【課題】 通過帯域外の減衰量を大きくすることができるＷＬＰ型のＳＡＷ装置を提供する。
【解決手段】 圧電基板３に、複数の並列共振子２１に共通に接続された第１領域２４ａおよび第１領域２４ａから延出された第２領域２４ｂを有する基準電位配線２４が形成された弾性表面波装置１である。基準電位配線２４の第１領域２４ａには、枠部１５および蓋部１７を貫通する第１基準電位端子８が配置され、基準電位配線２４の第２領域２４ｂには、枠部１５および蓋部１７を貫通する第２基準電位端子９が配置されている。蓋部１７の主面に、第２基準電位端子９に接続され、かつ第１基準電位端子８には接続されない金属層１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波素子において、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制する弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子１２は、圧電基板１３と、圧電基板１３の上に配置されたＩＤＴ電極１４と、ＩＤＴ電極１４に接続された内部電極１５と、ＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８と、支柱体１６と天板１８とを覆う絶縁保護体１９と、絶縁保護体１９の上に配置される外部電極２０と、絶縁保護体１９の上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターン２１と、絶縁保護体１９を貫通するように設けられ、外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】漏洩弾性表面波を用いており、音速を高めることができ、高周波化を容易に果たすことができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＬｉＮｂＯ_３基板２上のＩＤＴ電極３を覆うように酸化ケイ素膜６が形成されており、酸化ケイ素膜６上に誘電体層７が形成されており、誘電体層７の横波音速が、ＬｉＮｂＯ_３における遅い横波音速よりも速く、誘電体層７の膜厚Ｈ３としたときに、漏洩弾性表面波の波長λで規格化してなる規格化膜厚Ｈ３／λが０．２５〜０．６の範囲にある弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】配線及び電極パッドの腐食を抑制できる信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板２と、圧電基板２上に形成されたＩＤＴ４と、圧電基板２上に形成され、ＩＤＴ４と電気的に接続された配線３と、圧電基板２上に形成され、配線３を介してＩＤＴ４と電気的に接続された電極パッド１０と、ＩＤＴ４、及び配線３を覆うように、圧電基板２上に形成された絶縁層１２と、を具備し、配線３のうち少なくとも一部の領域における配線を形成する金属、及び電極パッド１０を形成する金属は、ＩＤＴ４を形成する金属より水分に対する耐腐食性が高い弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの腐食を抑制できる信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に形成された弾性波素子４と、圧電基板２上に形成され、少なくとも１つ以上の金属層からなり、弾性波素子４と電気的に接続された電極パッド１４と、弾性波素子４を封止する封止部６と、封止部６を貫通して電極パッド１４上に形成され、電極パッド１４と電気的に接続された電極ポスト８と、電極パッドを形成する金属層のうち、少なくとも１つの金属層の上であって、封止部６と電極ポスト８との界面の少なくとも一部の下に形成された絶縁膜１２と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に実装されている弾性境界波素子の周囲を被覆するように配線基板上に樹脂層が形成されている弾性境界波装置において、放熱性を向上する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、弾性境界波素子１０と、弾性境界波素子１０が実装されている配線基板２０と、樹脂層３０と、配線基板２０及び樹脂層３０よりも高い熱伝導率を有する熱伝導体２２とを備えている。弾性境界波素子１０は、圧電基板１１と、圧電基板１１の上に形成されている誘電体層１２と、圧電基板１１と誘電体層１２との間に形成されているＩＤＴ電極１３ａとを有する。樹脂層３０は、弾性境界波素子１０の周囲を被覆するように配線基板２０上に形成されている。熱伝導体２２は、平面視したときにＩＤＴ電極１３ａが設けられている領域Ａの少なくとも一部において、配線基板２０及び樹脂層３０のうちの少なくとも一方の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ラダー型弾性波フィルタのＱ値劣化を抑制する。
【解決手段】本発明のラダー型弾性波フィルタは、直列共振器と並列共振器とを梯子状に接続したラダー型弾性波フィルタであって、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記ラダー型弾性波フィルタの通過帯域の２倍以上３倍以下の周波数に減衰極を形成する第１並列共振器及びこれに直列接続されたインダクタと、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記第１並列共振器より容量の小さい第２並列共振器１９とを備え、前記第２並列共振器１９は互いに音響結合される複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７を有すると共に、前記複数の入出力ＩＤＴ電極対２５、２６、２７は直列接続された構成である。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波デバイスや境界波デバイスに用いられる弾性波デバイスにおいて、ブレークダウンモードの発生を抑制出来る弾性波デバイスの提供。
【解決手段】弾性波デバイス１は、圧電体２と、圧電体２の上に設けられ、銅を含むＩＤＴ電極３とを備え、圧電体２の材料はストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム系またはニオブ酸リチウム系である。これにより、コングルエント組成の圧電体と比較して上記空隙が減少する。その結果、圧電体の結晶欠陥が減少する。従って、弾性波デバイスを製造するプロセス中の熱工程や高い電力の入力によって、ＩＤＴ電極を構成する銅が溶融し圧電体の結晶の中へ拡散するのを抑制し、ブレークダウンモードによる弾性波デバイスの破壊を防止する。 （もっと読む）

