子11〜16により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路2の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるSAW共振子11〜16と、SAW共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路2とを別々の工程により形成する。 (もっと読む)


【課題】弾性波素子の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波素子1は、圧電基板2と、圧電基板2の上に設けられたIDT電極3と、圧電基板2の上であってIDT電極3の周囲に設けられた側壁5と、側壁5の上にIDT電極3上の空間を覆うように設けられた蓋体7と、蓋体7と側壁5との間に設けられた接着剤からなる接着層6とを備え、側壁5の上面は溝部25を有し、溝部25は接着剤によって充填された構成である。これにより、接着剤のはみ出し量を低減できる。 (もっと読む)


【課題】表面ラフネスの増大や構造破壊を防止しつつ、共振周波数を上昇させることができるようにした圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子10を有する圧電振動デバイスの製造方法であって、前記弾性表波素子10の表面上に波の速度を高める機能膜4を形成する工程、を含む。また、前記機能膜4のヤング率は、励振電極2及び圧電体1の各ヤング率よりも大きく、且つ、前記機能膜4の密度は、前記励振電極2及び前記圧電体1の各密度よりも低い。これにより、質量付加効果による周波数低下の影響を抑えながら、弾性率上昇による周波数上昇を発現させ、弾性表面波素子の共振周波数を上昇させることができる。 (もっと読む)


【課題】配線電極、アンダーバンプメタル層またはパッド電極におけるAlもしくはAl合金からなる電極層と、他の金属層との間の金属の拡散を抑制することができ、電極層間の接触抵抗が確実に低められた電極を備える電子部品を得る。
【解決手段】基板2上に電極が形成されており、該電極がAlもしくはAl合金からなる第1の電極層12Aと、第1の電極層12Aに積層されており、Cuからなる第2の電極層14Aと、第2の電極層14Aの第1の電極層12Aとは反対側の面に積層されており、かつTiからなる第3の電極層15Aと、第3の電極層15Aの第2の電極層14Aとは反対側の面に積層されており、Ti以外の金属からなる第4の電極層16Aとを有する、電子部品。 (もっと読む)


【課題】複数の導体層を積層した電極指を有するIDT電極において、導体層の破断や剥離等の発生を抑制し、耐久性を高めた弾性表面波素子及びそれを搭載した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子1は、圧電基板10上に電極指11aを有するIDT電極11を備えている。電極指11aは、中間層12と、中間層12に比べて大きな熱膨張係数を有する電極層13が積層されてなる。電極指11aは、圧電基板10に近づく方向に広がる台形形状となる断面形状を有している。中間層12の側面1の成す角度αは、電極層13の側面との成す角度βと異なっている。 (もっと読む)


【課題】IDT電極の電気抵抗が低い弾性波装置を製造し得る弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板10の上に第1のマスク21を配置する工程を行う。第1のマスク21の上から第1の導電層11aを形成する第1の導電層工程を行う。第1の導電層形成工程の後に、第1のマスク21を除去する第1の除去工程を行う。第1の除去工程の後に、圧電基板10上に第2のマスク23を配置する工程を行う。第2のマスク23の上から第2の導電層11bを形成する第2の導電層形成工程を行う。 (もっと読む)


【課題】優れたフィルタ特性を有し、かつ相互変調歪みのレベルが低い弾性波分波器を提供する。
【解決手段】受信フィルタ20は、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部30a,30bと、弾性表面波共振子40とを有する。第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部30a,30bは、少なくとも3つのIDT電極31〜33を含む。弾性表面波共振子40は、少なくとも3つのIDT電極31〜33のうちの少なくとも一つに接続されている1つのIDT電極41を含む。弾性表面波共振子40の容量C1と、IDT電極41に電気的に接続されているIDT電極31の容量C2との比(C1/C2)が1.9以上2.5以下となるように、受信フィルタ20が構成されている。 (もっと読む)


【課題】支持基板の構成材料の選択性を高めて圧電デバイスを製造する。
【解決手段】圧電基板1にイオンを注入してイオン注入部分2を形成する。次に、圧電基板1のイオン注入側の面に、被エッチング層3および仮基板4からなる仮支持基板を形成する。次に、仮支持基板を形成した圧電基板1を加熱し、イオン注入部分2を分離面として圧電基板1から圧電薄膜11を分離する。次に、圧電基板1から分離した圧電薄膜11に、誘電体膜12およびベース基板13からなる支持基板を形成する。ここで、仮支持基板は、圧電薄膜11との界面に作用する熱応力が支持基板よりも小さい構成材料で構成している。 (もっと読む)


【課題】耐湿性が向上し、耐湿試験での電気特性の変化を防止することができる弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板12の主面12aに、IDT20を形成する第1の導電膜に隣接し、かつ第1の導電膜の周囲を取り囲むように、第1の絶縁膜14が形成されている。圧電基板12の主面12aと、第1の絶縁膜14と、第1の導電膜とに接合されるように、第2の導電膜28が形成されている。第1の絶縁膜14に接合され、第1の導電膜を覆うように、第2の絶縁膜16が形成されている。第1の導電膜と第1の絶縁膜14との境界部分と第2の導電膜28とが交差する領域及びその近傍領域において、第2の導電膜28と第1の導電膜との間及び第2の導電膜28と第1の絶縁膜14との間に延在するように、目張り膜26が形成されている。 (もっと読む)


【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、SAWを励振するIDT12およびこれを挟む一対の反射器20と、電極指18間の水晶基板30を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、0.01λ≦Gを満たし、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGとライン占有率ηとが−2×G/λ+0.72≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.01λ≦G≦0.05λ)、および、−3.5898×G/λ+0.7995≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.05λ<G≦0.0695λ)の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ATカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角(0±2°、35〜40°、0±2°)によってカット形成された水晶基板12と、この水晶基板12の表面に板波を励振させる少なくとも1つの櫛形励振電極13と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜14とを備え、位相速度が4500〜6000m/sの範囲にある板波の温度特性が25℃付近に変曲点を持つ略3次温度特性になるように櫛形励振電極13と周波数調整膜14の膜厚を調整した。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波装置の耐電力性の向上を図ること。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電性単結晶基板10と、上記圧電性単結晶基板上に形成された導電性材料からなる下地電極層21と、この下地電極層上にエピタキシャル成長により形成されたアルミニウムを含有する主電極層22と、により構成された交差指状の電極20と、を備える。そして、上記電極20は、上記主電極層22上に形成された、当該主電極層及び上記下地電極層とは異なりアルミニウムよりも比重の大きい導電性材料からなる上部層23を有する。 (もっと読む)


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