【課題】高温下におかれたとしても、電気抵抗の増大や周波数特性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力試験における特性の劣化を抑制することができる、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３が複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなり、該積層金属膜が、Ａｌ膜またはＡｌ基合金からなる第１の金属膜３ｂと、第１の金属膜とは異なる金属もしくは合金からなる第２の金属膜３ｅと、第１，第２の金属膜間に配置されているＣｕ膜３ｃ及びＴｉ膜３ｄを有し、Ｃｕ膜３ｃ及びＴｉ膜３ｄの内、Ｃｕ膜３ｃが第１の金属膜３ｂ側に配置されている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧電基板のクラックの発生を抑制し、弾性波デバイス及びこれを用いたフィルタ、デュプレクサの信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、圧電基板９と、圧電基板９の上に設けられたＩＤＴ電極１０と、圧電基板９の上にＩＤＴ電極１０を覆うように設けられた誘電体層１１と、誘電体層１１の上に設けられた応力緩和層１２と、ＩＤＴ電極１０と接続されると共に応力緩和層１２の上に引き出された引き出し電極１３と、引き出し電極１３の上に設けられたバンプ１４と、を備え、応力緩和層１２の弾性率は誘電体層１１の弾性率よりも小さい構成とする。 （もっと読む）

【課題】銅（Ｃｕ）と同レベルの電気機械結合係数ｋ²及び反射率が得られる、アルミニウム（Ａｌ）電極を備えた弾性波素子を実現する。また、弾性波素子の製造プロセスを簡略化する。
【解決手段】圧電基板１１と、圧電基板１１上に配され、アルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金を含むＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２の電極間または電極間の上部に配され、アルミニウムよりも音速が遅い音速調整部材１４と、ＩＤＴ電極１２及び音速調整部材１４を被覆する絶縁膜１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳＴカット弾性表面波共振子と比べて小型の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、水晶基板１０上に形成され、ＳＨタイプの弾性表面波の位相伝搬方向に沿った周期λｉ内に対数が２対以上、本数が４本以上の電極指２０２，２０３が配置されたすだれ状電極２０と、水晶基板１０上において位相伝搬方向におけるすだれ状電極２０の両側にそれぞれ配置されるように形成され、位相伝搬方向に沿った周期λｒ内のメタライゼーションレシオηｒが（λｉ／λｒ）×ηｒ≧０．６の関係式を満足する電極指３００，３０１が配置された反射器３０，３１とを備える。すだれ状電極２０と反射器３０，３１とは、導電性重金属を主成分とする金属からなり、すだれ状電極２０の電極厚みＨと周期λｉとの比Ｈ／λｉは、０．０１４以上０．０２６以下である。 （もっと読む）

【課題】角型性の良好なヒステリシス特性を有しないことで信頼性を向上させた圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｐｂ（Ｚｒ_ＸＴｉ_ＹＮｂ_Ｚ）Ｏ_３で示され、以下の関係、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１
０≦Ｙ≦０．２５
０．０５≦Ｚ≦０．２５
が成立することを特徴とする圧電体である。 （もっと読む）

本発明は、特に音響波で作動するデバイスのためのメタライジング層に関する。本発明によるメタライジング層は高い耐電力性及び高い導電性を備え、このためにチタンを含有する下側層（ＢＬ）及び銅を含有する上側層（ＵＬ）で構成するベース部を備える。ベース部上に配置したメタライジング層の上層部（ＴＬ）は、アルミニウムを含有する。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子上に気密性に優れた空洞部を有し、かつ外部電極の構造が単純で製造が容易な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０に設けられた弾性表面波素子１２と、圧電基板１０上に設けられ、弾性表面波素子１２に電気的に接続する複数の電極部１４と、弾性表面波素子１２上に空洞部１６を有し空洞部１６の側面および上面を覆うように圧電基板１０上に設けられた金属キャップ１８と、金属キャップ１８を覆うように圧電基板１０上に設けられた樹脂封止部２２と、金属キャップ１８の外側において樹脂封止部２２を貫通して複数の電極部１４それぞれの上面に設けられた、金属キャップ１８と同じ金属で単一の金属からなる金属ポスト２４と、を具備する弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】耐電力性の高い弾性表面波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る弾性表面波素子１は、ＬｉＮｂＯ₃またはＬｉＴａＯ₃の単結晶からなる圧電基板２と、前記圧電基板上に形成され、Ｔｉ及びＣｒの少なくとも一方を主成分とする下地電極層５と、下地電極層５上に形成され、Ａｌを主成分とし、エピタキシャル成長した配向膜であるとともに、ＸＲＤ極点図により６回対称スポットが現れる双晶構造を有し、平均粒径が６０ｎｍ以下であるＡｌ電極層４と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法を提供する。
【解決手段】すだれ状電極２６は、ギャップ３４、３６によってトンネル効果を抑制又は排除するために十分に拡張されたエッジギャップ長を、電極の端部と対向するバスバー１６，１８との間に含む。結果として、長手方向に延びるエッジ領域５４，５６内での音響波の波速度がトランスデューサ中央領域４６での波速度より遅く、対向するギャップ領域３８，４０での波速度がトランスデューサ中央領域での速度より速くなり、トランスデューサ２６の開口部では本質的に均一な伝搬モードが生じる。高結合基板上のＳＡＷトランスデューサ又はＳＡＷ共振器では、アポディゼーションを必要とせずにトランスデューサ領域でエネルギーを誘導する。等価結合係数が大きくなり損失が減少する。 （もっと読む）

【課題】広帯域・低損失・超角型で、位相特性に優れた弾性表面波機能素子を実現する。
【解決手段】圧電性基板１または／或いは圧電性薄膜基板表面上に、弾性表面波を励振または受信するすだれ状電極を有する弾性表面波機能素子において、伝搬方向に向かって徐々に電極幅及び周期が短くなる正負の電極を交互に配置した、ダウン方向に一方向性をもつ分散型すだれ状電極、あるいは伝搬方向に向かって徐々に電極幅及び周期が長くなる正負の電極を交互に配置した、アップ方向に一方向性をもつ分散型すだれ状電極を構成し、これらを相互に組み合わせることにより、その方向性を向かい合わせ、周波数の変化に対して遅延時間が変化しない非分散型遅延線及びフィルター、又は周波数の増加ともに遅延時間が長く／短かくなるアップ／ダウン型分散型遅延線及びフィルターを実現する。 （もっと読む）

【課題】 櫛型電極が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】 本弾性波デバイス１００は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１８と、櫛型電極１８の電極指間に設けられた第１絶縁膜１２と、櫛型電極１８の側面を覆うように、櫛型電極１８と第１絶縁膜１２との間に設けられた第１拡散防止膜１６と、櫛型電極１８及び第１絶縁膜１２上に設けられた絶縁性の第２拡散防止膜２０と、第２拡散防止膜２０上に設けられた第２絶縁膜２２と、を具備する。本構成によれば、第１拡散防止膜１６が櫛型電極１８と第１絶縁膜１２との間に設けられているため、櫛型電極１８が第１絶縁膜１２中に拡散することを抑制することができる。その結果、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）